Sistema de comunicación óptica MEMS
Descripción del producto:
La oblea de dióxido de silicio SIO2 sirve como elemento fundamental
en la fabricación de semiconductores.este sustrato crucial está
disponible en diámetros de 6 pulgadas y 8 pulgadasEn primer lugar,
actúa como una capa aislante esencial, desempeñando un papel
fundamental en la microelectrónica al proporcionar una alta
resistencia dieléctrica.Su índice de refracción, aproximadamente
1.4458 a 1550nm, garantiza un rendimiento óptimo en diversas
aplicaciones.
Conocida por su uniformidad y pureza, esta oblea es una opción
ideal para dispositivos ópticos, circuitos integrados y
microelectrónica.Sus propiedades facilitan procesos de fabricación
de dispositivos precisos y apoyan los avances tecnológicosAdemás de
su papel fundamental en la fabricación de semiconductores, amplía
su fiabilidad y funcionalidad a un amplio espectro de aplicaciones,
garantizando estabilidad y eficiencia.
Con sus atributos excepcionales, la oblea de dióxido de silicio
SIO2 continúa impulsando innovaciones en tecnología de
semiconductores, permitiendo avances en campos como circuitos
integrados,OptoelectrónicaSus contribuciones a las tecnologías de
vanguardia subrayan su importancia como material fundamental en el
ámbito de la producción de semiconductores.
Características:
- Nombre del producto: Substrato de semiconductores
- Indice de refracción: 550nm de 1,4458 ± 0.0001
- Punto de ebullición: 2,230° C
- Áreas de aplicación: fabricación de semiconductores,
microelectrónica, dispositivos ópticos, etc.
- espesor: 20 mm, 10 mm y 25 mm
- Peso molecular: 60.09
- Material para semiconductores: Sí
- Material del sustrato: Sí
- Aplicaciones: Fabricación de semiconductores, microelectrónica,
dispositivos ópticos, etc.
Parámetros técnicos:
Parámetro | Especificación |
El grosor | 20um, 10um y 25um |
Densidad | 2533 Kg/m3 |
Tolerancia del espesor del óxido | +/- 5% (ambos lados) |
Áreas de aplicación | Fabricación de semiconductores, microelectrónica, dispositivos
ópticos, etc. |
Punto de fusión | 1,600° C (2,912° F) |
Conductividad térmica | Alrededor de 1,4 W/ ((m·K) @ 300K |
Indice de refracción | Aproximadamente 1.44 |
Peso molecular | 60.09 |
Coeficiente de expansión | 0.5 × 10^-6/°C |
Indice de refracción | 550nm de 1,4458 ± 0.0001 |
Otros productos de acero o acero | Aplicaciones |
Oxidación superficial | Wafer ultra delgado |
Conductividad térmica | Alrededor de 1,4 W/ ((m·K) @ 300K |
Aplicaciones:
- Transistores de película delgada:Empleado en la producción de dispositivos TFT.
- Celdas solares:Se utiliza como sustrato o capa aislante en la tecnología
fotovoltaica.
- Sistemas MEMS (microelectromecánicos):Es crucial para el desarrollo de dispositivos MEMS.
- Sensores químicos:Se utiliza para la detección de sustancias químicas sensibles.
- Dispositivos biomédicos:Empleado en varias aplicaciones biomédicas.
- Productos fotovoltaicos:Apoya la tecnología de células solares para la conversión de
energía.
- La pasivación de la superficie:Ayudas para la protección de la superficie de semiconductores.
- Guías de onda:Se utiliza en comunicación óptica y fotónica.
- Las fibras ópticas:Integral en los sistemas de comunicación óptica.
- Sensores de gas:Empleado en detección y análisis de gases.
- Las nanoestructuras:Se utiliza como sustrato para el desarrollo de nanoestructuras.
- Contenedores:Utilizado en varias aplicaciones eléctricas.
- Secuenciación de ADN:Apoya las aplicaciones en la investigación genética.
- Biosensores:Se utiliza para análisis biológicos y químicos.
- Microfluidos:Integral en la fabricación de dispositivos microfluídicos.
- Diodos emisores de luz (LED):Apoya la tecnología LED en varias aplicaciones.
- Las partidas de los componentes de los aparatos de la partida
9A001.a.Es esencial para la producción de dispositivos de microprocesador.
Personalización:Substrato de semiconductores
Nombre de la marca:ZMSH
Número del modelo:Otros productos de acero o acero
El lugar de origen:China.
Nuestro sustrato semiconductor está diseñado con alta conductividad
térmica, oxidación superficial y una oblea de óxido de silicio
ultra gruesa.4 W/(m·K) @ 300K y punto de fusión de 1El punto de
ebullición es 2.230° C y la orientación es
<100><11><110>. El peso molecular de este
sustrato es 60.09.
Apoyo y servicios:
Nuestro equipo de expertos está disponible para responder cualquier
pregunta que pueda tener sobre el producto y sus
características.También podemos ayudarle a solucionar cualquier
problema que encuentre mientras usa el producto.También ofrecemos
asistencia remota para aquellos que la necesitan. Nuestro equipo de
soporte está disponible durante las horas normales de trabajo, y se
puede contactar con nosotros por teléfono, correo electrónico o a
través de nuestro sitio web.
Embalaje y envío:
Envases y envío de sustratos de semiconductores:
- Los productos envasados deben manejarse con cuidado y utilizar una
cubierta protectora, como una envoltura de burbujas o espuma,
siempre que sea posible.
- Si es posible, use varias capas de protección.
- Etiquetar el paquete con el contenido y el destino.
- Envíe el paquete utilizando un servicio de envío apropiado.
Preguntas frecuentes:
- P: ¿Cuál es el nombre de marca de Sustro de Semiconductores?
- R: La marca es ZMSH.
- P: ¿Cuál es el número de modelo de Substrato Semiconductor?
- R: El número de modelo es una oblea de óxido de silicio ultra
gruesa.
- P: ¿Dónde se fabrica el sustrato de semiconductores?
- R: Se hace en China.
- P: ¿Cuál es el propósito del sustrato de semiconductores?
- R: El sustrato de semiconductores se utiliza en la fabricación de
circuitos integrados, sistemas microelectromecánicos y otras
microestructuras.
- P: ¿Cuál es la característica del sustrato semiconductor?
- R: Las características del sustrato semiconductor incluyen un bajo
coeficiente de expansión térmica, una alta conductividad térmica,
una alta resistencia mecánica y una excelente resistencia a la
temperatura.