AR - Célula de capa de KDP Pockels que monta el transporte aéreo con referencia - a servicio de pulido

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Place of Origin:China
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Jinan Shandong China
Dirección: Sitio 2003d, edificio de Shuntai, distrito Jinan, Shandong, China de Gaoxin
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Detalles del producto

AR-capa, montaje y repulimento de las células del servicio DKDP Pockels con tamaño compacto

 

Descripción de productos:

 

KD*P (fosfato de Dideuterium del potasio) es el material más ampliamente utilizado para los usos electrópticos debido a sus propiedades excelentes del E-O. Un material electróptico tal como KD*P puede alterar el estado de polarización de la luz que pasa a través de él, cuando un voltaje aplicado induce el cambio de la birrefringencia en el cristal. Cuando está utilizada conjuntamente con los polarizadores, la célula de los pockels de KD*P puede funcionar como el Q-interruptor óptico para generar pulsos del laser. KD*P se utiliza para los usos del µm ULTRAVIOLETA hasta alrededor 1,1 donde la absorción limita su uso en cavidades activas, aunque pueda ser útil en longitudes de onda más largas cuando el algún por ciento de absorción puede ser tolerado.
 
USO:
  • Sistema industrial del laser
  • Sistema médico del laser
  • Sistema estético del laser
  • Sistema militar del laser
 
VENTAJA:
  • Alto ratio de la extinción
  • Pérdida de inserción baja
  • Alto umbral de daño
  • Gama de temperaturas de trabajo ancha
  • Capacitancia baja
  • Salida de poca intensidad 
  • Descuento económicamente valorado y enorme del OEM
  • AR-capa, montaje y servicio del repulimento
  • Control de calidad estricto
  • Entrega rápida
  • Tamaño compacto
  • Absorción baja
  • Transmisión de 400nm a 1100nm
  • Soporte técnico magnífico siempre

 

ESPECIFICACIONES:

 

Aberturahasta 100x100mm2
LongitudMínimo hasta 1 milímetro, de máximo arriba hasta 40m m
Tolerancia de la dimensión±0.1mm
Nivel de Deuteration>el 98%
Paralelismo20 segundos del arco
Perpendicularity5 minutos del arco
S/D10/5
Llanuraλ/8@633nm
Tolerancia de ángulo (grado)0.25°, 0.25°
Chaflán0.2mmx45°
Microprocesador0.1m m
Umbral de daño óptico>4GW/cm2@1064nm, 20
voltaje λ/4< 3.6KV@1064nm, 20
voltaje λ/2< 6.4KV@1064nm, 20
Gama de longitud de onda300-1100nm
Ratio de la extinción>1200:1
Capacitancia6~10pF@1kHz
Garantía de calidadSegún requisitos de cliente un año bajo uso apropiado.

 

 

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