Mosfets TO-252AA del poder del canal N de RFD14N05LSM 14A 50V 0.1Ohm
Number modelo:RFD14N05LSM
Lugar del origen:LOS E.E.U.U.
Cantidad de orden mínima:10pcs
Condiciones de pago:T/T, Western Union, PayPal
Capacidad de la fuente:10,000pcs
Plazo de expedición:en existencia 2-3days
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Shenzhen Guangdong China
Dirección:
FORTUNA del RM 311 3/F LINZHAN QUE CONSTRUYE EL ÁREA SHENZHEN, CHINA del CAMINO LIUYUE LONGGANG de la CALLE SHENFENG de No.1 SHENHUA
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Soporte de la superficie de los Mosfets TO-252AA del poder del canal N del nivel de la lógica de RFD14N05LSM 14A 50V 0.1Ohm
Introducción:
El RFD14N05LSM es 14 A, 50 V, 0,1 Ω, Mosfet del poder del nivel de la lógica del canal N.
Viene en un paquete de TO-252AA y de gamas de temperaturas de Operting a partir del °C la -55 a 175 °C.
Se fabrica usando el proceso de MegaFET.
Este proceso, que utiliza los tamaños de característica que se acercan a los de los circuitos integrados de la LSI,
da la utilización óptima del silicio, dando por resultado funcionamiento excepcional.
Características:
Tipo del Fet: N-Ch
Voltaje de la Dren-a-fuente [Vdss]: 50V
Dren-fuente en Resistencia-máximo: 0.1Ω
Disipación de poder clasificado: 48 W
Carga de la puerta de Qg: 40nC
Paquete: TO-252AA
Tipo de Mouting: Soporte superficial
MOSFET del poder de TrenchFET®
El 100% Rg y UIS probaron
USOS
• Convertidores de DC/DC
• Inversores de DC/AC
• Impulsiones del motor
Tehcnology Co., Ltd. de la electrónica de la tienda de delicatessen
Correo electrónico: sales3@deli-ic.com
Skype: hkdeli881
Contacto: VIVI-CHEN
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Mosfets TO-252AA del poder del canal N de RFD14N05LSM 14A 50V 0.1Ohm
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