Wafer GaP, Orientación de cristal único de fosfuro de galio (111)A
0°±0.2 Células solares
Descripción del producto:
El fosfuro de galio GaP, un semiconductor importante de propiedades
eléctricas únicas como otros materiales compuestos III-V,
cristaliza en la estructura cúbica ZB termodinámicamente estable,es
un material cristalino semitransparente de color naranja-amarillo
con una banda indirecta de 2.26 eV (300K), que se sintetiza a
partir de 6N 7N de alta pureza de galio y fósforo, y se cultiva en
cristal único mediante la técnica Liquid Encapsulated Czochralski
(LEC).Los cristales de fosfuro de galio se dopan con azufre o
telurio para obtener semiconductores de tipo n, y zinc dopado como
conductividad de tipo p para su posterior fabricación en la oblea
deseada, que tiene aplicaciones en sistemas ópticos, dispositivos
electrónicos y otros dispositivos optoelectrónicos.Single Crystal
GaP oblea se puede preparar Epi-Listo para su LPEAplicación
epitaxial de MOCVD y MBE.La conductividad de tipo n o sin dopado en
Western Minmetals (SC) Corporation se puede ofrecer en tamaño 2′′ y
3′′ (50mm), 75 mm de diámetro), orientación < 100>, <
111> con acabado superficial de proceso cortado, pulido o
preparado para epi.
Características:
- Amplio intervalo de banda adecuado para emitir longitudes de onda
específicas de luz.
- GaP Wafer Excelentes propiedades ópticas que permiten la producción
de LED en varios colores.
- Alta eficiencia en la generación de luces rojas, amarillas y verdes
para LED.
- Capacidad superior de absorción de luz a longitudes de onda
específicas.
- Buena conductividad eléctrica que facilita los dispositivos
electrónicos de alta frecuencia.
- Wafer GaP Estabilidad térmica adecuada para un rendimiento fiable.
- Estabilidad química adecuada para procesos de fabricación de
semiconductores.
- GaP Wafer Parámetros de red favorables para el crecimiento
epitaxial de capas adicionales.
- Capacidad para servir como sustrato para la deposición de
semiconductores.
- Wafer GaP Material robusto con una alta conductividad térmica.
- Excelentes capacidades optoelectrónicas para fotodetectores.
- Versatilidad en el diseño de dispositivos ópticos para rangos de
longitudes de onda específicos.
- Aplicación potencial en células solares para absorción de luz
adaptada.
- Estructuras de red relativamente compatibles para el crecimiento de
semiconductores de calidad.
- Un papel esencial en la fabricación de LED, diodos láser y
fotodetectores debido a sus propiedades ópticas y eléctricas.
Parámetros técnicos:
Parámetro | Valor |
---|
Método de crecimiento | El LEC |
- ¿Qué quieres decir? | - ¿ Qué pasa?10 |
Diámetro | 50.6 ± 0,3 mm |
Número de partículas | No incluido |
Ángulo de orientación | No incluido |
TTV/TIR | - ¿ Qué pasa?10 |
Agentes de superación | El S |
Marcado por láser | No incluido |
Orientación | (111) A 0° ± 0.2 |
Movilidad | ¿ Qué es?100 |
Materiales semiconductores | Substrato de semiconductores |
Oxidación superficial | Wafer de óxido de silicio ultra grueso |
Aplicaciones:
- Fabricación de GaP Wafer LED para producir luces rojas, amarillas y
verdes.
- Fabricación de diodos láser GaP Wafer para diversas aplicaciones
ópticas.
- Desarrollo de fotodetectores GaP Wafer para rangos de longitudes de
onda específicos.
- Utilización de la oblea GaP en sensores optoelectrónicos y sensores
de luz.
- GaP Wafer Integración de células solares para absorción del
espectro de luz a medida.
- Producción de paneles de visualización y luces indicadoras.
- GaP Wafer Contribución a los dispositivos electrónicos de alta
frecuencia
- GaP Wafer Formación de dispositivos ópticos para rangos de
longitudes de onda distintos.
- GaP Wafer Uso en telecomunicaciones y sistemas de comunicación
óptica.
- GaP Wafer Desarrollo de dispositivos fotónicos para el
procesamiento de señales.
- Incorporación de GaP Wafer en sensores infrarrojos (IR) y
ultravioleta (UV).
- Implementación de GaP Wafer en dispositivos de detección biomédica
y ambiental.
- Aplicación de GaP Wafer en sistemas ópticos militares y
aeroespaciales
- Integración de GaP Wafer en la espectroscopia y la instrumentación
analítica.
- GaP Wafer Utilización en investigación y desarrollo de tecnologías
emergentes.
Personalización:
Servicio de substrato de semiconductores personalizado
Nombre de marca: ZMSH
Número de modelo: oblea GaP
Lugar de origen: China
TTV/TIR: máximo:10
- ¿ Qué pasa?10
El número de puntos de contacto de los equipos de ensayo y de los
equipos de ensayo se determinará en función de los resultados de
los ensayos.
Movilidad: Min:100
Resistencia: Min:0.01 máximo:0.5 Ω.cm
Características:
• Utilizando tecnología de película delgada
• Oblea de óxido de silicio
• Electro-oxidación
• Servicio personalizado
Apoyo y servicios:
Apoyo técnico y servicios de sustrato de semiconductores
Proporcionamos una amplia gama de soporte técnico y servicios para
nuestros productos de sustrato de semiconductores.
Ya sea que necesite asesoramiento sobre la selección de productos,
la instalación, las pruebas o cualquier otro problema técnico,
estamos aquí para ayudarle.
- Selección y evaluación del producto
- Instalación y ensayos
- Solución de problemas y solución de problemas
- Optimización del rendimiento
- Formación y educación sobre productos
Nuestro equipo de ingenieros y técnicos experimentados está
disponible para responder a cualquier pregunta y proporcionar el
mejor asesoramiento técnico y apoyo.Póngase en contacto con
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