Memoria masiva del plástico PBF TSOP 3.3V del chip de memoria 8GX8 de IC del flash de MT29F64G08CBABAWP NAND
Número de modelo:MT29F64G08CBABAWP
Lugar del origen:Malasia
Cantidad de orden mínima:10pcs
Condiciones de pago:T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente:10000pcs
Plazo de expedición:en existencia 2-3days
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Shenzhen Guangdong China
Dirección:
FORTUNA del RM 311 3/F LINZHAN QUE CONSTRUYE EL ÁREA SHENZHEN, CHINA del CAMINO LIUYUE LONGGANG de la CALLE SHENFENG de No.1 SHENHUA
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Detalles del producto
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Detalles del producto
MT29F64G08CBABAWP: MEMORIA MASIVA del PLÁSTICO PBF TSOP 3.3V del FLASH 8GX8 del chip de memoria NAND de B IC
Características
• Abra el interfaz (ONFI) del flash del NAND 1,0 compliant1
• Tecnología de un solo nivel de (SLC) de la célula
• Organización – tamaño de página x8: 2112 bytes (2048 + 64 bytes) – tamaño de página x16: 1056 palabras de las palabras (1024 + 32) – tamaño de bloque: 64 páginas (bytes 128K + 4K) – tamaño plano: 2 aviones x 2048 bloques por el avión – tamaño del dispositivo: 4Gb: 4096 bloques; 8Gb: 8192 bloques 16Gb: 16.384 bloques
• Funcionamiento asincrónico de la entrada-salida – tRC/tWC: 20ns (3.3V), 25ns (1.8V)
• Funcionamiento del arsenal – página leída: 25µs 3 – página del programa: 200µs (TIPO: 1.8V, 3.3V) 3 – bloque del borrado: 700µs (TIPO)
• Comando fijado: Protocolo del flash de ONFI NAND
• – El escondrijo mode4 de la página del programa – el Dos-avión leído fijado comando avanzado del modo 4 del escondrijo de la página – modo programable de una sola vez de (OTP) – ordena 4 – interpolado mueren las operaciones (LUN) – ID exclusivo leído – cerradura del bloque (1.8V solamente) – movimiento de los datos internos
• El byte de situación de la operación proporciona el método del software para detectar – realización de la operación – la condición del paso/del fall – Write-protect la situación
• La señal lista/de Busy# (R/B#) proporciona un método del hardware de detectar la realización de la operación
• Señal de WP#: Dispositivo entero de la protección de escritura
| Cualidades de producto | Seleccione todos |
| Categorías | Circuitos integrados (ICs) |
| Memoria | |
| Fabricante | Micron Technology Inc. |
| Serie | - |
| Situación de la parte | Activo |
| Tipo de la memoria | Permanente |
| Formato de la memoria | FLASH |
| Tecnología | FLASH - NAND |
| Tamaño de la memoria | 64Gb (8G x 8) |
| Escriba la duración de ciclo - palabra, página | - |
| Interfaz de la memoria | Paralelo |
| Voltaje - fuente | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Co ltd del tehcnology de la electrónica de la tienda de
delicatessen
www.icmemorychip.com
Correo electrónico: sales@deli-ic.com
Skype: hksunny3
Teléfono: 86-755-82539981
Memoria masiva del plástico PBF TSOP 3.3V del chip de memoria 8GX8 de IC del flash de MT29F64G08CBABAWP NAND
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