

Add to Cart
Wafer de silicio de 8 pulgadas CZ 200 mm Wafer de silicio de grado primario < 100>, SSP, DSP tipo P, dopante B, para material semiconductor
Las obleas de silicio son la piedra angular de la industria de los semiconductores, facilitando la creación de tecnologías de vanguardia que impulsan la innovación moderna.Wafer de silicio de primer grado de 8 pulgadas (200 mm)Representa el pináculo de la excelencia en materiales y fabricación, diseñado específicamente para la fabricación de semiconductores y aplicaciones relacionadas.y calidad de superficie impecable, estas obleas satisfacen las exigentes necesidades de industrias como la producción de microchips, la fabricación de MEMS y los sistemas fotovoltaicos.
Fabricado conProceso de Czochralski (CZ), esta oblea tiene unaOrientación del cristal < 100,Dopaje de tipo P con boro, y opciones para superficies pulidas de un solo lado (SSP) o pulidas de dos lados (DSP).y la contaminación mínima de partículas lo convierten en una opción confiable para las principales fábricas de semiconductores, instituciones de I+D y centros educativos en todo el mundo.
Especificación | Valor |
---|---|
Diámetro | Se aplicarán las siguientes medidas: |
Método de crecimiento | Czochralski (CZ) |
- ¿Qué quieres decir? | ≤ 30 μm |
El uso de la tecnología WARP | ≤ 30 μm |
Variación total del grosor (TTV) | ≤ 5 μm |
Las partículas | ≤ 50 (≥ 0,16 μm) |
Concentración de oxígeno | ≤ 18 ppm |
Concentración de carbono | No más de 1 ppm |
Roughness de la superficie (Ra) | ≤ 5 Å |
Estas especificaciones demuestran la excepcional precisión dimensional, integridad estructural y pureza química de las obleas, esenciales para procesos de fabricación avanzados.
Nuestras obleas de silicio están hechas deSilicio monocristalino virgen nuevo, garantizando una pureza y fiabilidad sin precedentes, lo que garantiza un rendimiento óptimo en todas las etapas de la fabricación de semiconductores.
Cada oblea es pulida para obtener una superficie preparada para epi de alto grado, lo que la hace adecuada para la deposición epitaxial y otros procesos críticos.La superficie ultra-lisera minimiza los defectos y mejora el rendimiento de los procesos aguas abajo.
Nuestras obleas de silicio de 8 pulgadas se encuentran y a menudo excedenLas normas SEMI M1-0302Ello garantiza la compatibilidad con los equipos y técnicas mundiales de fabricación de semiconductores.
Cada oblea se somete a una inspección y pruebas meticulosas de parámetros como TTV, BOW, WARP, densidad de partículas y uniformidad de resistividad.Este riguroso proceso de garantía de calidad garantiza que las obleas estén libres de defectos y sean fiables para cada aplicación.
Para evitar la contaminación y el daño físico, las obleas se envasan enCásetes de PP ultralimpios, sellado enLas bolsas antistáticas doblesbajocondiciones de las salas limpias de la clase 100Esto asegura que las obleas lleguen en perfecto estado, listas para su uso inmediato.
Nuestras obleas tienen un precio competitivo, con descuentos de cantidad disponibles para pedidos a granel, lo que las convierte en una excelente opción tanto para la producción a escala industrial como para proyectos de investigación.
Cada envío incluye un certificado de conformidad, que verifica las especificaciones de las obleas y el cumplimiento de las normas de la industria.Esta documentación proporciona a los clientes tranquilidad respecto a la calidad y autenticidad del producto.
La versatilidad y el alto rendimiento de la oblea de silicio Prime Grade de 8 pulgadas la hacen adecuada para una amplia gama de aplicaciones:
Producción de microchips y fabricación de circuitos integrados:
La orientación cristalina y la alta pureza de las obleas son ideales para la fabricación de circuitos integrados, procesadores y chips de memoria, apoyando los avances en computación y telecomunicaciones.
Dispositivos semiconductores de potencia:
Sus propiedades eléctricas estables y defectos mínimos lo convierten en una opción confiable para crear transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) y transistores de efecto de campo de semiconductores de óxido metálico (MOSFET).
La excepcional planitud y las dimensiones precisas de estas obleas son críticas para la fabricación de dispositivos MEMS, incluidos acelerómetros, giroscopios y sensores de presión.
Con su calidad cristalina superior y sus propiedades eléctricas consistentes, estas obleas se utilizan para producir células fotovoltaicas de alta eficiencia.
Sus especificaciones personalizables y su disponibilidad en cantidades más pequeñas las convierten en una opción preferida para proyectos de I + D en universidades, líneas piloto y laboratorios de innovación.
Las obleas presentan niveles ultrabajos de contaminación por oxígeno (≤18 ppma) y carbono (≤1 ppma), lo que garantiza un mejor rendimiento y fiabilidad del dispositivo.y WARP se mantienen dentro de las tolerancias estrictas para soportar la fotolitografía crítica y los procesos de deposición de película delgada.
La rugosidad de la superficie (Ra ≤ 5 Å) se optimiza para permitir un crecimiento epitaxial sin fisuras, mejorando los rendimientos y reduciendo los costes de producción en la fabricación de gran volumen.
Estas obleas son ampliamente utilizadas porfábricas de semiconductores, centros de I+D e instituciones académicasEn el mundo, gracias a su compatibilidad con los equipos de procesamiento estándar y las normas internacionales de calidad.
Desde los ajustes de resistividad hasta la deposición de la capa de óxido, estas obleas se pueden adaptar para satisfacer los requisitos específicos del cliente, lo que garantiza su idoneidad para un amplio espectro de aplicaciones.
ElProceso de Czochralski (CZ)Este método avanzado asegura la creación de una estructura de red cristalina uniforme con mínimos defectos.Las obleas están cortadas.El producto final es el epítome de la ingeniería de precisión, ofreciendo un rendimiento excepcional en diversas aplicaciones.
Nuestros procesos de fabricación están diseñados para minimizar el impacto ambiental.RoHSEste compromiso garantiza que nuestros productos cumplan con los objetivos de rendimiento y sostenibilidad.
ElWafer de silicio de primer grado de 8 pulgadas (200 mm)Es un ejemplo de excelencia en la ciencia de materiales y la fabricación de semiconductores.Las propiedades excepcionales de la superficie lo convierten en un componente vital para el desarrollo de tecnologías avanzadas..
Con su versatilidad, fiabilidad y cumplimiento de los estándares de la industria, esta oblea es una opción confiable para aplicaciones que van desde la producción de semiconductores hasta la creación de prototipos de I + D.Si está fabricando chips de próxima generación, la creación de dispositivos MEMS, o la exploración de nuevos horizontes en fotónica, estas obleas proporcionan la base para el éxito.
Al elegir nuestras obleas de silicio de 8 pulgadas, estás invirtiendo en un producto que combina superioridad técnica, confianza global,y precios competitivos, una combinación verdaderamente inmejorable en la industria de los semiconductores.