Tipo substrato de la pulgada N de VGF 6 del semiconductor del GaAs para el crecimiento epitaxial
Number modelo:S-C-N
Lugar del origen:NC
Cantidad de orden mínima:3pcs
Condiciones de pago:T/T, Western Union
Plazo de expedición:2-6weeks
Detalles de empaquetado:solo envase de la oblea bajo sitio de limpieza
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Habitación.1-1805, No.1079 calle Dianshanhu, área de Qingpu ciudad de Shanghai, China /201799
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N-tipo oblea primera de VGF 2inch 4inch 6inch del GaAs del grado para el crecimiento epitaxial
La oblea del GaAs (arseniuro de galio) es una alternativa ventajosa al silicio que se ha estado desarrollando en la industria del semiconductor. Menos consumo de energía y más eficacia ofrecidos por las obleas de este GaAs están atrayendo a los jugadores de mercado para adoptar estas obleas, de tal modo aumentando la demanda para la oblea del GaAs. Generalmente, esta oblea se utiliza para fabricar los semiconductores, diodos electroluminosos, termómetros, circuitos electrónicos, y barómetros, además de encontrar el uso en la fabricación de aleaciones de temperatura de fusión baja. Como el semiconductor y el circuito electrónico las industrias continúan tocando nuevos picos, el mercado del GaAs están resonando. El arseniuro de galio de la oblea del GaAs tiene el poder de generar la luz laser de la electricidad. El cristal especialmente policristalino y solo es el tipo principal dos de obleas del GaAs, que se utilizan en la producción de la microelectrónica y de optoelectrónica para crear el LD, el LED, y los circuitos de la microonda. Por lo tanto, la gama extensa de usos del GaAs, particularmente en optoelectrónica e industria de la microelectrónica está creando una afluencia de la demanda en mercado de la oblea de los theGaAs. Previamente, los dispositivos optoelectrónicos fueron utilizados principalmente en una gama amplia en comunicaciones ópticas de corto alcance y periférico de ordenador. Pero ahora, están en la demanda para algunos usos emergentes tales como LiDAR, realidad aumentada, y reconocimiento de cara. LEC y VGF son dos métodos populares que están mejorando la producción de oblea del GaAs con la alta uniformidad de propiedades eléctricas y de la calidad superficial excelente. La movilidad de electrón, el solo empalme banda-Gap, una eficacia más alta, la resistencia del calor y de humedad, y la flexibilidad superior son las cinco ventajas distintas del GaAs, que están mejorando la aceptación de las obleas del GaAs en la industria del semiconductor.
Qué proporcionamos:
Artículo | Y/N | Artículo | Y/N | Artículo | Y/N |
Cristal del GaAs | sí | Grado electrónico | sí | Tipo de N | sí |
Espacio en blanco del GaAs | sí | Grado infrarrojo | sí | Tipo de P | sí |
Substrato del GaAs | sí | Grado de la célula | sí | Sin impurificar | sí |
Oblea del epi del GaAs | sí | ||||
Detalle de la especificación:
| GaAs (arseniuro de galio) para los usos del LED | ||
| Artículo | Especificaciones | Observaciones |
| Tipo de la conducción | SC/n-type | |
| Método del crecimiento | VGF | |
| Dopante | Silicio | |
| Oblea Diamter | 2, 3 y 4 pulgadas | Lingote o como-corte disponible |
| Crystal Orientation | (100) 2°/6°/15° de (110) | El otro misorientation disponible |
| DE | EJ o los E.E.U.U. | |
| Concentración de portador | (0.4~2.5) E18/cm3 | |
| Resistencia en el RT | (1.5~9) E-3 Ohm.cm | |
| Movilidad | 1500~3000 cm2s/V.sec | |
| Grabado de pistas Pit Density | <500> | |
| Marca del laser | a petición | |
| Final superficial | P/E o P/P | |
| Grueso | 220~350um | |
| Epitaxia lista | Sí | |
| Paquete | Solo envase o casete de la oblea | |
GaAs (arseniuro de galio), semiaislante para los usos de la microelectrónica
| ||
Artículo | Especificaciones | Observaciones |
Tipo de la conducción | Aislamiento | |
Método del crecimiento | VGF | |
Dopante | Sin impurificar | |
Oblea Diamter | 2, 3, 4 y 6 pulgadas | Lingote disponible |
Crystal Orientation | (100) +/- 0.5° | |
DE | EJ, los E.E.U.U. o muesca | |
Concentración de portador | n/a | |
Resistencia en el RT | >1E7 Ohm.cm | |
Movilidad | >5000 cm2s/V.sec | |
Grabado de pistas Pit Density | <8000> | |
Marca del laser | a petición | |
Final superficial | P/P | |
Grueso | 350~675um | |
Epitaxia lista | Sí | |
Paquete | Solo envase o casete de la oblea | |
| No. | Artículo | Especificación estándar | |||||
| 1 | Tamaño | 2" | 3" | 4" | 6" | ||
| 2 | Diámetro | milímetro | 50.8±0.2 | 76.2±0.2 | 100±0.2 | 150±0.5 | |
| 3 | Método del crecimiento | VGF | |||||
| 4 | Dopado | Sin impurificar, o Si-dopado, o Zn-dopado | |||||
| 5 | Conductor Type | N/A, o SC/N, o SC/P | |||||
| 6 | Grueso | μm | (220-350) ±20 o (350-675) ±25 | ||||
| 7 | Crystal Orientation | <100>±0.5 o 2 apagado | |||||
| Opción de la orientación de OF/IF | EJ, los E.E.U.U. o muesca | ||||||
| Plano de la orientación (DE) | milímetro | 16±1 | 22±1 | 32±1 | - | ||
| Plano de la identificación (SI) | milímetro | 8±1 | 11±1 | 18±1 | - | ||
| 8 | Resistencia | (No para Mecánico Grado) | Ω.cm | (1-30) ‘107, o (0.8-9) ‘10-3, o 1' 10-2-10-3 | |||
| Movilidad | cm2/v.s | ≥ 5.000, o 1,500-3,000 | |||||
| Concentración de portador | cm-3 | (0.3-1.0) x1018, o (0.4-4.0) x1018, o como SEMI | |||||
| 9 | TTV | μm | ≤10 | ||||
| Arco | μm | ≤10 | |||||
| Deformación | μm | ≤10 | |||||
| EPD | cm-2 | ≤ 8.000 o ≤ 5.000 | |||||
| Frente/superficie trasera | P/E, P/P | ||||||
| Perfil del borde | Como SEMI | ||||||
| Cuenta de partícula | <50>0,3 μm, cuentas/obleas), o COMO SEMI | ||||||
| 10 | Marca del laser | Lado trasero o a petición | |||||
| 11 | Empaquetado | Solo envase o casete de la oblea | |||||
Detalle del paquete:
Tipo substrato de la pulgada N de VGF 6 del semiconductor del GaAs para el crecimiento epitaxial
Carro de la investigación
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