Diodo paralelo anti 43A 1200V de HGTG11N120CND NPT GBT Hyperfast
Number modelo:HGTG11N120CND
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Diodo antiparalelo 43A 1200V del canal N IGBT Hyperfast de la serie de HGTG11N120CND NPT
Descripción:
El HGTG11N120CND es un No-sacador con (NPT) diseño de IGBT.
Éste es un nuevo miembro del MOS bloqueó a la familia de alto
voltaje de la transferencia IGBT.
IGBTs combina las mejores características de MOSFETs y de
transistores bipolares.
Este dispositivo tiene la alta impedancia de entrada de un MOSFET y
de la pérdida baja de la conducción del en-estado de un transistor
bipolar.
El IGBT utilizó es el tipo de desarrollo TA49291.
El diodo usado es el tipo de desarrollo TA49189.
El IGBT es ideal para muchos usos que cambian de alto voltaje que
actúan en las frecuencias moderadas
por ejemplo donde bajo están esenciales las pérdidas de la
conducción: Controles de motor de la CA y de DC, fuentes de
alimentación y conductores para los solenoides,
retransmisiones y contactores. Tipo antes de desarrollo TA49303.
Características:
• 43A, 1200V, TC = 25oC
• 1200V que cambia a SOA Capability
• Tiempo de caída típico. …. .340ns en TJ = 150oC
• Grado del cortocircuito
• Pérdida baja de la conducción
• Modelo termal de la ESPECIA de la impedancia
Tehcnology Co., Ltd. de la electrónica de la tienda de delicatessen
Correo electrónico: sales3@deli-ic.com
Skype: hkdeli881
Contacto: VIVI-CHEN
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Diodo paralelo anti 43A 1200V de HGTG11N120CND NPT GBT Hyperfast
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