Transistor D2PAK del silicio de Hauni Max Super Slim Advanced Process
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Transistor D2PAK del silicio de Hauni Max Super Slim Advanced Process
Un transistor es un dispositivo de semiconductor usado para amplificar o para cambiar señales electrónicas y corriente eléctrica. Los transistores son una de las unidades de creación básicas de electrónica moderna. Se compone del material del semiconductor generalmente con por lo menos tres terminales para la conexión a un circuito externo.
Radio de coche del Todo-transistor
La primera radio de coche del todo-transistor de la “producción” fue desarrollada por Chrysler y las sociedades y Philco fueron anunciados en la edición del 28 de abril de 1955 de Wall Street Journal. Chrysler había hecho la radio de coche del todo-transistor, Mopar 914HR, disponible modelo como opción que comenzaba en la caída 1955 para su nueva línea de Chrysler 1956 y de coches imperiales que primero golpeó los pisos de la sala de exposición de la representación el 21 de octubre de 1955.
Transistor del Punto-contacto
En 1948, el transistor del punto-contacto fue inventado independientemente por los físicos alemanes Herbert Mataré y Heinrich Welker mientras que trabajaba en el DES Freins y Signaux Westinghouse, una filial de Compagnie de Westinghouse situada en París. Mataré tenía experiencia anterior en rectificadores cristalinos que se convertían del silicio y del germanio en el esfuerzo alemán del radar durante la Segunda Guerra Mundial. Usando este conocimiento, él comenzó a investigar el fenómeno de “interferencia” en 1947.
IRFZ44NS/LPbF
| Parámetro | Mínimo. | |
| V (BR) DSS | Voltaje de avería de la Dren-a-fuente | 55 |
| △仏 Tj de V (BR) DSS | Temporeros del voltaje de avería. Coeficiente | — |
| RDS (encendido) | En-resistencia estática de la Dren-a-fuente | — |
| VGS (th) | Voltaje del umbral de la puerta | 2,0 |
| gts | Transconductancia delantera | 19 |
| bss | Corriente de la salida de la Dren-a-fuente | — |
| — | ||
| pérdida | Salida delantera de la Puerta-a-fuente | — |
| Salida reversa de la Puerta-a-fuente | — | |
| Qg | Carga total de la puerta | — |
| Qgs | Carga de la Puerta-a-fuente | — |
| Qgd | Carga del Puerta-a-dren (“Miller”) | — |
| TD (encendido) | Tiempo de retraso de abertura | — |
| tr | Tiempo de subida | — |
| TD (apagado) | Tiempo de retraso de la vuelta-Apagado | — |
| tf | Tiempo de caída | — |
| Ls | Inductancia interna de la fuente | — |
| Cjss | Capacitancia entrada | — |
| Coss | Capacitancia de salida | — |
| Crss | Capacitancia reversa de la transferencia | — |
| Eas | Sola avalancha Energy® del pulso | — |
Transistor D2PAK del silicio de Hauni Max Super Slim Advanced Process
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