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2 a 4 pulgadas de antimonuro de galio GaSb Substrato monocristalino
de cristal único para semiconductores
Arsenuro de indio InAs Substrato monocristalino monocristalino
Substrato semiconductor
Substrato de semiconductor de cristal único Arsenido de indio InAs
Aplicación
Los sustratos de semiconductores de cristal único de arseniuro de
indio (InAs) son materiales con propiedades únicas, ampliamente
utilizados en los campos de la electrónica y la optoelectrónica.
Debido a su estrecho intervalo de banda, los sustratos de InAs son ideales para la fabricación de detectores infrarrojos de alto rendimiento, particularmente en los rangos infrarrojos de longitud de onda media y larga.Estos detectores son esenciales en aplicaciones como la visión nocturna., imágenes térmicas y monitoreo ambiental.
InAs se utiliza en la fabricación de puntos cuánticos, que son críticos para el desarrollo de dispositivos optoelectrónicos avanzados como láseres de puntos cuánticos, sistemas de computación cuántica y células solares de alta eficiencia.Su superior movilidad de electrones y efectos de confinamiento cuántico lo convierten en un candidato principal para dispositivos semiconductores de próxima generación.
Los sustratos InAs ofrecen una excelente movilidad de electrones, por lo que son adecuados para la electrónica de alta velocidad,como transistores de alta frecuencia (HEMT) y circuitos integrados de alta velocidad utilizados en sistemas de telecomunicaciones y radar.
InAs es un material popular para la fabricación de dispositivos optoelectrónicos, como láseres y fotodetectores, debido a su intervalo de banda directo y alta movilidad de electrones.Estos dispositivos son críticos para las aplicaciones en la comunicación de fibra óptica, imágenes médicas y espectroscopia.
Las propiedades termoeléctricas superiores de InAs lo convierten en
un candidato prometedor para generadores y refrigeradores
termoeléctricos.que se utilizan para convertir gradientes de
temperatura en energía eléctrica y para aplicaciones de
refrigeración en electrónica.
En resumen, los sustratos InAs desempeñan un papel crucial en
tecnologías avanzadas que van desde la detección infrarroja hasta
la computación cuántica y la electrónica de alta velocidad.lo que
los hace indispensables en las aplicaciones modernas de
semiconductores y optoelectrónica.
InComo sustrato
Nombre del producto | Cristales de arseniuro de indio (InAs) |
Especificaciones del producto | Método de cultivo: CZ Orientación de los cristales: <100> Tipo de conductor: tipo N Tipo de dopaje: sin dopaje Concentración del portador: 2 ~ 5E16 / cm 3 |
Paquete estándar | 1000 salas limpias, 100 bolsas limpias o una sola caja |
Crecimiento | El LEC |
Diámetro | 2 1/2 pulgadas |
El grosor | 500 a 625 mm |
Orientación | < 100> / < 111> / < 110> o otros |
Fuera de la orientación | Desviación de 2° a 10° |
Superficie | PPS/PDS |
Opciones planas | Es un trastorno genital. |
TTV | El valor de las emisiones de CO2 |
El EPD | El valor de las demás partidas del producto |
Grado | Calidad de polido epi / calidad mecánica |
Paquete | Paquete |
Disponible el dopante | S / Zn / Sin dopaje |
Tipo de conductividad | N / P |
Concentración | 1E17 - 5E18 cm-3 |
Movilidad | 100 ~ 25000 cm2 / v.s. |
InAsSb/In-AsPSb, InNAsSb y otros materiales de heterounión pueden
cultivarse en cristal único de InAs como sustrato,y se puede
fabricar un dispositivo emisor de luz infrarroja con una longitud
de onda de 2 a 14 μmEl material de la estructura de superrejilla de
AlGaSb también se puede cultivar epitaxialmente mediante el uso de
un solo sustrato de cristal InAs.Estos dispositivos infrarrojos
tienen buenas perspectivas de aplicación en los campos del
monitoreo de gasesAdemás, los cristales individuales de InAs tienen
una alta movilidad electrónica y son materiales ideales para
fabricar dispositivos Hall.
Características:
1El cristal se cultiva mediante tecnología de dibujo recto sellado
por líquido (LEC), con tecnología madura y rendimiento eléctrico
estable.
2, utilizando el instrumento direccional de rayos X para la
orientación precisa, la desviación de orientación del cristal es
sólo ± 0,5°
3, la oblea es pulida por tecnología de pulido mecánico químico
(CMP), rugosidad de la superficie < 0,5 nm
4, para lograr los requisitos de "caja abierta lista para usar"
5, de acuerdo con las necesidades del usuario, especificaciones
especiales de procesamiento del producto
el cristal | - ¿ Qué es eso? | Tipo de producto | | movilidad ((cm2/V.s) | MPD ((cm-2) | El tamaño | |
InAs | No-dopaje | No | 5*1016 | 32*104 | Se trata de los siguientes: | Para los vehículos de la categoría M2 | |
InAs | No | No | (5-20) *1017 | > 2000 | Se trata de los siguientes: | Para los vehículos de la categoría M2 | |
InAs | El Zn | P | (1-20) *1017 | Entre 100 y 300 | Se trata de los siguientes: | Para los vehículos de la categoría M2 | |
InAs | El S | No | (1-10) * 1017 | > 2000 | Se trata de los siguientes: | Para los vehículos de la categoría M2 | |
tamaño (mm) | Dia50.8x0.5mm, 10×10×0.5mm, 10×5×0.5mm puede ser personalizado | ||||||
el | El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero. | ||||||
Polonés | con una superficie superior a 300 m2, | ||||||
paquete | Bolsa de plástico de limpieza de 100 grados en 1000 salas de limpieza |
--- Preguntas frecuentes
R: Generalmente son 5-10 días si las mercancías están en stock. o
son 15-20 días si las mercancías no están en stock.
En stock, es según la cantidad.