Voltaje de saturación bajo material del colector del silicio de los transistores de 2SD1899 NPN PNP
Número de modelo:2SD1899
Lugar del origen:Japón
Cantidad de orden mínima:10 piezas
Condiciones de pago:T/T, Western Union, FIDEICOMISO
Capacidad de la fuente:10000PCS
Plazo de expedición:Archivo
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Evaluación de proveedor
Shenzhen Guangdong China
Dirección:
FORTUNA del RM 311 3/F LINZHAN QUE CONSTRUYE EL ÁREA SHENZHEN, CHINA del CAMINO LIUYUE LONGGANG de la CALLE SHENFENG de No.1 SHENHUA
Proveedor Último login veces:
Dentro de 41 Horas
Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
Silicio NPN PowerTransistor de los transistores de 2SD1899 NPN PNP
DESCRIPCIÓN
·Voltaje de saturación bajo del colector
·avalancha 100% probada
·Variaciones mínimas de la Porción-a-porción para el funcionamiento robusto del dispositivo y la operación confiable
USOS
·Altos usos de la frecuencia de la transición
Especificaciones
Categoría: BJT - fines generales
Fabricante: TECNOLOGÍA DE RENESAS
Corriente de colector (DC): 3 (A)
Voltaje de la Colector-base: 60 (V)
Voltaje del Colector-emisor: 60 (V)
Voltaje de la Emisor-base: 7 (V)
Frecuencia: 120 (megaciclo)
Disipación de poder: 2 (W)
Montaje: Soporte superficial
Gama de funcionamiento de los temporeros: -55C a 150C
Tipo del paquete: TO-252
Cuenta de Pin: 2 +Tab
Número de elementos: 1
Clasificación de la temperatura de funcionamiento: Militar
Categoría: Poder bipolar
Rad endurecido: No
Polaridad del transistor: NPN
De potencia de salida: No requerido (W)
Configuración: Solo
Aumento actual de DC: 60@0.2A @2V/50@2A @2V
Co ltd del tehcnology de la electrónica de la tienda de
delicatessen
www.icmemorychip.com
Correo electrónico: sales@deli-ic.com
Skype: hksunny3
Teléfono: 86-0755-82539981
Voltaje de saturación bajo material del colector del silicio de los transistores de 2SD1899 NPN PNP
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