Mosfet IRFP260MPBF del poder del canal N del óxido de metal de 200V 50A TO247
Number modelo:IRFP260MPBF
Lugar del origen:LOS E.E.U.U.
Cantidad de orden mínima:10pcs
Condiciones de pago:T/T, Western Union, PayPal
Capacidad de la fuente:10,000pcs
Plazo de expedición:en existencia 2-3days
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Shenzhen Guangdong China
Dirección:
FORTUNA del RM 311 3/F LINZHAN QUE CONSTRUYE EL ÁREA SHENZHEN, CHINA del CAMINO LIUYUE LONGGANG de la CALLE SHENFENG de No.1 SHENHUA
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Detalles del producto
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Detalles del producto
Mosfet 200V 50A del poder del canal N de IRFP260MPBF a través del óxido de metal del agujero TO247-3
CARACTERÍSTICAS
Tipo: MOSFETS-solo
Empaquetado: Tubo
Estado de la parte: ACTIVO
Tipo del FET: Canal N
Tecnología: MOSFET (óxido de metal)
voltaje de la Dren-fuente (VDSS): 200V
Actual - drenes continuos (identificación) (en 25°C): 50A (Tc)
Conducción del voltaje (RDS máximo ENCENDIDO, RDS mínimo ENCENDIDO): 10V
VGS (th) con diversos IDs (máximos): 4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) en diverso VGs (máximo): 234nC @ 10V
Capacitancia entrada (CISS) en diverso VDS (máximo): 4057pF @ 25V
VGS (máximo): ±20V
Disipación de poder (máxima): 300W (Tc)
RDS EN (máximo): 40 mOhm @ 28A, 10V
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 175°C (TJ)
Instale el tipo: A través del agujero
Paquete del dispositivo del proveedor: TO-247AC
Paquete/recinto: TO-247-3
Tehcnology Co., Ltd de la electrónica de la tienda de delicatessen
Correo electrónico: sales3@deli-ic.com
Skype: hkdeli881
Contacto: VIVI-CHEN
Mosfet IRFP260MPBF del poder del canal N del óxido de metal de 200V 50A TO247
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