Solo arseniuro InAs Substrate de Crystal Monocrystal Semiconductor Substrate Indium

Number modelo:Arseniuro del indio (InAs)
Lugar del origen:China
Cantidad de orden mínima:3 PIEZAS
Condiciones de pago:T/T, Western Union
capacidad de la fuente:500pcs
Plazo de expedición:2-4weeks
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Shanghai Shanghai China
Dirección: Habitación.1-1805, No.1079 calle Dianshanhu, área de Qingpu ciudad de Shanghai, China /201799
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Detalles del producto Perfil de la compañía
Detalles del producto

2 a 4 pulgadas de antimonuro de galio GaSb Substrato monocristalino de cristal único para semiconductores
Arsenuro de indio InAs Substrato monocristalino monocristalino Substrato semiconductor
Substrato de semiconductor de cristal único Arsenido de indio InAs
 
Aplicación
Los sustratos de semiconductores de cristal único de arseniuro de indio (InAs) son materiales con propiedades únicas, ampliamente utilizados en los campos de la electrónica y la optoelectrónica.

1.Detectores infrarrojos de alto rendimiento

Debido a su estrecho intervalo de banda, los sustratos de InAs son ideales para la fabricación de detectores infrarrojos de alto rendimiento, particularmente en los rangos infrarrojos de longitud de onda media y larga.Estos detectores son esenciales en aplicaciones como la visión nocturna., imágenes térmicas y monitoreo ambiental.

2.Tecnología de puntos cuánticos

InAs se utiliza en la fabricación de puntos cuánticos, que son críticos para el desarrollo de dispositivos optoelectrónicos avanzados como láseres de puntos cuánticos, sistemas de computación cuántica y células solares de alta eficiencia.Su superior movilidad de electrones y efectos de confinamiento cuántico lo convierten en un candidato principal para dispositivos semiconductores de próxima generación.

3.Electrónica de alta velocidad

Los sustratos InAs ofrecen una excelente movilidad de electrones, por lo que son adecuados para la electrónica de alta velocidad,como transistores de alta frecuencia (HEMT) y circuitos integrados de alta velocidad utilizados en sistemas de telecomunicaciones y radar.

4.Dispositivos optoelectrónicos

InAs es un material popular para la fabricación de dispositivos optoelectrónicos, como láseres y fotodetectores, debido a su intervalo de banda directo y alta movilidad de electrones.Estos dispositivos son críticos para las aplicaciones en la comunicación de fibra óptica, imágenes médicas y espectroscopia.

5.Dispositivos termoeléctricos

Las propiedades termoeléctricas superiores de InAs lo convierten en un candidato prometedor para generadores y refrigeradores termoeléctricos.que se utilizan para convertir gradientes de temperatura en energía eléctrica y para aplicaciones de refrigeración en electrónica.
En resumen, los sustratos InAs desempeñan un papel crucial en tecnologías avanzadas que van desde la detección infrarroja hasta la computación cuántica y la electrónica de alta velocidad.lo que los hace indispensables en las aplicaciones modernas de semiconductores y optoelectrónica.
 
InComo sustrato
 

Nombre del productoCristales de arseniuro de indio (InAs)
Especificaciones del producto

Método de cultivo: CZ

Orientación de los cristales: <100>

Tipo de conductor: tipo N

Tipo de dopaje: sin dopaje

Concentración del portador: 2 ~ 5E16 / cm 3
Mobilidad: > 18500 cm2 / VS
Especificaciones comunes Dimensiones: dia 4 "× 0,45 1sp

Paquete estándar1000 salas limpias, 100 bolsas limpias o una sola caja

 

InAs especificación del producto
 
Crecimiento
El LEC
Diámetro
2 1/2 pulgadas
El grosor
500 a 625 mm
Orientación
< 100> / < 111> / < 110> o otros
Fuera de la orientación
Desviación de 2° a 10°
Superficie
PPS/PDS
Opciones planas
Es un trastorno genital.
TTV
El valor de las emisiones de CO2
El EPD
El valor de las demás partidas del producto
Grado
Calidad de polido epi / calidad mecánica
Paquete
Paquete

 

Especificación eléctrica y de dopaje
Disponible el dopante
S / Zn / Sin dopaje
Tipo de conductividad
N / P
Concentración
1E17 - 5E18 cm-3
Movilidad
100 ~ 25000 cm2 / v.s.

 
InAsSb/In-AsPSb, InNAsSb y otros materiales de heterounión pueden cultivarse en cristal único de InAs como sustrato,y se puede fabricar un dispositivo emisor de luz infrarroja con una longitud de onda de 2 a 14 μmEl material de la estructura de superrejilla de AlGaSb también se puede cultivar epitaxialmente mediante el uso de un solo sustrato de cristal InAs.Estos dispositivos infrarrojos tienen buenas perspectivas de aplicación en los campos del monitoreo de gasesAdemás, los cristales individuales de InAs tienen una alta movilidad electrónica y son materiales ideales para fabricar dispositivos Hall.
 
Características:
1El cristal se cultiva mediante tecnología de dibujo recto sellado por líquido (LEC), con tecnología madura y rendimiento eléctrico estable.
2, utilizando el instrumento direccional de rayos X para la orientación precisa, la desviación de orientación del cristal es sólo ± 0,5°
3, la oblea es pulida por tecnología de pulido mecánico químico (CMP), rugosidad de la superficie < 0,5 nm
4, para lograr los requisitos de "caja abierta lista para usar"
5, de acuerdo con las necesidades del usuario, especificaciones especiales de procesamiento del producto
 

 
 

el cristal- ¿ Qué es eso?Tipo de producto

 
Concentración del portador iónico
en cm-3

movilidad ((cm2/V.s)MPD ((cm-2)El tamaño
InAsNo-dopajeNo5*101632*104Se trata de los siguientes:

Para los vehículos de la categoría M2
Para las máquinas de la categoría M1

InAsNoNo(5-20) *1017> 2000Se trata de los siguientes:

Para los vehículos de la categoría M2
Para las máquinas de la categoría M1

InAsEl ZnP(1-20) *1017Entre 100 y 300Se trata de los siguientes:

Para los vehículos de la categoría M2
Para las máquinas de la categoría M1

InAsEl SNo(1-10) * 1017> 2000Se trata de los siguientes:

Para los vehículos de la categoría M2
Para las máquinas de la categoría M1

tamaño (mm)Dia50.8x0.5mm, 10×10×0.5mm, 10×5×0.5mm puede ser personalizado
elEl valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero.
Polonéscon una superficie superior a 300 m2,
paqueteBolsa de plástico de limpieza de 100 grados en 1000 salas de limpieza

 

 
--- Preguntas frecuentes

P: ¿ Es usted una empresa comercial o un fabricante?

A: zmkj es una empresa comercial pero tienen un fabricante de zafiro
como proveedor de obleas de materiales semiconductores para una amplia gama de aplicaciones.

P: ¿Cuánto dura su plazo de entrega?

R: Generalmente son 5-10 días si las mercancías están en stock. o son 15-20 días si las mercancías no están en stock.
En stock, es según la cantidad.

P: ¿ Proporciona muestras? ¿ Es gratis o extra?

R: Sí, podríamos ofrecer la muestra de forma gratuita, pero no pagar el costo de flete.

P: ¿ Cuáles son sus términos de pago?

R: Pago <=1000USD, 100% por adelantado.
50% T/T por adelantado, saldo antes del envío.

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