Wafer de 8 pulgadas De espesor de 675 μm a 775 μmP Tipo N Tipo 111 Doble lado pulido / lado único pulido

8 pulgadas de Wafer Si Substrato 111 P Tipo N Tipo para sistemas microelectromecánicos (MEMS) o dispositivos semiconductores de potencia o componentes y sensores ópticos

Descripción del producto: La oblea de silicio de 8 pulgadas con orientación cristalina (111) es un material de cristal único de alta calidad ampliamente utilizado en la fabricación de semiconductores.La orientación cristalina (111) proporciona propiedades eléctricas y mecánicas específicas que son beneficiosas para diversas aplicaciones de alto rendimiento..

Características clave:

• Diámetro:Es de 200 mm.
• Orientación de cristal:(111), que ofrece propiedades superficiales únicas, ideales para ciertos procesos de semiconductores y características del dispositivo.
• Alta pureza:Fabricado con un alto nivel de pureza para garantizar la uniformidad y bajas tasas de defectos, críticos para aplicaciones de semiconductores y microelectrónica.
• Calidad de la superficie:Normalmente pulido o limpiado para cumplir los requisitos de superficie estrictos para la fabricación de dispositivos.

Aplicaciones:

• Dispositivos semiconductores de potencia:La orientación (111) se prefiere en determinados dispositivos de potencia debido a su alto voltaje de ruptura y propiedades térmicas favorables.
• MEMS (sistemas microelectromecánicos):A menudo se utiliza para sensores, actuadores y otros dispositivos a microescala, gracias a su estructura cristalina bien definida.
• Dispositivos optoelectrónicos:Adecuado para aplicaciones en dispositivos emisores de luz y fotodetectores, donde es importante una alta calidad de cristal.
• Celdas solares:El silicio orientado al 111) también se utiliza en células fotovoltaicas de alta eficiencia, que se benefician de una mayor absorción de la luz y movilidad del portador.

Imagen de aplicación de la obletera de Si:

Personalizaciones:

• espesor y resistencia:Estos pueden adaptarse de acuerdo con las especificaciones del cliente para satisfacer los requisitos específicos de la aplicación.
• Tipo de dopaje:El doping de tipo P o N está disponible para ajustar las características eléctricas de las obleas.

Este tipo de obleas de silicio es crucial para una amplia gama de aplicaciones de semiconductores, proporcionando un equilibrio de resistencia mecánica, rendimiento eléctrico y facilidad de procesamiento.