Canal N de fines generales del diodo de rectificador IRF3205 a través del agujero a 220AB
Número de modelo:IRF3205
Lugar del origen:China
Cantidad de orden mínima:10 piezas
Condiciones de pago:T/T, Western Union, FIDEICOMISO
Capacidad de la fuente:20000pcs
Plazo de expedición:Archivo
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Evaluación de proveedor
Shenzhen Guangdong China
Dirección:
FORTUNA del RM 311 3/F LINZHAN QUE CONSTRUYE EL ÁREA SHENZHEN, CHINA del CAMINO LIUYUE LONGGANG de la CALLE SHENFENG de No.1 SHENHUA
Proveedor Último login veces:
Dentro de 41 Horas
Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
Canal N de fines generales 55V 110A (Tc) 200W (Tc) del diodo de rectificador IRF3205 a través del agujero TO-220AB
¿? ¿Tecnología de proceso avanzada?
¿En-resistencia ultrabaja?
¿Grado dinámico de dv/dt?
¿temperatura de funcionamiento 175°C?
¿Transferencia rápida?
Completamente avalancha clasificada
Descripción
Los MOSFETs avanzados del poder de HEXFET® del rectificador
internacional utilizan técnicas de proceso avanzadas para alcanzar
extremadamente - en-resistencia baja por área del silicio. Esta
ventaja, combinada con la velocidad que cambia rápida y el diseño
construido sólidamente del dispositivo para los cuales los MOSFETs
del poder de HEXFET son bien sabido, provee del diseñador un
dispositivo extremadamente eficiente y confiable para el uso en una
amplia variedad de usos.
El paquete TO-220 se prefiere universal para todos los usos
comercial-industriales en los niveles de la disipación de poder a
aproximadamente 50 vatios. La resistencia termal baja y el coste
bajo del paquete del TO-220 contribuyen a su aceptación amplia en
la industria.
| Cualidades de producto | Seleccione todo |
| Categorías | Productos de semiconductor discretos |
| Transistores - FETs, MOSFETs - solos | |
| Fabricante | Infineon Technologies |
| Serie | HEXFET® |
| Empaquetado | Tubo |
| Situación de la parte | Activo |
| Tipo del FET | Canal N |
| Tecnología | MOSFET (óxido de metal) |
| Drene al voltaje de la fuente (Vdss) | 55V |
| Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C | 110A (Tc) |
| Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs | 8 mOhm @ 62A, 10V |
| Identificación de Vgs (th) (máximo) @ | 4V @ 250µA |
| Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs | 146nC @ 10V |
| Vgs (máximo) | ±20V |
| Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds | 3247pF @ 25V |
| Característica del FET | - |
| Disipación de poder (máxima) | 200W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montaje del tipo | A través del agujero |
| Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220AB |
| Paquete/caso | TO-220-3 |
Co ltd del tehcnology de la electrónica de la tienda de
delicatessen
www.icmemorychip.com
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Skype: hkdeli881
Teléfono: 86-0755-82539981
Canal N de fines generales del diodo de rectificador IRF3205 a través del agujero a 220AB
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