Laser bajo del microchip del umbral de Lasing para el laser del diodo - láseres de estado sólido bombeados

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El Nd bajo YVO4 del umbral de Lasing para el diodo Laser-bombeó los láseres de estado sólido

 

Descripción de productos:

 

Nd comparado: El cristal del laser de YAG, un coeficiente de absorción de 5 veces más grande en una banda más amplia centrada en 807nm y las propiedades mecánicas favorables hacen el Nd: YVO4 bien adaptado para compacto, eficiente, poder más elevado diodo-bombeó los lasers.

 

La birrefringencia natural del Nd: Los cristales YVO4 dan lugar a una salida altamente polarizada en 1064nm, 1342nm y 914nm. Nd: El cristal del laser YVO4 tiene usos extensos de los sistemas del laser, incluyendo trabajar a máquina, el tratamiento de materiales, la espectroscopia, la inspección de la oblea, las exhibiciones de la luz, los diagnósticos médicos, impresión por láser, etc.

 

Nd: YVO4 es conveniente para el diodo láser que bombea entre los cristales actuales del laser del anuncio publicitario, especialmente para el punto bajo a la densidad de poder media del laser. Bombeado por los diodos láser

 

 

CARACTERÍSTICAS:

 

  • Bombee el ancho de banda alrededor de 808nm, cerca de 5 veces que del Nd: YAG
  • El corte transversal de la emisión estimulada en 1064 nanómetro es 3 veces que del Nd: YAG
  • Umbral de daño de la luz corta, alta eficacia de la cuesta
  • El solo cristal del eje, salida se polariza linear

 

  

 

ESPECIFICACIONES:

 

Llanuraλ/8 en 633nm
Paralelismoarco segundo ≤20
Calidad superficial20-10 rasguño y empuje (MIL-PRF-13830B)
Perpendicularityarcmin ≤5
Tolerancia de la dimensión±0.1mm
Tolerancia de la abertura±0.1mm
Abertura clarael 90% de la abertura llena
Chaflán≤0.2 mmx45°
Microprocesador≤0.1mm

 

 

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