Pulgada 4Inch N de VGF 2/tipo substrato de P del semiconductor de la oblea del GaAs para el crecimiento epitaxial
Number modelo:Substrato del GaAs
Lugar del origen:NC
Cantidad de orden mínima:3PCS
Condiciones de pago:T/T, Western Union
Plazo de expedición:4-6weeks
Detalles de empaquetado:solo envase de la oblea bajo sitio de limpieza
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Habitación.1-1805, No.1079 calle Dianshanhu, área de Qingpu ciudad de Shanghai, China /201799
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Tipo tipo substrato de la pulgada 4Inch N de VGF 2 de P del semiconductor de la oblea del GaAs para el crecimiento epitaxial
N-tipo oblea primera de VGF 2inch 4inch 6inch del GaAs del grado para el crecimiento epitaxial
El arseniuro de galio se puede hacer en los materiales de alta resistencia semiaislantes con resistencia más de 3 órdenes de magnitud más arriba que el silicio y el germanio, que se utilizan para hacer los substratos del circuito integrado, los detectores infrarrojos, los detectores gammas del fotón, el etc. Porque su movilidad de electrón es 5 a 6 veces mayor que la del silicio, tiene usos importantes en la fabricación de dispositivos de la microonda y de circuitos digitales de alta velocidad. El arseniuro de galio hecho del arseniuro de galio se puede hacer en los materiales de alta resistencia semiaislantes con resistencia de más de 3 órdenes de magnitud más arriba que el silicio y el germanio, que se utilizan para hacer los substratos del circuito integrado y los detectores infrarrojos.
1. Uso del arseniuro de galio en optoelectrónica
2. Uso del arseniuro de galio en microelectrónica
3. Uso del arseniuro de galio en la comunicación
4. Uso del arseniuro de galio en microonda
5. Uso del arseniuro de galio en células solares
Especificación de las obleas del GaAs
| Tipo/dopante | Semi-aislado | P-Type/Zn | N-Type/Si | N-Type/Si |
| Uso | Eletronic micro | LED | Diodo láser | |
| Método del crecimiento | VGF | |||
| Diámetro | 2", 3", 4", 6" | |||
| Orientación | (100) ±0.5° | |||
| Grueso (µm) | 350-625um±25um | |||
| OF/IF | Los E.E.U.U. EJ o muesca | |||
| Concentración de portador | - | (0.5-5) *1019 | (0.4-4) *1018 | (0.4-0.25) *1018 |
| Resistencia (ohmio-cm) | >107 | (1.2-9.9) *10-3 | (1.2-9.9) *10-3 | (1.2-9.9) *10-3 |
| Movilidad (cm2/V.S.) | >4000 | 50-120 | >1000 | >1500 |
| Densidad de la echada del grabado de pistas (/cm2) | <5000> | <5000> | <5000> | <500> |
| TTV [P/P] (µm) | <5> | |||
| TTV [P/E] (µm) | <10> | |||
| Deformación (µm) | <10> | |||
| Superficial acabado | P/P, P/E, E/E | |||
Nota: Otras especificaciones pueden estar disponibles a petición
El arseniuro de galio es el material más importante y más ampliamente utilizado del semiconductor de semiconductores compuestos, y es también el material más maduro y más grande del semiconductor compuesto de la producción actualmente.
Los dispositivos del arseniuro de galio se han utilizado que son:
- Diodo de la microonda, diodo de Gunn, diodo de varactor, etc.
- Transistores de la microonda: transistor de efecto de campo (FET), alto transistor de movilidad de electrón (HEMT), transistor bipolar de la heterounión (HBT), etc.
- Circuito integrado: circuito integrado monolítico de la microonda (MMIC), circuito integrado ultraalto de la velocidad (VHSIC), etc.
- Componentes de Pasillo, etc.
- Diodo electroluminoso infrarrojo (IR LED); Diodo electroluminoso visible (LED, usado como substrato);
- Diodo láser (LD);
- Detector ligero;
- Célula solar de gran eficacia;
Pulgada 4Inch N de VGF 2/tipo substrato de P del semiconductor de la oblea del GaAs para el crecimiento epitaxial
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