Soporte de la superficie 417mW (TA) del canal 60V 300mA (TA) de los transistores P de BSH201 NPN PNP
Número de modelo:BSH201
Lugar del origen:China
Cantidad de orden mínima:3000 PC
Condiciones de pago:T/T, Western Union, FIDEICOMISO
Capacidad de la fuente:30000PCS
Plazo de expedición:Archivo
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Evaluación de proveedor
Shenzhen Guangdong China
Dirección:
FORTUNA del RM 311 3/F LINZHAN QUE CONSTRUYE EL ÁREA SHENZHEN, CHINA del CAMINO LIUYUE LONGGANG de la CALLE SHENFENG de No.1 SHENHUA
Proveedor Último login veces:
Dentro de 41 Horas
Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
Soporte de la superficie 417mW (TA) del P-canal 60V 300mA (TA) de los transistores de BSH201 NPN PNP
transistor del MOS del modo BSH201 del aumento del P-canal
DATOS DE REFERENCIA RÁPIDA DEL SÍMBOLO DE LAS CARACTERÍSTICAS •
Voltaje bajo del umbral VDS = -60 V • Transferencia rápida •
Compatible llano de la lógica identificación = -0,3 A • Ω
superficial Subminiature del ≤ 2,5 del RDS del paquete del soporte
(ENCENDIDO) (VGS = -10 V)
DESCRIPCIÓN GENERAL QUE FIJA SOT23
P-canal, modo del aumento, nivel de la lógica de la DESCRIPCIÓN del
PIN, transistor de poder del efecto de campo. Este dispositivo
tiene el voltaje del umbral de la puerta del punto bajo 1 y
transferencia extremadamente rápida que le hacen el ideal para 2
usos con pilas de la fuente y la interconexión digital de alta
velocidad. dren 3
El BSH201 se suministra en el paquete subminiature del montaje
superficial SOT23.
| Cualidades de producto | Seleccione todos |
| Categorías | Productos de semiconductor discretos |
| Los transistores - FETs, MOSFETs - escogen | |
| Fabricante | Nexperia los USA Inc. |
| Serie | - |
| Empaquetado | Cinta y carrete (TR) |
| Situación de la parte | Activo |
| Tipo del FET | P-canal |
| Tecnología | MOSFET (óxido de metal) |
| Drene al voltaje de la fuente (Vdss) | 60V |
| Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C | 300mA (TA) |
| Conduzca el voltaje (Rds máximo encendido, el minuto el Rds encendido) | 4.5V, 10V |
| Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs | 2,5 ohmios @ 160mA, 10V |
| Identificación de Vgs (th) (máximo) @ | 1V @ 1mA (minuto) |
| Bloquee la carga (Qg) (máximo) @ Vgs | 3nC @ 10V |
| Vgs (máximo) | ±20V |
| Capacitancia (Ciss) (máximo) @ Vds de la entrada | 70pF @ 48V |
| Característica del FET | - |
| Disipación de poder (máxima) | 417mW (TA) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo del montaje | Soporte superficial |
| Paquete del dispositivo del proveedor | TO-236AB |
Co ltd del tehcnology de la electrónica de la tienda de
delicatessen
www.icmemorychip.com
Correo electrónico: sales@deli-ic.com
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Teléfono: 86-0755-82539981
Soporte de la superficie 417mW (TA) del canal 60V 300mA (TA) de los transistores P de BSH201 NPN PNP
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