Wafer GaP de 2 pulgadas con ubicación / longitud EJ 0-1-1 / 16 ± 1 mm LED LD Movilidad Min 100

Wafer GaP de 2 pulgadas con ubicación OF / longitud EJ 0-1-1 / 16 ± 1 mm LED LD Movilidad Min 100

Descripción del producto:

Una oblea GaP es un sustrato semiconductor utilizado principalmente en la fabricación de varios dispositivos electrónicos y optoelectrónicos.Las obleas de fosfuro de galio (GaP) presentan propiedades ópticas y electrónicas excepcionales que las hacen indispensables en el campo de la tecnología de semiconductoresEstas obleas son conocidas por su capacidad para generar luz a través de diferentes espectros, lo que permite la producción de LED y diodos láser en colores que van desde el rojo, el verde hasta el amarillo.

El amplio intervalo de banda de aproximadamente 2,26 electrónvoltios (eV) permite a las obleas GaP absorber eficientemente longitudes de onda específicas de luz.haciendo de GaP una excelente opción para fotodetectores, células solares y otros dispositivos que requieren una absorción de luz adaptada.

Además, el GaP demuestra una robusta conductividad electrónica y estabilidad térmica, por lo que es adecuado para dispositivos electrónicos de alta frecuencia y aplicaciones donde la gestión térmica es esencial.

Las obleas de GaP no solo sirven como material base para la fabricación de dispositivos, sino que también funcionan como sustratos para el crecimiento epitaxial de otros materiales semiconductores.Su estabilidad química y los parámetros de red relativamente coincidentes proporcionan un entorno favorable para la deposición y fabricación de capas de semiconductores de alta calidad.

En esencia, las obleas GaP son sustratos de semiconductores muy versátiles, fundamentales en la producción de LED, diodos láser, dispositivos electrónicos de alta frecuencia,y un espectro de componentes optoelectrónicos debido a su óptica superior, propiedades electrónicas y térmicas.

Características:

• Nombre del producto: Wafer GaP de sustrato de semiconductores
• Otros productos de acero o acero
• Otros productos para la fabricación de plaquetas de óxido de silicio
• Tipo de conducto de la oblea GaP: S-C-N
• Conductividad
• Movilidad: Min 100
• Ángulo de orientación de la oblea GaP: N/A
• Número de partículas de la oblea GaP: N/A
• espesor: Min 175 max 225
• Conductividad eléctrica: GaP demuestra una buena conductividad eléctrica.contribuir a su uso en dispositivos y aplicaciones electrónicas de alta frecuencia en las que es esencial un rendimiento electrónico fiable.
• Estabilidad térmica: GaP presenta una notable conductividad térmica y estabilidad, lo que lo hace adecuado para aplicaciones que requieren una gestión térmica efectiva.
• Funcionalidad del sustrato: las obleas de GaP sirven no sólo como material base para la fabricación del dispositivo, sino también como sustrato para el crecimiento epitaxial,que permite la deposición de capas adicionales de semiconductoresSu compatibilidad con otros materiales y los parámetros de red relativamente iguales facilitan el crecimiento de capas de semiconductores de alta calidad.

Parámetros técnicos:

Aplicaciones:

• Fabricación de LED y dispositivos láser: las obleas GaP se utilizan en la fabricación de diodos emisores de luz (LED) y diodos láser (LD).Sus propiedades ópticas excepcionales permiten la producción de luz en varias longitudes de onda como el rojoEsto hace que el GaP sea vital para aplicaciones en iluminación, pantallas, luces indicadoras y dispositivos láser.
• Fotodetectores de Wafer GaP: El GaP se emplea en la fabricación de fotodetectores debido a sus capacidades superiores de absorción de luz a longitudes de onda específicas.Estos detectores se utilizan para recibir y detectar señales de luz dentro de rangos de longitud de onda específicos, incluida la luz infrarroja.
• Células solares GaP Wafer: las células solares GaP, aunque tienen una eficiencia potencialmente menor en comparación con otros materiales, presentan buenas propiedades de absorción de luz dentro de ciertos espectros.Esto los hace adecuados para rangos de longitudes de onda específicos en aplicaciones fotovoltaicas.
• Dispositivos semiconductores: GaP, como material semiconductor, se utiliza en la preparación de dispositivos ópticos diseñados para rangos de longitudes de onda específicos.debido a sus características electrónicas, el GaP se utiliza en la fabricación de dispositivos electrónicos de alta frecuencia.
• En general, las obleas GaP desempeñan un papel crucial en los campos de la optoelectrónica y los dispositivos de semiconductores.y dispositivos ópticos diseñados para rangos de longitudes de onda específicos.

Personalización:

Nombre de marca: ZMSH

Número de modelo: GaP Wafer

Lugar de origen: China

- ¿ Qué pasa?10

Materiales: GaP

Si la posición/longitud: EJ[0-1-1]/7±1 mm

Grado: A

El contenido de nitrato de sodio en el agua

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Apoyo y servicios:

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