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Como fabricante y proveedor líder decon un contenido de nitrógeno en peso superior o igual a 10%, pero no superior a 10%, ZMSH ofrece el mejor precio en el mercado para2 pulgadas y 3 pulgadas de investigación de grado de carburo de silicio wafers de sustrato.
La oblea de sustrato de SiC se utiliza ampliamente en dispositivos electrónicos conalta potencia y alta frecuencia, como por ejemploDiodo emisor de luz (LED)y otros.
Un LED es un tipo de componente electrónico que utiliza la combinación de electrones semiconductores y agujeros.larga vida útil, pequeño tamaño, estructura simple y fácil control.
El carburo de silicio (SiC) de cristal único tiene excelentes propiedades de conductividad térmica, alta movilidad de electrones de saturación y resistencia a la degradación de alto voltaje.Es adecuado para la preparación de alta frecuencia, dispositivos electrónicos de alta potencia, alta temperatura y resistentes a la radiación.
El cristal único de SiC tieneMuchas propiedades excelentes, incluidoalta conductividad térmica,alta movilidad de electrones saturados,una fuerte ruptura de la tensiónEs adecuado para la preparación dealta frecuencia,alta potencia,alta temperaturayresistente a la radiaciónlos dispositivos electrónicos.
El método de cultivo deSubstrato de carburo de silicio,Oferta de carburo de silicio,Wafer de SiC, ySubstrato de SiCesSe trata de un sistema de control.La estructura cristalina puede ser:6 horaso bien4 horasLos parámetros de red correspondientes para6 horasLas diferencias entre los valores de las diferencias de las diferencias de las diferencias de las diferencias de las diferencias de las diferencias de las diferencias de las diferencias de las diferencias de las diferencias de las diferencias de las diferencias de las diferencias de las diferencias de las diferencias de las diferencias de las diferencias de las diferencias de las diferencias de las diferencias de las diferencias de las diferencias de las diferencias de las diferencias de las diferencias de las diferencias de las diferencias de las diferencias de las diferencias de las diferencias de las diferencias.4 horasLa secuencia de apilamiento de las6 horases ABCACB, mientras que el de4 horasEl grado disponible esGrado de producción,Grado de investigacióno bienGrado de imitación, el tipo de conductividad puede ser:Tipo No bienSemi-aislanteLa banda-brecha del producto es de 3,23 eV, con una dureza de 9,2 (mohs), una conductividad térmica a 300K de 3,2 a 4,9 W/cm.K. Además, las constantes dieléctricas son e(11) = e(22) = 9,66 y e(33) = 10.33. La resistividad de4H-SiC-Nestá en el intervalo de 0,015 a 0,028 Ω·cm,6H-SiC-Nes de 0,02 a 0,1 Ω·cm y4H/6H-SiC-SIEl producto está envasado en una caja deClase 100bolsa limpia en unClase 1000Habitación limpia.
La oblea de carburo de silicio (oblea de SiC) es una opción perfecta para la electrónica automotriz, los dispositivos optoelectrónicos y las aplicaciones industriales.Substrato SiC de tipo 4H-NySubstrato de SiC semisolante.
El sustrato SiC tipo 4H-N tiene el máximo de resistencia del tipo n con valores predecibles y repetibles de resistividad. Se caracteriza por una baja expansión térmica y una excelente estabilidad a temperatura.Este sustrato de SiC es ideal para aplicaciones desafiantes con operación de alta frecuencia con alta potencia térmica y eléctrica.
El substrato de SiC semi-isolante tiene un nivel de aceptor de carga intrínseca de base muy bajo.Este tipo de sustrato de SiC es ideal para su uso como sustrato epitaxial y para aplicaciones tales como dispositivos de conmutación de alta potencia, sensores de alta temperatura y alta estabilidad térmica.
Estamos orgullosos de ofrecer soporte técnico y servicio para nuestros productos de obleas de carburo de silicio.Nuestro equipo de profesionales con experiencia y conocimiento está disponible para ayudarle con cualquier pregunta o consulta que pueda tenerOfrecemos una serie de servicios, entre los que se incluyen: