Orientación111 100 SSP DSP Alta pureza InP Semiconductor Wafer 6'4' InP Wafers

Descripción del producto:

El nuestroEn el PLas obleas semiconductoras (fosfuro de indio), conocidas por sus excepcionales propiedades electrónicas y optoelectrónicas, han encontrado amplias aplicaciones en comunicaciones, óptica y electrónica.Utilización de tecnologías avanzadas de cultivo y procesamiento, garantizamos la alta pureza y uniformidad de nuestras obleas, proporcionando una excepcional movilidad de electrones y una baja densidad de defectos para cumplir con los estrictos requisitos de las aplicaciones de gama alta.Las obleas están disponibles en diámetros que van de 2 a 4 pulgadas, con grosor y rugosidad de la superficie personalizables según las necesidades del cliente.Ofrecemos una garantía de calidad integral y soporte técnico para garantizar que cada oblea cumpla con las expectativas de nuestros clientesTanto si se utilizan para la fabricación de componentes de comunicación de fibra óptica de alta velocidad como para servir de sustrato para células solares y sensores, nuestrosEn el Plas obleas son su elección ideal.

Características:

• Alta movilidad de electrones:En el Pposee una movilidad de electrones excepcionalmente alta, lo que significa que los electrones pueden moverse a través del material a velocidades extremadamente altas.Esta característica hace que el InP sea ideal para dispositivos electrónicos de alta velocidad y aplicaciones de alta frecuencia..
• Bandgap directo:En el Pes un semiconductor de banda directa, lo que implica que puede convertir directamente fotones entre la banda de conducción y la banda de valencia.Esto resulta en una eficiencia muy alta en los diodos láser y fotodetectores.
• Propiedades ópticas excepcionales:En el PTiene una excelente transparencia óptica, especialmente en la región infrarroja, lo que la hace ampliamente utilizada en óptica infrarroja y sistemas de comunicación de fibra óptica.
• Alta conductividad térmica:En el Ppresenta una conductividad térmica relativamente alta, lo que ayuda a la disipación de calor efectiva en los dispositivos electrónicos.
• Estabilidad química:En el PEs químicamente estable y altamente resistente a muchas sustancias químicas en el medio ambiente.
• Compatibilidad:En el Ppueden formar heterostructuras con otros materiales del grupo III-V como GaAs e InGaAs, lo que es crucial en la fabricación de dispositivos optoelectrónicos y microelectrónicos de alto rendimiento.
• Aunque es más frágil que el silicio,En el Psigue teniendo una resistencia mecánica suficiente para soportar las presiones de los procesos de fabricación y envasado.
• Resistencia a la radiación:En el PTiene una fuerte resistencia a la radiación, por lo que es adecuado para su uso en ambientes hostiles, como aplicaciones espaciales.
• En general, estas características deEn el Pcontribuir a su excelente rendimiento en aplicaciones optoelectrónicas de alta velocidad, alta frecuencia y alto rendimiento.

Parámetros técnicos:

Aplicaciones:

• Comunicación por fibra óptica:En el Pes un material indispensable para la fabricación de equipos de comunicación de fibra óptica de alta velocidad, como diodos láser y amplificadores ópticos.capacidades de transmisión de datos de gran ancho de banda, lo que la convierte en un componente clave en la construcción de redes de comunicación modernas.
• Los fotodetectores:En el PEsto tiene aplicaciones importantes en comunicación de fibra óptica, imagen óptica y sensores.
• Celdas solares: La alta movilidad de electrones y las propiedades de banda ancha directa deEn el PLa industria de la Unión no está en condiciones de utilizar el material solar para la fabricación de células solares eficientes, especialmente para aplicaciones espaciales y sistemas fotovoltaicos concentrados.
• Lasers:En el PSe utiliza para producir diversos tipos de láseres semiconductores, incluidos los utilizados en la comunicación con longitudes de onda ópticas específicas y los láseres utilizados en aplicaciones médicas.
• Dispositivos electrónicos de alta velocidad: debido a su alta movilidad de electrones,En el PEs el material de elección para la fabricación de transistores de alta velocidad y circuitos integrados, que son cruciales en radar, comunicación y computación.
• Optica infrarroja:En el Pes transparente en los rangos de longitudes de onda infrarrojas, por lo que es adecuado para la fabricación de componentes ópticos infrarrojos, como lentes y ventanas.

Personalización:

ZMSH ofrece servicios de personalización de obleas de nitruro de galio con calidad garantizada.Algunas de las características de nuestra oblea de nitruro de galio incluyen:

• Nombre de marca: ZMSH
• Número del modelo:En el P
• Lugar de origen: China
• Embalaje: Embalaje al vacío, repleto de nitrógeno
• El elemento dopante es el antimonio (Sb), el indio (In), el fósforo (P), etc.
• Densidad de defecto: ≤ 500 cm^-2
• Diámetro: 2-6 pulgadas
• Condiciones de almacenamiento: temperatura entre 20 y 25°C, humedad ≤ 60%

Nuestra oblea de nitruro de galio también cuenta con alta calidad y fiabilidad, con un estricto control de calidad durante el proceso de fabricación.Póngase en contacto con nosotros hoy para obtener más información acerca de nuestra Wafer de Nitruro de Galo personalizable!

Apoyo y servicios:

En XYZ Company, proporcionamos soporte técnico y servicio para nuestros productos de Gallium Nitride Wafer.Nuestro equipo de ingenieros y técnicos experimentados está disponible para responder cualquier pregunta que pueda tener sobre su productoTambién estamos disponibles para ayudar con la solución de problemas, proporcionar piezas de repuesto y ofrecer servicios de mantenimiento de rutina.

Proporcionamos soporte a través de nuestro portal de servicio al cliente en línea, correo electrónico o teléfono. Nuestro equipo de servicio al cliente está disponible las 24 horas del día, los 7 días de la semana para responder cualquier pregunta y brindar asistencia.Estamos encantados de ayudar y haremos todo lo posible para asegurar que su producto funcione correctamente.

Si necesita más soporte técnico, ofrecemos un paquete de servicios adicionales que incluye documentación técnica detallada, acceso a nuestro equipo de ingeniería y una extensión de garantía para su producto.Nuestro equipo de soporte técnico está aquí para ayudar y puede responder cualquier pregunta que pueda tener.

Nos enorgullecemos de la calidad de nuestros productos y servicios, y nos esforzamos por asegurarnos de que nuestros clientes estén satisfechos con su compra.Por favor no dude en contactarnos.

Embalaje y envío:

Embalaje y envío de la oblea de nitruro de galio:

Las obleas de nitruro de galio (GaN) se envían normalmente en recipientes sellados al vacío o sellados con gas nitrógeno.y la fecha de fabricaciónDurante el envío, los contenedores deben ser empaquetados en envoltura de burbujas o espuma de poliestireno para amortiguamiento adicional. El envío debe ser rastreado para garantizar su llegada segura.

Preguntas frecuentes:

• - ¿ Qué?¿Cuál es la marca de Gallium Nitride Wafer?
  A: ¿Qué quieres decir?El nombre comercial de Gallium Nitride Wafer es ZMSH.
• - ¿ Qué?¿Cuál es el número de modelo de Gallium Nitride Wafer?
  A: ¿Qué quieres decir?El número de modelo de Gallium Nitride Wafer es InP.
• - ¿ Qué?¿Dónde se fabrica la oblea de nitruro de galio?
  A: ¿Qué quieres decir?La oblea de nitruro de galio se fabrica en China.
• - ¿ Qué?¿Cuáles son los usos de Gallium Nitride Wafer?
  A: ¿Qué quieres decir?La oblea de nitruro de galio se utiliza para varias aplicaciones, como la electrónica de energía y de alta frecuencia, la optoelectrónica y los dispositivos de microondas.
• - ¿ Qué?¿Cuáles son las ventajas de Gallium Nitride Wafer?
  A: ¿Qué quieres decir?La oblea de nitruro de galio tiene muchas ventajas, incluido un mayor voltaje de descomposición, una alta conductividad térmica y eléctrica y un funcionamiento a alta temperatura.