808nm microprocesador desnudo de potencia de salida del diodo láser de la longitud de onda 500mW
Brand Name:HTOE
Model Number:CLDM-0808-0500-02
Minimum Order Quantity:100 pcs
Delivery Time:15-30 working days
Payment Terms:T/T
Place of Origin:Beijing, China
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Beijing Beijing China
Dirección:
Shahe Industrial Park, Changping District, Beijing, China
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vatio de los 500m, emisor desmontado de 808 nanómetro solo, diodo láser desmontado
Los lasers del semiconductor son la pieza central la mayor parte de los sistemas industriales de hoy del laser. Si el tratamiento de materiales directo o el bombeo óptico de láseres de estado sólido, los lasers de la fibra o los lasers del disco, los solos emisores desmontados y las barras es el componente clave para la conversión inicial de la energía eléctrica en luz.
HTOE se ha estado centrando en la tecnología de la oblea de semiconductor desde 1998, entrega el poder más elevado con varios modos de funcionamiento en las longitudes de onda entre 635 y 1064nm.
- Barras desmontadas con varios modos de funcionamiento del poder más elevado hasta salida de 40W CW y de 200W QCW;
- Solos emisores desmontados hasta poder de 2W CW;
- Las longitudes de onda disponibles incluyen 635nm, 650nm, 808nm, 980nm y 1064nm.
Parámetros (25℃)
| Parámetro | Unidad | CLDM-0808-0500-02 | |
|---|---|---|---|
| Parámetro óptico | P de potencia de salidao | mW | 500 |
| Λ de centrocde la longitud de onda | nanómetro | 808 ± 5 | |
| ⊥×θ∥ del θ de la divergencia del haz | grado | 38x10 | |
| BACALAO | W | ≥ 1,00 | |
| Geométrico | Anchura del emisor | μm | 50 |
| Anchura | μm | 500 | |
| Longitud de la cavidad | μm | 600 | |
| Parámetro eléctrico | Eficacia Esde la cuesta | W/A | ≥ 1,10 |
| Th de la corriente Idel umbral | A | ≤ 0,12 | |
| Corriente de funcionamiento If | A | ≤ 0,6 | |
| Voltaje de funcionamiento Vf | V | ≤ 1,9 | |
Aviso
1. Aviso del artículo: CLDM (modelo) del artículo - 0808 (longitud de onda de centro) - 0500 - 02 (de potencia de salida).
2. La hoja de datos se basa en el resultado de la prueba debajo de 25℃.
3. La hoja de datos se basa en la prueba del paquete del C-soporte.
4. Para más información, entre en contacto con por favor la optoelectrónica de alta tecnología Co., Ltd.
808nm microprocesador desnudo de potencia de salida del diodo láser de la longitud de onda 500mW
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