4Inch modificó AXIS para requisitos particulares Sapphire Wafers For Epitaxial Growth 430um SSP DSP
Número de modelo:2 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas 8 pulgadas 12 pulgadas
Lugar del origen:China
Cantidad de orden mínima:25pcs
Condiciones de pago:T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente:1000pcs por mes
Plazo de expedición:1-4weeks
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Shanghai Shanghai China
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Habitación.1-1805, No.1079 calle Dianshanhu, área de Qingpu ciudad de Shanghai, China /201799
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2inch /3inch 4inch /5inch/6inch C-axis/a axis/ r axis/ m-axis 6"/6inch dia150mm C-plane Sapphire SSP/DSP wafers with 650um/1000um Thickness2inch 4inch customized A axis sapphire wafers for epitaxial growth 430um SSP DSP
Sobre el cristal sintético de zafiro
Debido a la red menos incompatible y a las propiedades químicas y físicas estables, la oblea de zafiro ((Al2O3) es el sustrato popular para los nitritos III-V, superconductores y epi-películas magnéticas.Se utilizan ampliamente en GaN y crecimiento epitaxial de película delgada, el silicio en el zafiro, el mercado de LED y la industria óptica.
ZMSH es un proveedor profesional de obleas de zafiro que fabrica obleas de zafiro pulidas de cristal único de alta pureza 99.999% para epitaxia.Y nuestros sustratos de zafiro (Al2O3) cuentan con un excelente acabado superficial, que es el parámetro LED clave.
Si usted está buscando proveedores confiables de obleas de zafiro, por favor no dude en ponerse en contacto con nosotros.
Propiedades del zafiro para A-PLANE (11-20) WAFERAS DE ZAFIRO
Las obeliscas de zafiro planas tienen una constante dieléctrica uniforme y una característica de aislamiento muy alta, por lo que generalmente se utilizan para aplicaciones microelectrónicas híbridas.Esta orientación también se puede utilizar para el crecimiento de altos superconductores.
Por ejemplo, TlBaCaCuO (TbBaCaCuO), Tl-2212, la película delgada superconductora heteroepitaxial se cultiva en un sustrato compuesto de óxido de cerio zafiro (CeO2).La disponibilidad de acabados de superficie de nivel Angstrom permite interconexiones de líneas finas de módulos híbridos.
Especificaciones de las obleas de zafiro de plano A (11-20)
| Punto de trabajo | 2 pulgadas de plano A ((11-20) 430μm Wafers de zafiro | |
| Materiales de cristal | 99Al2O3 monocristalino de alta pureza | |
| Grado | Primero, Epi-Listo | |
| Orientación de la superficie | A-plano ((11-20) | |
| Diámetro | 50.8 mm +/- 0,1 mm | |
| El grosor | 430 μm +/- 25 μm | |
| Orientación plana primaria | Se aplicará el método siguiente: | |
| Duración plana primaria | 16.0 mm +/- 1,0 mm | |
| Lustrado de un solo lado | Superficie delantera | Aplicación del método de calibración de las emisiones |
| (SSP) | Superficie trasera | Se aplicará un método de ensayo para determinar el valor de los residuos. |
| Lustrado de doble cara | Superficie delantera | Aplicación del método de calibración de las emisiones |
| (DSP) | Superficie trasera | Aplicación del método de calibración de las emisiones |
| TTV | < 10 μm | |
| - ¿Qué quieres decir? | < 10 μm | |
| El uso de la tecnología WARP | < 10 μm | |
| Limpieza / Envasado | limpieza de salas limpias y embalaje al vacío de clase 100, | |
| 25 piezas en un embalaje de cassette o en un embalaje de una sola pieza. | ||
Nota: Se pueden suministrar obleas y sustratos de zafiro personalizados de cualquier orientación y espesor.
CATALOGO Lista de las existencias
| 2 pulgadas | DSP C-AXIS 0.1mm/ 0.175mm/ 0.2mm/ 0.3mm/ 0.4mm/ 0.5mm/ 1.0mmt El eje C de la SSP 0,2/0,43 mm (DSP y SSP) Oferta de zafiro de plano A (1120) Oferta de zafiro de plano R (1102) Oferta de zafiro de plano M (1010)
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| 3 pulgadas | DSP/SSP eje C 0,43 mm/0,5 mm
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| 4 pulgadas | el eje dsp c 0,4 mm/ 0,5 mm/ 1,0 mm el eje ssp c 0,5 mm/0,65 mm/1,0 mmt
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| 6 pulgadas | el eje ssp c 1,0 mm/1,3 mm
el eje dsp c 0,65 mm/0,8 mm/1,0 mmt
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Pago / Envío
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4Inch modificó AXIS para requisitos particulares Sapphire Wafers For Epitaxial Growth 430um SSP DSP
Carro de la investigación
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