Transistores 60V 10A 50W de D45H8 NPN PNP a través del agujero al alto rendimiento 220AB
Número de modelo:D45H8
Lugar del origen:China
Cantidad de orden mínima:10 piezas
Condiciones de pago:T/T, Western Union, FIDEICOMISO
Capacidad de la fuente:5000pcs
Plazo de expedición:Archivo
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Evaluación de proveedor
Shenzhen Guangdong China
Dirección:
FORTUNA del RM 311 3/F LINZHAN QUE CONSTRUYE EL ÁREA SHENZHEN, CHINA del CAMINO LIUYUE LONGGANG de la CALLE SHENFENG de No.1 SHENHUA
Proveedor Último login veces:
Dentro de 41 Horas
Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
Transistor bipolar PNP 60V 10A 50W de los transistores de D45H8 NPN PNP (BJT) a través del agujero TO-220AB
Transistores de poder complementarios
Características
Voltaje de saturación bajo del colector-emisor del ■
Velocidad de transferencia rápida del ■
Usos
Amplificador de potencia del ■
Circuitos de la transferencia del ■
Descripción
Los dispositivos se fabrican en tecnología planar epitaxial multi de la baja tensión. Se piensan para los usos lineares y de la transferencia de fines generales
| Cualidades de producto | Seleccione todos |
| Categorías | Productos de semiconductor discretos |
| Los transistores - bipolares (BJT) - escogen | |
| Fabricante | STMicroelectronics |
| Serie | - |
| Empaquetado | Tubo |
| Situación de la parte | Obsoleto |
| Tipo del transistor | PNP |
| Actual - colector (Ic) (máximo) | 10A |
| Voltaje - avería del emisor del colector (máxima) | 60V |
| Saturación de Vce (máxima) @ Ib, Ic | 1V @ 400mA, 8A |
| Actual - atajo del colector (máximo) | 10µA |
| Aumento actual de DC (hFE) (minuto) @ Ic, Vce | 40 @ 4A, 1V |
| Poder - máximo | 50W |
| Frecuencia - transición | - |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo del montaje | A través del agujero |
| Paquete/caso | TO-220-3 |
| Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220AB |
Co ltd del tehcnology de la electrónica de la tienda de
delicatessen
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Transistores 60V 10A 50W de D45H8 NPN PNP a través del agujero al alto rendimiento 220AB
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