Alto rendimiento modificado para requisitos particulares del transductor actual de effecto hall para la protección de la retransmisión

Número de modelo:HKC-BS5/BR5
Lugar del origen:China
Cantidad de orden mínima:5000pcs
Detalles de empaquetado:caja de cartón
Plazo de expedición:4~8 semanas
Condiciones de pago:T/T
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Dirección: Plaza comercial, No.8, camino septentrional de Yan TA, Xi'an Shaanxi favorable. China.
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Sensor actual de effecto hall del lazo cerrado de la alta exactitud de la serie HKC-BS5/BR5 para la protección de la retransmisión

 

             El sensor actual de effecto hall desmontable de la serie de HKC-BS 5/BR5 es un dispositivo del lazo abierto basado en el principio de medición del hall effect, con un aislamiento galvánico entre el circuito primario y secundario. Proporciona la medida electrónica exacta de DC, de la CA o de las corrientes pulsadas.

 

Usos: 

  • Fuentes de alimentación para los usos de soldadura
  • Usos suministrados batería
  • Impulsiones de velocidad variable de la CA e impulsiones del motor servo
  • Convertidores estáticos para las impulsiones del motor de DC
  • Fuentes de alimentación cambiadas del modo (SMPS)
  • Fuentes de alimentación ininterrumpidas (UPS)

 

Direcciones para el uso

  • Cuando la corriente será medida pasa a través de un sensor, el voltaje será medido en el extremo de la salida. (Nota: El cableado falso puede dar lugar al daño del sensor)
  • Cree para requisitos particulares en la diversa corriente de entrada clasificada y el voltaje de salida está disponible.

 

DATOS ELÉCTRICOS:

 

HKC50BS5/BR5 HKC100BS5/BR5 HKC200BS5/BR5 HKC300BS5/BR5 HKC400BS5/BR5 HKC500BS5/BR HKC600BS5/BR5

 
Corriente de entrada clasificada50100200300400500600A
Pruebe la gama actual100200400600800900900A
Voltaje de la salida nominalel 0.625±1%V
Voltaje residual ceroel 2.5±0.5%V
Voltaje de fuenteel +5±5%/+12±5%V
Voltaje compensado≤±25milivoltio
Voltaje magnético de la compensación≤±20≤±15milivoltio
Deriva compensada del voltaje≤±2.0≤±1mV/℃
Linearidades≤±1%FS
Tiempo de respuesta≤3μS
Voltaje del aislamiento50HZ, 1min, 2,5Kilovoltio
Temperatura de funcionamiento-40~+85
Temperatura de almacenamiento-40~+105

 

 

 

Notas: Las especificaciones de producto pueden ser modificadas para requisitos particulares

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Alto rendimiento modificado para requisitos particulares del transductor actual de effecto hall para la protección de la retransmisión

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