La oblea piezoeléctrica de LiNbO3 LiTaO3 para el semiconductor POI y MEMS modificó para requisitos particulares

Number modelo:CR2202241-04
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Oblea piezoeléctrica modificada para requisitos particulares de LiNbO3 LiTaO3 para el semiconductor POI y MEMS
 
Crystro puede modificar las obleas para requisitos particulares piezoeléctricas acústicas superficiales incluyendo:

El niobato del litio, el tantalato del litio, el cristal de cuarzo como orientación que corta reuqired y el tamaño, nuestros cristales del efecto piezoeléctrico son crecidos por el método de Czochralski. El alcance máximo 6inch del diámetro, podemos tamaño de encargo y espec., diámetro<0> 3" 4" 6" del rougness las obleas están todas disponibles según el requisito.


Crystro posee el equipo de marcado del Profiler, del laser de Corning Flatmaster 200, AOI y la línea de la limpieza de 6 pasos.

 

Crystro proporciona:

 

Propiedad fotoeléctrica excelente
Alto umbral de daño
Alta temperatura de curie

 


Propiedades básicas de LiTaO3:

 

MaterialNiobato del litioTantalato del litioCristal de cuarzo
Diámetro/tamaño3' ‘, 4" ‘, 6" ‘, 8" ‘3' ‘, 4" ‘, 6" ‘3' ‘, 4" ‘, 5" ‘, 6" ‘, 8" ‘
Tipo cortadoX / Y/ZX / Y-Z/X-112YX / Y/Z
36Y/64Y/128Y28Y/36Y/42YEN/ST/DESPEGUE
Final superficialPulimento lateral doble/solo pulimento lateral
Grueso0.25m m/0.35m m/0.50m m/1.00m m/2.00m m
TTV< 5um="">
PLTV>el 98% (5mm*5m m)
LTV< 1="">
Arco-25um < Bow="">
Deformación< 30um="">
AsperezaRa<0>
Temporeros del curie.1142℃ ± 2℃605℃ ± 2℃573℃
Perfil del bordeTierra redonda, forma de “C”
Planos22±2m m, 32.5±2m m, 47.5±2m m, 57.5±2m m, hacen muescas en
Según la petición
Dope conEr, MgOFEcon o sin la semilla
Front SideRa de la aspereza<>
Lado traseroRa de la aspereza: 0,2--0.7um GC#1000, GC#2000
AspectoNingunas grietas, vieron las marcas, manchas
Solo DomianPolarización terminada/reducidoNinguna tensión


 

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La oblea piezoeléctrica de LiNbO3 LiTaO3 para el semiconductor POI y MEMS modificó para requisitos particulares

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