SiC Wafer Epitaxial Carburo de silicio 4H 4 pulgadas 6 pulgadas Industria de semiconductores de alta resistencia

SiC Wafer Epitaxial Carburo de silicio 4H 4 pulgadas 6 pulgadas Industria de semiconductores de alta resistencia

Descripción de Se trata de una oblea epitaxial de SiC:

La epitaxia de carburo de silicio es un material semiconductor compuesto compuesto de elementos de carbono y silicio (excluyendo los factores de dopaje).La hoja epitaxial de carburo de silicio (SiC) es un material semiconductor importante, ampliamente utilizado en dispositivos electrónicos de alta potencia, alta temperatura y alta frecuencia.El carburo de silicio tiene una banda ancha (aproximadamente 3La conductividad térmica excelente permite una disipación de calor eficaz y es adecuada para aplicaciones de alta potencia.Las técnicas comunes de crecimiento epitaxial incluyen la deposición de vapor químico (CVD) y la epitaxia de haz molecular (MBE)El espesor de la capa epitaxial suele oscilar entre unos pocos micrones y varios cientos de micrones. Se utiliza para fabricar dispositivos electrónicos de potencia (como MOSFET, diodos, etc.),ampliamente utilizado en vehículos eléctricosSe utiliza también en sensores de alta temperatura y dispositivos de RF.Los dispositivos SiC tienen una mayor resistencia al voltaje y una mejor eficienciaCon el crecimiento de los vehículos eléctricos y los mercados de energías renovables, el consumo de energía renovable ha aumentado considerablemente.la demanda de láminas epitaxiales de carburo de silicio sigue aumentando.

Nuestra empresa se especializa en productos epitaxiales homogéneos de carburo de silicio cultivados en sustratos de carburo de silicio, conocidos por su alta tolerancia al voltaje, fuerte resistencia a la corriente,y alta estabilidad operativaEstas características lo convierten en una materia prima crucial para la fabricación de dispositivos de potencia.Las obleas epitaxiales de carburo de silicio sirven como piedra angular para la producción de dispositivos de potencia y son esenciales para optimizar el rendimiento del dispositivo.

El carácter de la oblea epitaxial de SiC:

A. Estructura cristalina

Este politipo tiene una constante de red más pequeña, alta movilidad de electrones y velocidad de electrones de saturación, lo que lo hace ideal para dispositivos de alta frecuencia y alta potencia.El ancho de banda de 4H-SiC es aproximadamente 3.26 eV, proporcionando un rendimiento eléctrico estable a altas temperaturas.

B. Propiedades electrónicas

El ancho de banda del carburo de silicio determina su estabilidad a altas temperaturas y bajo altos campos eléctricos.permitirles mantener un excelente rendimiento eléctrico a temperaturas que alcanzan varios cientos de grados, mientras que el silicio tradicional (Si) tiene una anchura de banda de sólo 1,12 eV.
Velocidad de electrones de saturación: el carburo de silicio tiene una velocidad de electrones de saturación cercana a 2 × 107 cm/s, aproximadamente el doble que el silicio,mejorar aún más su competitividad en aplicaciones de alta frecuencia y alta potencia.

C. Propiedades térmicas

El carburo de silicio presenta una excelente conductividad térmica y un coeficiente de expansión térmica, por lo que funciona excepcionalmente bien en entornos de alta potencia y alta temperatura.
Coeficiente de expansión térmica: El coeficiente de expansión térmica del carburo de silicio es de alrededor de 4.0 × 10−6 /K, similar al silicio.Su funcionamiento estable a altas temperaturas ayuda a reducir el esfuerzo mecánico durante los procesos de ciclo térmico.

D. Propiedades mecánicas

El carburo de silicio es conocido por su dureza, resistencia a la abrasión, excelente estabilidad química y resistencia a la corrosión.
Dureza: El carburo de silicio tiene una dureza de Mohs de 9.5, cercana a la del diamante, proporcionándole una alta resistencia al desgaste y resistencia mecánica.
Estabilidad química y resistencia a la corrosión: la estabilidad del carburo de silicio a altas temperaturas, presiones,y ambientes químicos hostiles lo hace adecuado para dispositivos electrónicos y aplicaciones de sensores en condiciones adversas.

Las especificaciones de la oblea epitaxial de SiC:

Fotos físicas de la oblea epitaxial de SiC:

Imágenes del embalaje de la oblea epitaxial de SiC:

El carburo de silicio (SiC) necesita epitaxia por las siguientes razones:

1Características del material

Los dispositivos de energía de carburo de silicio difieren en los procesos de fabricación de los dispositivos de energía de silicio tradicionales.Las capas epitaxiales de alta calidad deben cultivarse en sustratos de tipo conductor de cristal único., donde se pueden fabricar diversos dispositivos.

2- Mejorar la calidad del material

Los sustratos de carburo de silicio pueden contener defectos como límites de grano, dislocaciones, impurezas, etc., que pueden afectar significativamente el rendimiento y la confiabilidad del dispositivo.El crecimiento epitaxial ayuda a formar una nueva capa de carburo de silicio en el sustrato con una estructura cristalina completa y menos defectos, mejorando así significativamente la calidad del material.

3Control preciso del dopaje y del grosor

El crecimiento epitaxial permite controlar con precisión el tipo y la concentración de dopaje en la capa epitaxial, así como el grosor de la capa epitaxial.Esto es crucial para la fabricación de dispositivos basados en carburo de silicio de alto rendimiento, ya que factores como el tipo y la concentración de dopaje, el grosor de la capa epitaxial, etc., afectan directamente a las propiedades eléctricas, térmicas y mecánicas de los dispositivos.

4Control de las características del material

Al hacer crecer el SiC epitaxialmente en sustratos, se pueden lograr diferentes orientaciones cristalinas del crecimiento del SiC en varios tipos de sustratos (como 4H-SiC, 6H-SiC, etc.),obtención de cristales de SiC con direcciones específicas de la cara del cristal para satisfacer los requisitos de características del material de diferentes campos de aplicación.

5. Eficiencia de los costes

El crecimiento del carburo de silicio es lento, con una tasa de crecimiento de sólo 2 cm por mes, y un horno puede producir alrededor de 400-500 piezas por año.la producción por lotes puede lograrse en procesos de producción a gran escalaEste método es más adecuado para las necesidades de producción industrial en comparación con el corte directo de bloques de SiC.

Aplicaciones de la oblea epitaxial de SiC:

Las obleas epitaxiales de carburo de silicio tienen una amplia gama de aplicaciones en dispositivos electrónicos de potencia, que abarcan áreas como vehículos eléctricos, energía renovable y sistemas de energía industrial.

• Vehículos eléctricos y estaciones de carga:Los dispositivos de alimentación de carburo de silicio mejoran la eficiencia y la fiabilidad de los sistemas de alimentación de vehículos eléctricos, lo que permite una carga más rápida y rangos de conducción más largos.

• Sistemas de generación y almacenamiento de energía renovable:Los dispositivos de carburo de silicio logran una mayor eficiencia de conversión de energía en inversores solares y sistemas eólicos, reduciendo las pérdidas de energía.

• Fuentes de alimentación industriales y unidades de frecuencia variable:La alta eficiencia y fiabilidad de los dispositivos de potencia de carburo de silicio los hacen ampliamente utilizados en fuentes de alimentación industriales y unidades de frecuencia variable,mejorar el rendimiento y la eficiencia energética de los equipos.

• Diodos LED y láseres UV:Los materiales de carburo de silicio pueden producir luz ultravioleta eficiente, ampliamente utilizada en desinfección, purificación de agua y campos de comunicación.

• Detectores optoelectrónicos de alta temperatura:Los detectores optoelectrónicos de carburo de silicio mantienen una alta sensibilidad y estabilidad en entornos de alta temperatura, adecuados para la detección de incendios y la obtención de imágenes a alta temperatura.

• Sensores de presión de alta temperatura y sensores de gas:Los sensores de carburo de silicio muestran un excelente rendimiento en ambientes de alta temperatura y alta presión, ampliamente utilizados en el control industrial y el monitoreo ambiental.

• Sensores químicos y biosensores:La resistencia a la corrosión de los materiales de carburo de silicio proporciona una vida útil más larga y una mayor estabilidad en químicos y biosensores.

• Dispositivos electrónicos de alta temperatura:El excelente rendimiento de los dispositivos de carburo de silicio en ambientes de alta temperatura los hace valiosos en aplicaciones aeroespaciales y de perforación de pozos profundos.

• Aplicaciones aeroespaciales y militares:La alta fiabilidad y resistencia ambiental de los dispositivos de carburo de silicio los convierten en opciones ideales en los campos aeroespacial y militar, capaces de realizar tareas en condiciones extremas.

Imágenes de aplicación de la oblea epitaxial de SiC:

Preguntas frecuentes:

1P: ¿Qué es la epitaxis de SiC?
R:El crecimiento epitaxial se utiliza para producir capas activas de estructuras de dispositivos basadas en carburo de silicio (SiC) con densidad y grosor de dopado diseñados.

2¿Cómo funciona la epitaxis?
R: epitaxia, el proceso de crecimiento de un cristal de una orientación particular sobre otro cristal, donde la orientación está determinada por el cristal subyacente.

3P: ¿Qué significa la epitaxis?
R: La epitaxia se refiere a la deposición de una capa sobre un sustrato cristalino, donde la capa está en registro con el sustrato.

Recomendación del producto:

1 Wafer de carburo de silicio epitaxial SIC de 100 mm pulido de 1 mm de espesor para el crecimiento de lingotes

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2 SiC Substrato 4H/6H-P 3C-N 145.5 mm~150.0 mm Z grado P grado D grado

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Personalización de las obleas de SiC:

1Podemos personalizar el tamaño del sustrato de SiC para satisfacer sus requisitos específicos.

2El precio está determinado por el caso, y los detalles del embalaje se pueden personalizar a su preferencia.

3El tiempo de entrega es de 2-4 semanas. Aceptamos el pago a través de T/T.

4Nuestra fábrica tiene equipos de producción avanzados y equipo técnico, que puede personalizar varias especificaciones, espesores y formas de obleas SiC de acuerdo con los requisitos específicos de los clientes.