Chasis del módulo de poder de BSM50GP120 IGBT/tipo del canal N del soporte 1200V 50A del tornillo

Número de modelo:BSM50GP120
Lugar del origen:Alemania
Cantidad de orden mínima:1 PC
Condiciones de pago:T/T, Western Union, FIDEICOMISO
Capacidad de la fuente:100PCS
Plazo de expedición:Archivo
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Evaluación de proveedor
Shenzhen Guangdong China
Dirección: FORTUNA del RM 311 3/F LINZHAN QUE CONSTRUYE EL ÁREA SHENZHEN, CHINA del CAMINO LIUYUE LONGGANG de la CALLE SHENFENG de No.1 SHENHUA
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Detalles del producto Perfil de la compañía
Detalles del producto

Los chasis del módulo de BSM50GP120 IGBT montan el MÓDULO 1200V 50A del módulo IGBT

 

Nom 360W 24-Pin EconoPIM3 122x62m m del módulo N-CH 1.2kV 50A del transporte IGBT

 

 

Valor 
Tipo de canalN
ConfiguraciónHex.
Voltaje máximo del emisor del colector1200 V
Corriente de colector continua máxima80 A
Voltaje máximo del emisor de la puerta±20 V
MontajeSoporte del tornillo
Cuenta de Pin24
Dimensiones del producto122 x 62 x 17 milímetros
Paquete del proveedorEconoPIM3

 

Descripción1. IGBT es una integración funcional de los dispositivos del MOSFET y de BJT del poder en forma monolítica
2. IGBT combina las mejores cualidades de ambos para alcanzar características óptimas del dispositivo. Cada módulo consiste en dos que IGBTs en una configuración del semipuente con cada transistor que tiene una recuperación ultrarrápida reverso-conectada anda sin embragar el diodo.
3. Todo el componentsand interconecta se aísla de la placa de base de hundimiento del calor, ofreciendo el montaje de sistema simplificado.
Característica1). Cuadrado RBSOA
2). Voltaje de saturación bajo
3). Función de limitación de la sobreintensidad de corriente (~3 veces valoraron la corriente)
4). IGBT es dispositivo de semiconductor del poder del tres-terminal
5). Operación de alta frecuencia
Uso1). La CA conduce el inversor
2). Servocontrol
3). UPS, sistema de alimentación ininterrumpida

4). Fuentes de alimentación de la soldadura

 

 

 

 

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