Conductor lateral bajo de IR2011S 35ns, conductor de alta velocidad 10V - 20V del Mosfet del poder
Número de modelo:IR2011STRPBF
Lugar del origen:Tailandia
Cantidad de orden mínima:10pcs
Condiciones de pago:T/T, Western Union, FIDEICOMISO
Capacidad de la fuente:50000pcs
Plazo de expedición:Archivo
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Evaluación de proveedor
Shenzhen Guangdong China
Dirección:
FORTUNA del RM 311 3/F LINZHAN QUE CONSTRUYE EL ÁREA SHENZHEN, CHINA del CAMINO LIUYUE LONGGANG de la CALLE SHENFENG de No.1 SHENHUA
Proveedor Último login veces:
Dentro de 41 Horas
Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
Conductor de alta velocidad del powerMOSFET del CONDUCTOR del LADO del CIELO Y TIERRA del chip CI del ordenador de IR2011STRPBF
Características
·El canal de flotación diseñó para la operación del tirante completamente - operativa hasta +200V tolerante al voltaje transitorio negativo, dV/dt inmune
·Gama de la fuente de la impulsión de la puerta de 10V a 20V
·Canales laterales bajos y altos independientes
·Alto activo de la entrada logicHIN/LIN
·Cierre del Undervoltage para ambos canales
·lógica de la entrada 3.3V y 5V compatible
·Entradas Schmitt-accionadas Cmos con tirón-abajo
·Retraso de propagación hecho juego para ambos canales ·SIN PLOMO también disponible (PbF)
Usos
·Amplificadores audios de la clase D ·Convertidores del poder más elevado DC-DC SMPS
·Otros usos de alta frecuencia
Descripción
El poder más elevado de IR2011 AIA, el conductor de alta velocidad del powerMOSFET con el independenthigh y los canales de salida referida laterales bajos, la clase D del idealforAudio y los usos del convertidor de DC-DC. Las entradas de la lógica son compatibles con salida estándar del Cmos o de LSTTL, abajo a la lógica 3.0V. Los conductores de la salida ofrecen una etapa de almacenador intermediario actual del alto pulso diseñada para la cruz-conducción mínima del conductor. Los retrasos de propagación se hacen juego para simplificar uso en usos de alta frecuencia. El canal de flotación se puede utilizar para conducir un MOSFET del poder del canal N en la alta configuración lateral que actúa hasta 200 voltios. Propri- las tecnologías inmunes etary de HVIC y del cierre Cmos permite el struction monolítico construido sólidamente de la estafa.
| Cualidades de producto | Seleccione todos |
| Categorías | Circuitos integrados (ICs) |
| Serie | - |
| Empaquetado | Cinta y carrete (TR) |
| Situación de la parte | Activo |
| Configuración conducida | Semipuente |
| Tipo de canal | Independiente |
| Número de conductores | 2 |
| Tipo de la puerta | MOSFET del canal N |
| Voltaje - fuente | 10 V ~ 20 V |
| Voltaje de la lógica - VIL, VIH | 0.7V, 2.2V |
| Actual - salida máxima (fuente, fregadero) | 1A, 1A |
| Tipo de la entrada | Inversión |
| Alto voltaje lateral - máximo (tirante) | 200V |
| Tiempo de la subida/caída (tipo) | 35ns, 20ns |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo del montaje | Soporte superficial |
| Paquete/caso | 8-SOIC (0,154", anchura de 3.90m m) |
| Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SOIC |
| Número de parte bajo | IR2011SPBF |
Co ltd del tehcnology de la electrónica de la tienda de
delicatessen
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Teléfono: 86-755-82539981
Conductor lateral bajo de IR2011S 35ns, conductor de alta velocidad 10V - 20V del Mosfet del poder
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