

Add to Cart
2 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas 8 pulgadas 12 pulgadas Wafer de Si
Wafer de silicio pulido sin tapón tipo P tipo N tipo semiconductor
La oblea de silicio es un material utilizado para producir
semiconductores, que se pueden encontrar en todo tipo de
dispositivos electrónicos que mejoran la vida de las personas.El
silicio es el segundo elemento más común en el universo.La mayoría
de las personas han tenido la oportunidad de encontrar una oblea de
silicio real en su vida.Este disco súper plano es refinado hasta
una superficie especularAdemás, también está hecho de
irregularidades sutiles de la superficie que lo convierten en el
objeto más plano del mundo.cualidades que son esenciales para
convertirlo en el material de sustrato perfecto para los
semiconductores modernos.
El carácter de las obleas de Si:
Modulo de Young: Aproximadamente 130-185 GPa, lo que indica la
rigidez de la oblea de silicio de 300 mm
Resistencia a la fractura: El silicio tiene una baja resistencia a
la fractura, lo que significa que es propenso a agrietarse bajo
estrés.
Conductividad térmica: alrededor de 149 W/m·K a 300 K, que es
relativamente alta y beneficiosa para disipar el calor generado en
dispositivos electrónicos.
Coeficiente de expansión térmica: Aproximadamente 2,6 x 10^-6 /K,
lo que indica cuánto se expandirá la oblea con los cambios de
temperatura.
Band Gap: El silicio tiene un intervalo de banda indirecto de
aproximadamente 1.1 eV a temperatura ambiente, lo que es adecuado
para crear dispositivos electrónicos como transistores.
Resistividad: varía según el dopaje; el silicio intrínseco tiene
una alta resistividad (~ 10 ^ 3 Ω · cm), mientras que el silicio
dopaje puede tener resistividades que van desde 10 ^ 3 a 10 ^ 3 Ω ·
cm.
Constante dieléctrica: Alrededor de 11,7 a 1 MHz, lo que afecta la
capacitancia de los dispositivos hechos de silicio.
Estabilidad química: El silicio es químicamente estable y
resistente a la mayoría de los ácidos y álcalis a temperatura
ambiente, a excepción del ácido fluorhídrico (HF).
Oxidación: El silicio forma una capa de óxido nativa (SiO2) cuando
se expone al oxígeno a temperaturas elevadas, que se utiliza en la
fabricación de dispositivos semiconductores para aislamiento y
capas protectoras.
Forma de Si- ¿ Qué es eso?
Parámetro/característica | Descripción/especificación |
Tipo de material | Silicio monocristalino |
Purificación | 990,9999% (6N) o más |
Diámetro | 2 pulgadas, 3 pulgadas, 4 pulgadas, 6 pulgadas, 8 pulgadas, 12 pulgadas, etc. |
El grosor | espesor estándar o personalizado según los requisitos del cliente |
Orientación cristalina | El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero, que es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero. |
Orientación Tolerancia | ±0,5° o más de precisión |
Tolerancia de espesor | con una precisión igual o superior a ± 5 μm |
La superficie es plana | ≤ 1 μm o más |
La rugosidad de la superficie | < 0,5 nm RMS o más bajo |
Fotos físicas de Si Wafer:
1Producción de microchips y fabricación de circuitos integrados
2MEMS y sistemas microelectromecánicos
3Fabricación de semiconductores y sensores
4Iluminación LED y creación de diodos láser
5- células y obleas solares y fotovoltaicas
6Componentes de equipos ópticos
7. I+D prototipos y pruebas
Imagen de embalaje de Si- ¿ Qué es eso?
Podemos personalizar el tamaño, el grosor y la forma, incluyendo
los siguientes aspectos:
Orientación de cristal: las orientaciones comunes para las obleas
de silicio de 300 mm incluyen <100>, <110> y
<111>, cada una ofreciendo diferentes propiedades y ventajas
electrónicas para varias aplicaciones.
Dopantes: las obleas de silicio de 300 mm se pueden dopar con
elementos como fósforo (tipo n), boro (tipo p), arsénico y
antimonio para alterar sus propiedades eléctricas.
Concentración de dopaje: puede variar ampliamente según la
aplicación,Desde concentraciones muy bajas (~10^13 átomos/cm^3)
para obleas de alta resistividad hasta concentraciones muy altas
(~10^20 átomos/cm^3) para obleas de baja resistividad.
1.P: ¿Para qué se utiliza una oblea de silicio?
R:En electrónica, una oblea (también llamada una rebanada o
sustrato) es una rebanada delgada de semiconductor, como un silicio
cristalino (c-Si, silicio), utilizado para la fabricación de
circuitos integrados y,en el sector fotovoltaico, para fabricar
células solares.
2P: ¿Cuál es la diferencia entre una oblea de silicio y un chip?
R:Si bien los chips y las obleas se utilizan típicamente
indistintamente en la electrónica, hay algunas diferencias notables
entre los dos.Una de las diferencias clave es que un chip o
circuito integrado es un conjunto de componentes electrónicos,
mientras que una oblea es un trozo delgado de silicio que se
utiliza para la formación de circuitos integrados.
1.6 pulgadas N tipo de wafer de silicio pulido de alta pureza PVD /
CVD recubrimiento
2.8 pulgadas GaN-on-Si Epitaxy Si Substrato 110 111 110 para
reactores MOCVD o aplicación de energía RF