2 pulgadas 4 pulgadas de base GaN LED azul verde cultivado en plano o PPS zafiro MOCVD DSP SSP

2 pulgadas 4 pulgadas GaN en zafiro azul/verde LED Wafer plano o PPS zafiro MOCVD DSP SSP

Descripción de las plaquetas LED azul/verde con GaN en zafiro:

GaN en las obleas de zafiro (GaN/zafiro) se refiere a un material de sustrato compuesto por un sustrato de zafiro con una capa de nitruro de galio (GaN) cultivada en la parte superior.GaN es un material semiconductor que se utiliza para fabricar dispositivos electrónicos de alta potencia y alta frecuencia, como los diodos emisores de luz (LED), los diodos láser y los transistores de alta movilidad electrónica (HEMT).lo que lo convierte en un sustrato adecuado para el crecimiento de GaNLas obleas de GaN en zafiro se utilizan ampliamente en la fabricación de dispositivos optoelectrónicos, dispositivos de microondas y ondas milimétricas y dispositivos electrónicos de alta potencia.

Estructura de las plaquetas LED azul/verde con GaN en zafiro:

Estructura y composición:

Nitruro de galio (GaN) Capa epitaxial:

Película delgada de cristal único: la capa de GaN es una película delgada de cristal único, que garantiza una alta pureza y una excelente calidad cristalina.el aumento del rendimiento de los dispositivos fabricados con estas plantillas,.
Características del material: GaN es conocido por su amplio intervalo de banda (3,4 eV), alta movilidad electrónica y alta conductividad térmica.Estas propiedades lo hacen muy adecuado para aplicaciones de alta potencia y alta frecuencia, así como los dispositivos que operan en ambientes adversos.

Substrato de zafiro:

Resistencia mecánica: El zafiro (Al2O3) es un material robusto con una resistencia mecánica excepcional, que proporciona una base estable y duradera para la capa de GaN.
Estabilidad térmica: El zafiro presenta un excelente rendimiento térmico, incluida una alta conductividad térmica y estabilidad térmica.ayuda a disipar el calor generado durante el funcionamiento del dispositivo y mantiene la integridad del dispositivo a altas temperaturas.
Transparencia óptica: La transparencia del zafiro en el rango ultravioleta a infrarrojo lo hace adecuado para aplicaciones optoelectrónicas,con un contenido de aluminio superior a 10%, pero no superior a 10%.

Tipos de plantillas de GaN en Sapphire:

Nitruro de galio de tipo n
Tipo p
Tipo de semi-aislante

Forma de la oblea LED azul/verde con GaN sobre el zafiro:

Imagen de aplicación de una oblea LED azul/verde con GaN sobre zafiro:

Personalización:

Los micro LEDs se consideran una tecnología clave para la plataforma metaverso para permitir pantallas de próxima generación para realidad aumentada (AR), realidad virtual (VR), teléfonos móviles y relojes inteligentes.
Podemos ofrecer GaN basado en Rojo, verde, azul, o UV LED Epitaxial Wafers, así como otros. El sustrato podría ser zafiro, SiC, silicio y bulk GaN Substrate. el tamaño está disponible de 2 pulgadas a 4 pulgadas

Embalaje y envío:

Preguntas frecuentes:

1.P: ¿Por qué está GaN en zafiro?
R: El uso de sustratos de zafiro permite amortiguadores de GaN más delgados y estructuras de epitaxia más simples, debido al crecimiento de mayor calidad, en relación con el material cultivado en silicio.El sustrato de zafiro también es más aislante eléctricamente que el silicio, lo que debería permitir una capacidad de bloqueo de kilovolt.

2.P: ¿Cuáles son las ventajas de GaN LED?
R: Ahorro sustancial de costes energéticos. Los sistemas de iluminación tradicionales, como las bombillas incandescentes o fluorescentes, suelen consumir mucha energía y pueden contribuir al aumento de los gastos energéticos.La iluminación LED basada en GaN es altamente eficiente y consume mucha menos energía mientras proporciona una iluminación superior.

Recomendación del producto:

1. 8 pulgadas de GaN-en-Si Epitaxy Si Substrato RF

2.2 pulgadas 4 pulgadas GaN Gallium Nitride Wafer