Canal N bipolar aislado módulo del silicio del transistor de la puerta del tiristor GT20J101
Número de modelo:GT20J101
Lugar del origen:China
Cantidad de orden mínima:10 piezas
Condiciones de pago:T/T, Western Union, FIDEICOMISO
Capacidad de la fuente:10000PCS
Plazo de expedición:Archivo
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Evaluación de proveedor
Shenzhen Guangdong China
Dirección:
FORTUNA del RM 311 3/F LINZHAN QUE CONSTRUYE EL ÁREA SHENZHEN, CHINA del CAMINO LIUYUE LONGGANG de la CALLE SHENFENG de No.1 SHENHUA
Proveedor Último login veces:
Dentro de 41 Horas
Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
Canal N bipolar aislado TOSHIBA IGBT del silicio del transistor de la puerta GT20J101
Usos de la transferencia del poder más elevado
• La 3ra generación • Aumento-modo
• Velocidad: tf = 0,30 µs (máximos)
• Voltaje de saturación bajo: VCE (sentado) = 2,7 V (máximos)
| Característico | Símbolo | Clasificación | Unidad |
| voltaje del Colector-emisor | VCES | 600 | V |
| voltaje del Puerta-emisor | VGES | +-20 | V |
| Corriente de colector DC | IC | 20 | A |
| Ms de la corriente de colector 1 | ICP | 40 | A |
| Disipación de poder del colector (Tc = 25°C) | PC | 130 | W |
| Temperatura de empalme | Tj | 150 | °C |
| Gama de temperaturas de almacenamiento | Tstg | −55~150 | °C |
Co ltd del tehcnology de la electrónica de la tienda de
delicatessen
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Teléfono: 86-755-82539981
Canal N bipolar aislado módulo del silicio del transistor de la puerta del tiristor GT20J101
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