Interruptor lateral del Mosfet 450mA/850mA de la tecnología de JUYI alto, conductor compatible del Mosfet de Bldc de la lógica 3.3V
Número de modelo:JY21L
Cantidad de orden mínima:1 set
Detalles de empaquetado:Cartón del PE bag+
Lugar del origen:China
Plazo de expedición:5-10 días
Condiciones de pago:T/T, L/C, Paypal
Contacta
Add to Cart
Evaluación de proveedor
Shanghai Shanghai China
Dirección:
No. 1, carril 1199, camino yunping, distrito jiading, Shangai, China
Proveedor Último login veces:
Dentro de 38 Horas
Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
Conductor del lado del cielo y tierra de JY21L, alto voltaje, conductor de alta velocidad del MOSFET del poder y de IGBT basados en proceso de P-SUB P-EPI.
Descripción general
El producto es un conductor de alto voltaje, de alta velocidad del
MOSFET del poder y de IGBT basado encendido
Proceso de P-SUB P-EPI. El conductor del canal de flotación se
puede utilizar para conducir el canal N dos
accione el MOSFET o IGBT independientemente que actúan hasta 150V.
Las entradas de la lógica son
compatible con salida estándar del Cmos o de LSTTL, abajo a la
lógica 3.3V. La salida
los conductores ofrecen una etapa de almacenador intermediario
actual del alto pulso diseñada para la cruz mínima del conductor
conducción. Los retrasos de propagación se hacen juego para
simplificar uso en de alta frecuencia
usos.
Características
lógica del ● 3.3V compatible
● completamente - operativo a +150V
Canal de flotación del ● diseñado para la operación del tirante
Gama de la fuente de la impulsión de la puerta del ● de 5.5V a 20V
El ● hizo salir la capacidad actual 450mA/850mA de la fuente/del
fregadero
Entrada independiente de la lógica del ● para acomodar todas las
topologías
negativa del ● -5V contra capacidad
Retraso de propagación hecho juego ● para ambos canales
Usos
Conductor del MOSFET o de IGBT del poder del ●
Conductor pequeño y de potencia media del ● del motor
Descripción del Pin
| Número pin | Nombre de Pin | Función del Pin |
| 1 | VCC | Fuente del lado bajo y de alimentación principal |
| 2 | HIN | Lógica entrada para el alto conductor lateral de la puerta hecho salir (HO) |
| 3 | LIN | La lógica entró para el conductor lateral bajo de la puerta hecho salir (LO) |
| 4 | COM | Tierra |
| 5 | LO | Salida lateral baja de la impulsión de la puerta, en fase con LIN |
| 6 | CONTRA | Vuelta flotante de la fuente del alto lado o vuelta del tirante |
| 7 | HO | Alta salida lateral de la impulsión de la puerta, en fase con HIN |
| 8 | VB | Fuente flotante del alto lado |
Grados máximos absolutos
| Símbolo | Definición | MÍNIMO. | MÁXIMO. | Unidades |
| VB | Fuente flotante del alto lado | -0,3 | 150 | V |
| CONTRA | Vuelta flotante de la fuente del alto lado | VB-20 | VB +0,3 | |
| VHO | Alta salida lateral de la impulsión de la puerta | VS-0.3 | VB +0,3 | |
| VCC | Fuente del lado bajo y de alimentación principal | -0,3 | 25 | |
| VLO | Salida lateral baja de la impulsión de la puerta | -0,3 | VCC +0,3 | |
| VIN | Entrada de la lógica de HIN&LIN | -0,3 | VCC +0,3 | |
| ESD | Modelo de HBM | 2500 | V | |
| Modelo de máquina | 200 | V | ||
| Paladio | Disipación de poder del paquete @TA≤25ºC | — | 0,63 | W |
| RthJA | Empalme de la resistencia termal a ambiente | — | 200 | ºC/W |
| TJ | Temperatura de empalme | — | 150 | ºC |
| TS | Temperatura de almacenamiento | -55 | 150 | |
| TL | Temperatura de la ventaja | — | 300 |
Nota: Exceder estos grados puede dañar el dispositivo
MANUAL DEL USUARIO DE LA TRANSFERENCIA DIRECTA JY21L
Interruptor lateral del Mosfet 450mA/850mA de la tecnología de JUYI alto, conductor compatible del Mosfet de Bldc de la lógica 3.3V
Carro de la investigación
0