Substrato sin impurificar semi aislador de la oblea del arseniuro de galio para el LED que enciende 2inch 3inch 4inch
Number modelo:2inch SEMI
Lugar del origen:China
Cantidad de orden mínima:5pcs
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Capacidad de la fuente:500pcs por mes
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Detalles del producto
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Detalles del producto
tipo oblea de 2inch/3inch /4inch /6inch S-C-N del GaAs del arseniuro de galio de /Si-doped del semi-aislamiento
Descripción de producto
Nuestro 2' ‘a 6" ‘cristal semiconductor y semiaislante y oblea del GaAs se utiliza violentamente en el uso del uso del circuito integrado del semiconductor y de la iluminación general del LED.
Característica y uso de la oblea del GaAs
| Característica | Campo del uso |
|---|---|
| Alta movilidad de electrón | Diodos electroluminosos |
| De alta frecuencia | Diodos láser |
| Alta eficacia de conversión | Dispositivos fotovoltaicos |
| Bajo consumo de energía | Alto transistor de movilidad de electrón |
| Hueco de banda directo | Transistor bipolar de la heterounión |
DESCRIPCIÓN DE PRODUCTO
Especificaciones de la oblea semiconductora del GaAs
Método del crecimiento | VGF | |||
Dopante | p-tipo: Zn | n-tipo: Si | ||
Forma de la oblea | Ronda (diámetro: 2", 3", 4", 6") | |||
Orientación superficial * | (100) ±0.5° | |||
* otras orientaciones quizá disponibles a petición | ||||
Dopante | Si (n-tipo) | Zn (p-tipo) | ||
Concentración de portador (cm-3) | (0.8-4) × 1018 | (0.5-5) × 1019 | ||
Movilidad (cm2/V.S.) | × 103 (de 1-2.5) | 50-120 | ||
Densidad de la echada del grabado de pistas (cm2s) | 100-5000 | 3,000-5,000 | ||
Diámetro de la oblea (milímetros) | 50.8±0.3 | 76.2±0.3 | 100±0.3 | |
Grueso (µm) | 350±25 | 625±25 | 625±25 | |
TTV [P/P] (µm) | ≤ 4 | ≤ 4 | ≤ 4 | |
TTV [P/E] (µm) | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 | |
DEFORMACIÓN (µm) | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 | |
DE (milímetros) | 17±1 | 22±1 | 32.5±1 | |
DE/SI (milímetros) | 7±1 | 12±1 | 18±1 | |
Polish* | E/E, | E/E, | E/E, | |
Especificaciones de la oblea semiaislante del GaAs
Método del crecimiento | VGF | |||
Dopante | Tipo del SI: Carbono | |||
Forma de la oblea | Ronda (diámetro: 2", 3", 4", 6") | |||
Orientación superficial * | (100) ±0.5° | |||
* otras orientaciones quizá disponibles a petición | ||||
Resistencia (Ω.cm) | × 107 del ≥ 1 | × 108 del ≥ 1 | ||
Movilidad (cm2/V.S) | ≥ 5.000 | ≥ 4.000 | ||
Densidad de la echada del grabado de pistas (cm2s) | 1,500-5,000 | 1,500-5,000 | ||
Diámetro de la oblea (milímetros) | 50.8±0.3 | 76.2±0.3 | 100±0.3 | 150±0.3 |
Grueso (µm) | 350±25 | 625±25 | 625±25 | 675±25 |
TTV [P/P] (µm) | ≤ 4 | ≤ 4 | ≤ 4 | ≤ 4 |
TTV [P/E] (µm) | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 |
DEFORMACIÓN (µm) | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 15 |
DE (milímetros) | 17±1 | 22±1 | 32.5±1 | MUESCA |
DE/SI (milímetros) | 7±1 | 12±1 | 18±1 | N/A |
Polish* | E/E, | E/E, | E/E, | E/E, |
FAQ –
Q: ¿Qué usted puede suministrar logística y coste?
(1) aceptamos DHL, Fedex, TNT, UPS, el ccsme, SF y el etc.
(2) si usted tiene su propio número expreso, es grande.
Si no, podríamos ayudarle para entregar. Freight=USD25.0 (el primer
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Q: ¿Cuál es el MOQ?
(1) para el inventario, el MOQ es 5pcs.
(2) para los productos modificados para requisitos particulares, el
MOQ es 5pcs-20pcs.
Depende de cantidad y de técnicas
Q: ¿Usted tiene informe de inspección para el material?
Podemos suministrar el informe de detalle para nuestros productos.
Empaquetado – Logistcs
nos referimos a cada uno los detalles del paquete, limpieza,
tratamiento antiestático, por electrochoque. Según la cantidad y la
forma del producto,
¡tomaremos un diverso proceso de empaquetado!
Substrato sin impurificar semi aislador de la oblea del arseniuro de galio para el LED que enciende 2inch 3inch 4inch
Carro de la investigación
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