GaN Nitruro de galio Wafer Alta movilidad de electrones
Dispositivos RF Optoelectrónica y LED
Resumen de la oblea de Nitruro de Galio GaN
Las obleas de nitruro de galio (GaN) se han convertido en una
tecnología fundamental en varias industrias, debido a sus
propiedades materiales únicas.y excepcional estabilidad térmica,
las obleas de GaN encuentran aplicaciones en electrónica de
potencia, dispositivos de RF, optoelectrónica, y más.desde la
alimentación de las comunicaciones 5G hasta la iluminación de LED y
el avance de los sistemas de energía solarLas características de
alto rendimiento del GaN lo convierten en una piedra angular en el
desarrollo de dispositivos electrónicos compactos y eficientes, que
influyen en sectores como la electrónica automotriz, la
aeroespacial, la química y la química.y energía renovableComo motor
de la innovación tecnológica, las obleas GaN continúan redefiniendo
las posibilidades en diversas industrias, dando forma al panorama
de los sistemas electrónicos y de comunicación modernos.
Vitrina de la oblea de nitruro de galio de GaN
Aplicación de la oblea de nitruro de galio de GaN
Las obleas de nitruro de galio (GaN) encuentran una amplia gama de
aplicaciones en múltiples industrias,aprovechando sus propiedades
materiales únicas para mejorar el rendimiento en dispositivos
electrónicos y optoelectrónicosEstas son algunas aplicaciones clave
de las obleas de GaN:
Electrónica de potencia:
- Las obleas de GaN se utilizan ampliamente en dispositivos
electrónicos de potencia como transistores y diodos.Conversores, y
inversores en industrias que van desde las telecomunicaciones hasta
los sistemas de energía renovable.
Dispositivos de radiofrecuencia:
- Las obleas de GaN se utilizan en el desarrollo de dispositivos de
RF de alta frecuencia, incluidos amplificadores y
interruptores.haciendo que sea valioso en aplicaciones como
sistemas de radar, comunicaciones inalámbricas y comunicaciones por
satélite.
Optoelectrónica y LED:
- Los LED basados en GaN (diodos emisores de luz) se utilizan
ampliamente en aplicaciones de iluminación, pantallas e
indicadores.La capacidad del GaN para emitir luz en el espectro
azul y ultravioleta contribuye a la producción de luz blanca en los
LED, por lo que son cruciales para soluciones de iluminación
energéticamente eficientes.
Dispositivos optoelectrónicos UV (ultravioleta):
- La transparencia de GaN a la luz ultravioleta lo hace adecuado para
aplicaciones optoelectrónicas UV.y otros dispositivos en los que la
sensibilidad a la radiación UV es esencial.
Transistores de alta movilidad electrónica (HEMT):
- Las obleas de GaN sirven como material clave para el desarrollo de
HEMT, que son transistores de alto rendimiento utilizados en
aplicaciones de alta frecuencia y alta potencia.Los HEMT basados en
la tecnología GaN se emplean en las comunicaciones por satélite,
sistemas de radar e infraestructura inalámbrica.
Comunicación inalámbrica (5G):
- Las capacidades de alta frecuencia de GaN lo convierten en un
material preferido para el desarrollo de componentes de RF en
sistemas de comunicación 5G.Los amplificadores y transmisores
basados en GaN desempeñan un papel crucial para permitir las altas
velocidades de datos y la baja latencia requeridas para las redes
5G.
Fuentes de alimentación y convertidores:
- Las obleas de GaN se utilizan en la fabricación de fuentes de
alimentación y convertidores, donde son esenciales diseños de alta
eficiencia y compactos.Los dispositivos de alimentación basados en
GaN contribuyen a reducir las pérdidas de energía y a mejorar la
eficiencia general de los sistemas electrónicos.
Electrónica automotriz:
- La tecnología GaN está encontrando un uso creciente en la
electrónica automotriz, particularmente en vehículos eléctricos
(VE) y vehículos eléctricos híbridos (VEH).La electrónica de
potencia basada en GaN mejora la eficiencia de los motores
eléctricos, contribuyendo al avance del transporte sostenible.
Inversores de energía solar:
- Las obleas de GaN se utilizan en el desarrollo de inversores de
potencia para sistemas de energía solar.La alta eficiencia y las
capacidades de gestión de la energía de los dispositivos GaN
contribuyen a optimizar la conversión de la energía solar en
electricidad utilizable.
Sistemas avanzados de radar:
- La capacidad de GaN para operar a altas frecuencias y soportar
altos niveles de potencia lo hace ideal para sistemas de radar
avanzados.el sector aeroespacial, y el monitoreo del tiempo.
Las diversas aplicaciones de las obleas de GaN subrayan su
importancia en el avance de la tecnología en múltiples sectores.y
otras propiedades beneficiosas posicionan al GaN como un factor
clave para el desarrollo de dispositivos electrónicos y
optoelectrónicos avanzados.
Diagrama de datos de la oblea de nitruro de galio de GaN
Tecnología de fabricación
HVPE y MOCVD
El material
Semiconductores compuestos
El tipo
Semiconductores de tipo N
Modelo
de tipo N, semisolador
Diámetro
50.8, 100 y 150 mm
Orientación cristalina
Planos C (0001)
Resistencia
El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el
valor de las emisiones de gases de efecto invernadero
- ¿ Por qué?
25um como máximo
El EPD
5E8 cm-2 como máximo
La rugosidad de la superficie
En el caso de los vehículos de motor de motor de motor de motor de
motor de motor de motor de motor de motor de motor de motor de
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Concentración del portador
5E17 cm-3 máximo
Movilidad de las salas
300 cm2/V.s.
Paquete de transporte
Contenedor de una sola oblea
Especificación
2", 4" y 6".