El carburo de silicio de 6 pulgadas sic cubrió las placas de Tray High Temperature Resistance Graphite del grafito
Number modelo:6 pulgadas
Lugar del origen:China
Cantidad de orden mínima:5-10pcs
Condiciones de pago:T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente:1000PCS/Week
Plazo de expedición:1-3weeks
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Shanghai Shanghai China
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Habitación.1-1805, No.1079 calle Dianshanhu, área de Qingpu ciudad de Shanghai, China /201799
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Detalles del producto
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Detalles del producto
6 pulgadas de carburo de silicio SiC recubierto de grafite bandeja alta resistencia a la temperatura placas de grafite
Silicon carbide coated epitaxial sheet tray used in epitaxial furnace equipment/Silicon Carbide Coated Graphite SiC/Excellent Bending Strength Anti Corrosion Graphite Tray / Wafer Tray/Graphite composite plate high purity carbon graphite anode plate
Aplicación | circuito integrado de semiconductores |
Cuotiente de pureza < 5 ppm | |
recubrimiento en nanoescala y buena uniformidad de doping | |
buen rendimiento de sellado y fuerte capacidad de unión de
revestimiento de pintura | |
resistente a la corrosión por unión de bloques de elementos de
carbono | |
Servicio profesional hecho a medida | |
tiempo de entrega corto | |
productos de proceso internacional y tiempo de entrega estable | |
Servicios de mejora rápida del rendimiento del producto |
CATALOGO DE tamaño común
| Grado | Densidad de volumen | Fuerza de flexión | Fuerza de compresión | Resistencia específica
| Contenido en cenizas |
| GSK-II | 1.72 g/cc min | 15Mpa min. | 32 Mpa por minuto | 8.0μΩ•m máximo | 00,3% como máximo |
| El HPM-II | 1.78 g/cc min | 18Mpa por minuto | 35Mpa por minuto | 10 μΩ•m máximo | 00,1% como máximo |
| El HPM-III | 1.83 g/cc min | 35Mpa por minuto | 68Mpa por minuto | 10 μΩ•m máximo | 00,1% como máximo |
| Si su material requerido no se encuentra dentro de los grados anteriores, póngase en contacto con nosotros sin dudar,Nuestro ingeniero profesional y experimentado elegirá el grado más adecuado según su aplicación específica.. | |||||
Sobre la Compañía ZMKJ
ZMKJ puede proveer una oblea de SiC de cristal único de alta
calidad (Carburo de Silicio) a la industria electrónica y
optoelectrónica.con propiedades eléctricas únicas y excelentes
propiedades térmicas , en comparación con las obleas de silicio y
GaAs, las obleas de SiC son más adecuadas para aplicaciones de alta
temperatura y dispositivos de alta potencia. Las obleas de SiC se
pueden suministrar en diámetros de 2-6 pulgadas, tanto 4H como 6H
SiC,Tipo N, tipo de nitrógeno dopado, y semi-aislante disponibles.
Nuestros productos de relación
Oferta de zafiro y lente/ cristal de LiTaO3/ wafer de SiC/ wafer de
LaAlO3 / SrTiO3/wafer/ bola de rubí
Preguntas frecuentes
P: ¿Cuál es la forma de envío y el costo?
A: ((1) Aceptamos DHL, Fedex, EMS, etc.
(2) está bien si usted tiene su propia cuenta expreso, si no, podríamos ayudarle a enviarlos y
El flete está de acuerdo con la liquidación real.
P: ¿Cómo se paga?
R: T/T 100% depósito antes de la entrega.
P: ¿Cuál es su MOQ?
R: (1) Para el inventario, el MOQ es 1pcs. si 2-5pcs es mejor.
(2) Para los productos personalizados, el MOQ es de 10pcs.
P: ¿Cuál es el tiempo de entrega?
A: (1) Para los productos estándar
Para el inventario: la entrega es de 5 días hábiles después de realizar el pedido.
Para productos personalizados: la entrega es de 2 a 4 semanas después de que usted pida contacto.
P: ¿Tiene productos estándar?
R: Nuestros productos estándar en stock. como los sustratos de 4 pulgadas 0,35 mm.
El carburo de silicio de 6 pulgadas sic cubrió las placas de Tray High Temperature Resistance Graphite del grafito
Carro de la investigación
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