Obleas 350 del fosfuro de indio del INP del solo cristal - grueso 650um
Number modelo:INP
Lugar del origen:CHINA
Cantidad de orden mínima:3 PIEZAS
Condiciones de pago:T/T, Western Union
Capacidad de la fuente:500pcs
Plazo de expedición:2-4weeks
Contacta
Add to Cart
Evaluación de proveedor
Shanghai Shanghai China
Dirección:
Habitación.1-1805, No.1079 calle Dianshanhu, área de Qingpu ciudad de Shanghai, China /201799
Proveedor Último login veces:
Dentro de 38 Horas
Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
el TIPO substrato S+/dopado las obleas Zn+ /Fe + fosfuro de las obleas 3inch 4inch N/P del INP 2inch del semiconductor del INP de indio basó el solo substrato del INP Crystal Wafer Dummy Prime Semiconductor de la pulgada 350-650 de la oblea 2 inch/3 inch/4 del INP de Crystal Indium Phosphide Wafers de la oblea epitaxial um
Nuevos Co. Ltd. de los materiales de Shangai Xinkehui
Nos especializamos en el proceso de una variedad de materiales en
las obleas, los substratos y parts.components de cristal óptico
custiomized ampliamente utilizados en electrónica, la óptica, la
electrónica y muchos otros campos. También hemos estado trabajando
de cerca con muchos nacionales y las universidades, las
instituciones de investigación y las compañías de ultramar,
proporcionan productos modificados para requisitos particulares y
los servicios para sus proyectos del R&D. Es nuestra visión a
mantener una buena relación de la cooperación con nuestros todos
los clientes al lado de nuestros buenos reputatiaons.
tamaño (milímetros) | Dia50.8x0.5mm, 10×10×0.5m m, 10×5×0.5m m puede ser modificado para
requisitos particulares |
Ra | Aspereza superficial (Ra):<> |
Polaco | Solo o los dobles eche a un lado pulido |
Paquete | 100 solos o los dobles echan a un lado pulido |
Tiene las ventajas de la alta velocidad electrónica de la deriva
del límite, de la buena resistencia de radiación, y de la buena
conducción de calor. Conveniente para
dispositivos de la fabricación de la microonda y circuitos
integrados de alta frecuencia, de alta velocidad, de alta potencia.
Características de la oblea del INP
1. El cristal es crecido por la tecnología líquido-sellada del
recto-dibujo (LEC), con tecnología madura y eléctrico estable
funcionamiento.
2. el instrumento direccional de la radiografía que usa para la orientación exacta, la desviación de la orientación cristalina es solamente ±0.5°
3. la oblea es pulida por la tecnología de pulido mecánica química (CMP), con la aspereza superficial <0> 4. para alcanzar los requisitos listos para utilizar de la “caja abierta”
5. según exigencias del consumidor, proceso especial del producto de las especificaciones
funcionamiento.
2. el instrumento direccional de la radiografía que usa para la orientación exacta, la desviación de la orientación cristalina es solamente ±0.5°
3. la oblea es pulida por la tecnología de pulido mecánica química (CMP), con la aspereza superficial <0> 4. para alcanzar los requisitos listos para utilizar de la “caja abierta”
5. según exigencias del consumidor, proceso especial del producto de las especificaciones
Diámetro de la oblea (milímetros) | 50.8±0.3 | 76.2±0.3 | 100±0.3 |
Grueso (um) | 350±25 | 625±25 | 625±25 |
TTV-P/P (um) | ≤10 | ≤10 | ≤10 |
TTv-P/E (um) | ≤10 | ≤15 | ≤15 |
DEFÓRMESE (um) | ≤15 | ≤15 | ≤15 |
DE (milímetros) | 17±1 | 22±1 | 32.5±1 |
OF/IF (milímetro) | 7±1 | 12±1 | 18±11 |
| Descripción | Uso | Gama de longitud de onda |
| El INP basó la Epi-oblea | Laser del punto de congelación | ~1310nm; ~1550nm; ~1900nm |
| Laser de DFB | 1270nm~1630nm | |
| Fotodetector de la avalancha | 1250nm~1600nm | |
| Fotodetector | 1250nm~1600nm/>2.0um (capa absorbente de InGaAs);<1> |
| Nombre de producto |
| Hoja policristalina del substrato del fosfuro de indio de la pureza elevada |
| Cristal dopado hierro del fosfuro de indio |
| N-tipo y P-tipo cristal del fosfuro de indio |
| Fosfuro de indio de 4 pulgadas solo Crystal Ingot |
| El fosfuro de indio basó la oblea epitaxial |
| Semiconductor Crystal Substrate del fosfuro de indio |
| Fosfuro de indio solo Crystal Substrate |
| Antimoniuro solo Crystal Substrate del indio |
| Indio solo Crystal Substrate arsénico |
---FAQ –
Q: ¿Es usted una empresa comercial o el fabricante?
: el zmkj es una empresa comercial pero tiene un fabricante del
zafiro
como proveedor de las obleas de los materiales del
semiconductor para un palmo ancho de usos.
Q: ¿Cuánto tiempo es su plazo de expedición?
: Es generalmente 5-10 días si las mercancías están en existencia. o es 15-20 días si no son las mercancías
en existencia, está según cantidad.
Q: ¿Usted proporciona muestras? ¿está él libremente o adicional?
: Sí, podríamos ofrecer la carga de la muestra gratis pero no pagamos el coste de carga.
Q: ¿Cuáles son sus términos del pago?
: Payment=1000USD<>,
El 50% T/T por adelantado, balanza antes del envío.
Obleas 350 del fosfuro de indio del INP del solo cristal - grueso 650um
Carro de la investigación
0