Resistente al electro excelente de DKDP Pockels de la célula del choque ambiente de la temperatura

Lugar del origen:Jinan, China
Cantidad de orden mínima:1-5
Condiciones de pago:Red 30 días
Capacidad de la fuente:Archivo
Plazo de expedición:5-30days sobre cantidad de la orden
Detalles de empaquetado:empaquetando al vacío, caja plástica, cartón
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Jinan Shandong China
Dirección: Sitio 2003d, edificio de Shuntai, distrito Jinan, Shandong, China de Gaoxin
Proveedor Último login veces: Dentro de 48 Horas
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Detalles del producto

Célula de DKDP Pockel resistente al choque de la temperatura ambiente y excelente Electro-para la Q-transferencia de la cavidad del laser

 

Descripción de productos:

 

DKDP electróptico (cristales de KD*P) usados en DKDP (células de KD*P) Pockels tiene capas resistentes de AR del dieléctrico del alto poder del laser. Además, las células de Pockels de la serie tienen ventanas cubiertas AR para el curso de la vida y la protección mejorados en el ambiente menos fácil de usar.

Las células de Pockels se utilizan para cambiar el estado de polarización de la luz con un voltaje aplicado a los electrodos del cristal electróptico tales como DKDP (KD*P).

 

DKDP (las células basadas KD*P) de Pockels se utilizan para los usos de la Q-transferencia de los 400 nanómetro al μm cerca de 1,1. La mayor parte del flashlamp comercial bombeó el Nd: Los lasers de YAG y la repetición baja valoran el Nd de DPSS: Los lasers de YAG se equipan de DKDP (KD*P) basó las células de Pockels para la Q-transferencia de la cavidad del laser.

 

Características de DKDP (células de KD*P) Pockels:

 

  • Tamaño compacto
  • Absorción baja
  • Transmisión a partir del 400 nanómetro a 1100 nanómetro
  • Descuento económicamente valorado y enorme del OEM
  • Soporte técnico magnífico siempre

 

Usos:

 

  • Q-transferencia de la cavidad del laser
  • Descarga de la cavidad
  • Luz del acoplamiento en y de los amplificadores regeneradores

 

ESPECIFICACIONES:

 

Aberturahasta 100x100mm2
LongitudMínimo hasta 1 milímetro, de máximo arriba hasta 40m m
Tolerancia de la dimensión±0.1mm
Nivel de Deuteration>el 98%
Paralelismo20 segundos del arco
Perpendicularity5 minutos del arco
S/D10/5
Llanuraλ/8@633nm
Tolerancia de ángulo (grado)0.25°, 0.25°
Chaflán0.2mmx45°
Microprocesador0.1m m
Umbral de daño óptico>4GW/cm2@1064nm, 20
voltaje λ/4<3>
voltaje λ/2<6>
Gama de longitud de onda300-1100nm
Ratio de la extinción>1200:1
Capacitancia6~10pF@1kHz
Garantía de calidadSegún requisitos de cliente un año bajo uso apropiado.

 

 

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