GT20J301 Toshiba aisló el canal N bipolar IGBT del silicio del transistor de la puerta
Number modelo:GT20J301
Lugar del origen:Japón
Cantidad de orden mínima:10pcs
Condiciones de pago:T/T, Western Union, PayPal
Capacidad de la fuente:10,000pcs
Plazo de expedición:en existencia 2-3days
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Shenzhen Guangdong China
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FORTUNA del RM 311 3/F LINZHAN QUE CONSTRUYE EL ÁREA SHENZHEN, CHINA del CAMINO LIUYUE LONGGANG de la CALLE SHENFENG de No.1 SHENHUA
Proveedor Último login veces:
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Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
GT20J301: Canal N (usos) del control de motor de la transferencia del poder más elevado Toshiba
Toshiba aisló el canal N bipolar IGBT del silicio del transistor de la puerta
USOS QUE CAMBIAN DEL PODER MÁS ELEVADO
USOS DEL CONTROL DE MOTOR
●La 3ra generación
●Aumento-modo
●Velocidad. : tf=0.30pμs (máximo)
●Voltaje de saturación bajo: VCE (se sentó) =2.7V (máximo)
●FRD incluyó entre el emisor y el colector
Tehcnology Co., Ltd de la electrónica de la tienda de delicatessen
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GT20J301 Toshiba aisló el canal N bipolar IGBT del silicio del transistor de la puerta
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