Wafer InP de 2 pulgadas 3 pulgadas 4 pulgadas VGF tipo P tipo N tipo Depant Zn S Fe sin doping Grado primario Grado de prueba

Descripción de la oblea InP:

Las obleas de fosfuro de indio (InP) se preparan a partir de fosfuro de indio, que es un semiconductor binario.Wafer InPofrece una velocidad de electrones superior a la mayoría de los otros semiconductores populares como el silicio.Transistores rápidosEl uso más común de diodos de tunelado de resonancia es el de diodos de diodos de tunelado.Oferta INPse encuentra en dispositivos electrónicos de alta frecuencia y alta potencia.Wafer InPTambién se utiliza ampliamente en la comunicación de fibra óptica de alta velocidad porque el fosfuro de indio emite y detecta longitudes de onda superiores a 1000 nm.Wafer InPLa tecnología 5G también se utiliza como sustrato para láser y fotodiodos en aplicaciones de Datacom y Telecom.Wafer InPEl mercado alcanzará la cumbre.Oferta INPserán las obleas más deseadas para su uso en conexiones de fibra óptica, redes de acceso de anillos de metro, redes de empresas, centros de datos, etc. Estamos ofreciendo un 99,99% puroWafer InPque será más eficiente y eficaz.

1Bandgap: InP tiene una banda estrecha de alrededor de 1,35 eV a temperatura ambiente, lo que lo hace adecuado para aplicaciones en optoelectrónica como fotodetectores, láseres y células solares.
2Alta movilidad de electrones: InP tiene una alta movilidad de electrones en comparación con otros materiales semiconductores,que es beneficioso para dispositivos electrónicos de alta velocidad como transistores de alta frecuencia y circuitos integrados.
3Alta conductividad térmica: InP tiene una conductividad térmica relativamente alta, lo que permite una disipación de calor eficiente en dispositivos electrónicos de alta potencia.
4Propiedades ópticas: Las obleas InP tienen excelentes propiedades ópticas, incluida una alta transparencia en la región infrarroja, lo que las hace ideales para comunicaciones ópticas y aplicaciones de detección.
5Propiedades de bajo ruido: InP presenta características de bajo ruido, por lo que es adecuado para amplificadores y receptores de bajo ruido en sistemas de comunicación.
6Estabilidad química: el InP es químicamente estable, lo que contribuye a su fiabilidad en diversos entornos.
7. Reticulado con InGaAs: InP está combinado con el Arsenuro de Indio Gallio (InGaAs), lo que permite el crecimiento de heterostructuras de alta calidad para dispositivos optoelectrónicos.
8Alta tensión de ruptura: las obleas InP tienen una alta tensión de ruptura, lo que las hace adecuadas para aplicaciones de alta potencia y alta frecuencia.
9Alta velocidad de saturación de electrones: InP exhibe una alta velocidad de saturación de electrones, lo que es beneficioso para dispositivos electrónicos de alta velocidad.
10Dopado: las obleas InP pueden ser dopadas para crear regiones de tipo n y p, lo que permite la fabricación de varios tipos de dispositivos electrónicos y optoelectrónicos.

La forma de la oblea InP:

La foto física de InP Wafer:

1Fotónica:
Láseres y detectores: con su estrecho intervalo de banda (~ 1,35 electrón voltios), InP es adecuado para dispositivos como láseres y detectores en aplicaciones fotónicas.
Comunicación óptica: las obleas InP desempeñan un papel crucial en los sistemas de comunicación óptica, utilizados en componentes como láseres y moduladores para fibra óptica.
2. Dispositivos semiconductores:
Transistores de alta velocidad: La alta movilidad de electrones de InP lo convierte en un material ideal para la fabricación de transistores de alta velocidad.
Células solares: las obleas InP muestran un buen rendimiento en las células solares, lo que permite una conversión fotovoltaica eficiente.
3- Dispositivos de microondas y RF:
Circuitos integrados de microondas (MIC): las obleas InP se utilizan en la fabricación de circuitos integrados de microondas y RF, proporcionando respuesta y rendimiento de alta frecuencia.
Amplificadores de bajo ruido: las obleas InP encuentran importantes aplicaciones en amplificadores de bajo ruido en sistemas de comunicación.
4. Dispositivos fotovoltaicos:
Células fotovoltaicas: las obleas InP se utilizan en la fabricación de células fotovoltaicas de alta eficiencia para sistemas de energía solar.
5Tecnología de sensores:
Sensores ópticos: las obleas InP tienen potencial en aplicaciones de sensores ópticos, utilizadas en diversas tecnologías de sensores y sistemas de imágenes.
6Circuitos integrados:
Circuitos integrados optoelectrónicos: las obleas InP se utilizan en la fabricación de circuitos integrados optoelectrónicos para aplicaciones en comunicación óptica y detección.
7Dispositivos ópticos:
Amplificadores de fibra óptica: las obleas InP juegan un papel crítico en los amplificadores de fibra óptica para la amplificación y transmisión de señales en las comunicaciones de fibra óptica.

Las imágenes de aplicación de InP Wafer:

Personalización:

Estos son algunos aspectos de la personalización de las obleas InP:

1Tamaño de la oblea: las oblea InP se pueden personalizar en términos de diámetro (2 pulgadas, 3 pulgadas, 4 pulgadas) y grosor para satisfacer las necesidades específicas de la aplicación.

2Orientación: La orientación de la oblea ((100), (111) A, (111) B) puede especificarse en función de la orientación cristalina deseada para la aplicación prevista.
3Profile de dopaje: se pueden crear perfiles de dopaje personalizados mediante el control de la concentración y distribución de los dopajes (silício,azufre) para lograr las propiedades eléctricas específicas requeridas para la fabricación del dispositivo.
4Calidad de la superficie: La calidad de la superficie de la oblea se puede personalizar para cumplir con las especificaciones de rugosidad requeridas, asegurando un rendimiento óptimo en aplicaciones como optoelectrónica y fotónica.
5. Capas epitaxiales: las obleas InP se pueden personalizar con capas epitaxiales de otros materiales como InGaAs, InAlGaAs o InGaAsP para crear heterostructuras para dispositivos especializados como láseres,Las demás:, y transistores de alta velocidad.
6Revestimientos especializados: las obleas InP pueden ser recubiertas con materiales o películas específicos para mejorar su rendimiento en aplicaciones particulares, como los recubrimientos antirreflejos para dispositivos ópticos.

Preguntas frecuentes:

1P: ¿Qué es un semiconductor InP?
R: El fosfuro de indio (InP) se refiere a un semiconductor binario que consiste en indio (In) y fósforo (P).InP se clasifica en un grupo de materiales que pertenecen a los semiconductores III-V.

2P: ¿Para qué sirve el fosfuro de indio?
R:Los sustratos de fosfuro de indio se utilizan principalmente para el crecimiento de estructuras que contienen aleaciones ternarias (InGaAs) e cuaternarias (InGaAsP), utilizadas para la fabricación de longitudes de onda (1.3 y 1.4).Lasers de diodos de 55 μm, LED y fotodetectores.

3.P: ¿Cuáles son las ventajas de InP?
R: Alta movilidad de electrones: InP exhibe una movilidad de electrones casi diez veces mayor que el silicio, lo que lo hace perfecto para transistores y amplificadores de alta velocidad en sistemas de telecomunicaciones y radar.

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