Transistor del MOSFET del poder de IRF540NSTRLPBF 100V 33A HEXFE
Number modelo:IRF540NSTRLPBF
Lugar del origen:Alemania
Cantidad de orden mínima:10pcs
Condiciones de pago:T/T, Western Union, PayPal
Capacidad de la fuente:10,000pcs
Plazo de expedición:en existencia 2-3days
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Shenzhen Guangdong China
Dirección:
FORTUNA del RM 311 3/F LINZHAN QUE CONSTRUYE EL ÁREA SHENZHEN, CHINA del CAMINO LIUYUE LONGGANG de la CALLE SHENFENG de No.1 SHENHUA
Proveedor Último login veces:
Dentro de 41 Horas
Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
IRF540NSTRLPBF Original del transistor 100V 44mΩ 33A del MOSFET del poder de HEXFE nueva de alta calidad
Parámetros en detalles:
MOSFETs avanzados del poder de HEXFET de
Empaquetado: - a 263
Tipo: Canal N
Corriente continua del dren (identificación) en 25°C: 33A
voltaje de la Dren-fuente (VDSS): 100V
Voltaje del umbral de la fuente de la puerta: 4V @ 250uA
Fuente de la salida en resistencia: 44 MQ2@16A, 10V
Disipación de poder máxima: 130W
Tipo: Canal N
Corriente continua del dren (identificación) en 25°C: 33A
voltaje de la Dren-fuente (VDSS): 100V
Voltaje del umbral de la fuente de la puerta: 4V @ 250uA
Fuente de la salida en resistencia: 44 MQ2@16A, 10V
Disipación de poder máxima: 130W
Característica
¿? Tecnología de proceso avanzada
¿? En-resistencia ultrabaja
¿? Grado dinámico de dv/dt
¿? temperatura de funcionamiento 175°C
¿? Transferencia rápida
¿? Completamente avalancha clasificada
¿? Sin plomo
Descripción
Los MOSFETs avanzados del poder de HEXFETÆ del rectificador
internacional utilizan el proceso avanzado
técnicas para alcanzar extremadamente - en-resistencia baja por
área del silicio.
Esta ventaja, combinada con la velocidad que cambia rápida y el
diseño construido sólidamente del dispositivo
los MOSFETs de ese poder de HEXFET son bien sabido para, proveen
del diseñador un extremadamente eficiente
y dispositivo confiable para el uso en una amplia variedad de usos.
El D2Pak es un paquete superficial del poder del soporte capaz de
acomodar a morir los tamaños hasta HEX-4.
Proporciona la capacidad del poder más alto y el posible más bajo
en resistencia en cualquier paquete superficial existente del
soporte.
El D2Pak es conveniente para los usos de gran intensidad debido a
su resistencia interna baja de la conexión
y puede disiparse hasta 2.0W en un uso superficial típico del
soporte.
La versión del por-agujero (IRF540NL) está disponible para los usos
del perfil bajo.
Tehcnology Co., Ltd de la electrónica de la tienda de delicatessen
Correo electrónico: sales3@deli-ic.com
Skype: hkdeli881
Contacto: VIVI-CHEN
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Transistor del MOSFET del poder de IRF540NSTRLPBF 100V 33A HEXFE
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