Wafer de silicio de 8 pulgadas CZ 200 mm Wafer de silicio de grado primario <111>, SSP, DSP Tipo P, B Dopante para material de semiconductor

Lugar de origen:China.
El material:Wafer de silicio de cristal único
Método del crecimiento:Zonas de distribución
orientación:El valor de las emisiones de CO2
La velocidad warp.:30 micras
¿ Qué pasa?:30 micras
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Wafer de silicio de 8 pulgadas CZ 200 mm Wafer de silicio de grado primario < 100>, SSP, DSP tipo P, dopante B, para material semiconductor

 

Introducción del producto: Wafer de silicio de primera calidad de 8 pulgadas (200 mm)

Las obleas de silicio son la piedra angular de la industria de los semiconductores, facilitando la creación de tecnologías de vanguardia que impulsan la innovación moderna.Wafer de silicio de primer grado de 8 pulgadas (200 mm)Representa el pináculo de la excelencia en materiales y fabricación, diseñado específicamente para la fabricación de semiconductores y aplicaciones relacionadas.y calidad de superficie impecable, estas obleas satisfacen las exigentes necesidades de industrias como la producción de microchips, la fabricación de MEMS y los sistemas fotovoltaicos.

Fabricado conProceso de Czochralski (CZ), esta oblea tiene unaOrientación del cristal < 100,Dopaje de tipo P con boro, y opciones para superficies pulidas de un solo lado (SSP) o pulidas de dos lados (DSP).y la contaminación mínima de partículas lo convierten en una opción confiable para las principales fábricas de semiconductores, instituciones de I+D y centros educativos en todo el mundo.

 

Wafer de silicio de 8 pulgadas CZ 200 mm Wafer de silicio de grado primario <111>, SSP, DSP Tipo P, B Dopante para material de semiconductor


1.Especificaciones clave

Especificación Valor
Diámetro Se aplicarán las siguientes medidas:
Método de crecimiento Czochralski (CZ)
- ¿Qué quieres decir? ≤ 30 μm
El uso de la tecnología WARP ≤ 30 μm
Variación total del grosor (TTV) ≤ 5 μm
Las partículas ≤ 50 (≥ 0,16 μm)
Concentración de oxígeno ≤ 18 ppm
Concentración de carbono No más de 1 ppm
Roughness de la superficie (Ra) ≤ 5 Å

Estas especificaciones demuestran la excepcional precisión dimensional, integridad estructural y pureza química de las obleas, esenciales para procesos de fabricación avanzados.


2.Características clave

2.1 Calidad superior

Nuestras obleas de silicio están hechas deSilicio monocristalino virgen nuevo, garantizando una pureza y fiabilidad sin precedentes, lo que garantiza un rendimiento óptimo en todas las etapas de la fabricación de semiconductores.

2.2 Superficie preparada para epi

Cada oblea es pulida para obtener una superficie preparada para epi de alto grado, lo que la hace adecuada para la deposición epitaxial y otros procesos críticos.La superficie ultra-lisera minimiza los defectos y mejora el rendimiento de los procesos aguas abajo.

2.3 Excede las normas de la industria

Nuestras obleas de silicio de 8 pulgadas se encuentran y a menudo excedenLas normas SEMI M1-0302Ello garantiza la compatibilidad con los equipos y técnicas mundiales de fabricación de semiconductores.

2.4 Control de calidad completo

Cada oblea se somete a una inspección y pruebas meticulosas de parámetros como TTV, BOW, WARP, densidad de partículas y uniformidad de resistividad.Este riguroso proceso de garantía de calidad garantiza que las obleas estén libres de defectos y sean fiables para cada aplicación.

2.5 Embalaje seguro

Para evitar la contaminación y el daño físico, las obleas se envasan enCásetes de PP ultralimpios, sellado enLas bolsas antistáticas doblesbajocondiciones de las salas limpias de la clase 100Esto asegura que las obleas lleguen en perfecto estado, listas para su uso inmediato.

2.6 Soluciones rentables

Nuestras obleas tienen un precio competitivo, con descuentos de cantidad disponibles para pedidos a granel, lo que las convierte en una excelente opción tanto para la producción a escala industrial como para proyectos de investigación.

2.7 Certificado de conformidad (COC)

Cada envío incluye un certificado de conformidad, que verifica las especificaciones de las obleas y el cumplimiento de las normas de la industria.Esta documentación proporciona a los clientes tranquilidad respecto a la calidad y autenticidad del producto.


3.Aplicaciones

La versatilidad y el alto rendimiento de la oblea de silicio Prime Grade de 8 pulgadas la hacen adecuada para una amplia gama de aplicaciones:

3.1 Fabricación de semiconductores

  • Producción de microchips y fabricación de circuitos integrados:
    La orientación cristalina y la alta pureza de las obleas son ideales para la fabricación de circuitos integrados, procesadores y chips de memoria, apoyando los avances en computación y telecomunicaciones.

  • Dispositivos semiconductores de potencia:
    Sus propiedades eléctricas estables y defectos mínimos lo convierten en una opción confiable para crear transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) y transistores de efecto de campo de semiconductores de óxido metálico (MOSFET).

3.2 MEMS y sensores

La excepcional planitud y las dimensiones precisas de estas obleas son críticas para la fabricación de dispositivos MEMS, incluidos acelerómetros, giroscopios y sensores de presión.

3.3 Fotónica y optoelectrónica

  • Iluminación LED y diodos láser:
    Las obleas con una rugosidad superficial mínima y bajos niveles de impurezas son cruciales para una emisión de luz eficiente y un rendimiento fiable del dispositivo.
  • Componentes de equipos ópticos:
    Sirven como sustrato para la fabricación de lentes y espejos de alta precisión en sistemas ópticos.

3.4 Aplicaciones fotovoltaicas solares

Con su calidad cristalina superior y sus propiedades eléctricas consistentes, estas obleas se utilizan para producir células fotovoltaicas de alta eficiencia.

3.5 Investigación y desarrollo

Sus especificaciones personalizables y su disponibilidad en cantidades más pequeñas las convierten en una opción preferida para proyectos de I + D en universidades, líneas piloto y laboratorios de innovación.


4.Ventajas de la oblea de silicio de 8 pulgadas

4.1 Pureza y planitud excepcionales

Las obleas presentan niveles ultrabajos de contaminación por oxígeno (≤18 ppma) y carbono (≤1 ppma), lo que garantiza un mejor rendimiento y fiabilidad del dispositivo.y WARP se mantienen dentro de las tolerancias estrictas para soportar la fotolitografía crítica y los procesos de deposición de película delgada.

4.2 Mejora de la calidad de la superficie

La rugosidad de la superficie (Ra ≤ 5 Å) se optimiza para permitir un crecimiento epitaxial sin fisuras, mejorando los rendimientos y reduciendo los costes de producción en la fabricación de gran volumen.

4.3 Confianza y compatibilidad globales

Estas obleas son ampliamente utilizadas porfábricas de semiconductores, centros de I+D e instituciones académicasEn el mundo, gracias a su compatibilidad con los equipos de procesamiento estándar y las normas internacionales de calidad.

4.4 Personalización versátil

Desde los ajustes de resistividad hasta la deposición de la capa de óxido, estas obleas se pueden adaptar para satisfacer los requisitos específicos del cliente, lo que garantiza su idoneidad para un amplio espectro de aplicaciones.


5.Proceso de fabricación

ElProceso de Czochralski (CZ)Este método avanzado asegura la creación de una estructura de red cristalina uniforme con mínimos defectos.Las obleas están cortadas.El producto final es el epítome de la ingeniería de precisión, ofreciendo un rendimiento excepcional en diversas aplicaciones.


6.Compromiso con el medio ambiente

Nuestros procesos de fabricación están diseñados para minimizar el impacto ambiental.RoHSEste compromiso garantiza que nuestros productos cumplan con los objetivos de rendimiento y sostenibilidad.


7.Conclusión

ElWafer de silicio de primer grado de 8 pulgadas (200 mm)Es un ejemplo de excelencia en la ciencia de materiales y la fabricación de semiconductores.Las propiedades excepcionales de la superficie lo convierten en un componente vital para el desarrollo de tecnologías avanzadas..

Con su versatilidad, fiabilidad y cumplimiento de los estándares de la industria, esta oblea es una opción confiable para aplicaciones que van desde la producción de semiconductores hasta la creación de prototipos de I + D.Si está fabricando chips de próxima generación, la creación de dispositivos MEMS, o la exploración de nuevos horizontes en fotónica, estas obleas proporcionan la base para el éxito.

Al elegir nuestras obleas de silicio de 8 pulgadas, estás invirtiendo en un producto que combina superioridad técnica, confianza global,y precios competitivos, una combinación verdaderamente inmejorable en la industria de los semiconductores.

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