Oblea modificada para requisitos particulares del nitruro del galio del tamaño 5x10m m M Axis Free Standing HVPE
Number modelo:5x10m m m-AXIS
Lugar del origen:China
Cantidad de orden mínima:10PCS
Condiciones de pago:T/T, Western Union
Capacidad de la fuente:50pcs por mes
Plazo de expedición:1-5weeks
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Shanghai Shanghai China
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Habitación.1-1805, No.1079 calle Dianshanhu, área de Qingpu ciudad de Shanghai, China /201799
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Detalles del producto
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Detalles del producto
plantilla de los substratos de 2inch GaN, oblea para LeD, oblea semiconductora para el ld, plantilla de GaN, mocvd GaN Wafer, GaN Substrates libre por tamaño modificado para requisitos particulares, oblea tamaño pequeño para el LED, oblea 10x10m m, 5x5m m, oblea de 10x5m m GaN, GaN Substrates libre no polar de GaN del nitruro del galio de GaN del nitruro del galio del mocvd (uno-avión y m-avión)
wafe libre modificado para requisitos particulares del substrato del tamaño 5x10m m m-AXIS HVPE GaN
GaN Wafer Characteristic
- III-nitruro (GaN, AlN, mesón)
El nitruro del galio es una clase de semiconductores compuestos de ancho-Gap. El substrato del nitruro del galio (GaN) es
un substrato monocristal de alta calidad. Se hace con método de HVPE y la tecnología de proceso originales de la oblea, que se ha desarrollado originalmente para 10+years en China. Las características son alta uniformidad cristalina, buena, y calidad superficial superior. Los substratos de GaN se utilizan para muchas clases de usos, para el LED blanco y el LD (violeta, azul y verde) además, desarrollo ha progresado para el poder y las aplicaciones para dispositivos electrónicas de alta frecuencia.
El ancho de banda prohibido (luminescente y absorción) cubre la luz y el infrarrojo ultravioletas, visibles.
Usos
GaN se puede utilizar en muchas áreas tales como pantalla LED,
detección de alta energía y proyección de imagen,
Exhibición de la proyección del laser, dispositivo de poder, etc.
- Dispositivos de alta frecuencia detección de alta energía de la microonda e imaginarse
- Nueva detección del ambiente de la tecnología del hidrógeno del solor de la energía y medicina biológica
- Banda del terahertz de la fuente de luz
- Exhibición de la proyección del laser, dispositivo de poder, etc. Almacenamiento de la fecha
- Iluminación económica de energía Exhibición a todo color del fla
- Laser Projecttions Dispositivos electrónicos de gran eficacia
GaN Substrates Specification libre
Nuestra empresa Vision de Factroy
proveeremos del substrato de alta calidad de GaN y de la tecnología del uso para la industria nuestra fábrica.
GaNmaterial de alta calidad es el factor de refrenamiento para el uso de los III-nitruros, e.g larga vida
y alta estabilidad LDs, poder más elevado y altos dispositivos de
la microonda de la confiabilidad, alto brillo
y eficacia alta, LED ahorro de energía.
Detalle de la entrega
- FAQ –
Q: ¿Qué usted puede suministrar logística y coste?
(1) aceptamos DHL, Fedex, TNT, UPS, el ccsme, SF y el etc.
(2) si usted tiene su propio número expreso, es grande.
Si no, podríamos ayudarle para entregar. Freight=USD25.0 (el primer
peso) + USD12.0/kg
Q: ¿Cuál es plazo de expedición?
(1) para los productos estándar tales como oblea de 2inch 0.35m m.
Para el inventario: la entrega es 5 días laborables después de
orden.
Para los productos modificados para requisitos particulares: la
entrega es 2 o 4 workweeks después de orden.
Q: ¿Cómo pagar?
100%T/T, Paypal, unión del oeste, MoneyGram, pago seguro y garantía
comercial.
Q: ¿Cuál es el MOQ?
(1) para el inventario, el MOQ es 1pcs.
(2) para los productos modificados para requisitos particulares, el
MOQ es 5pcs-10pcs.
Depende de cantidad y de técnicas.
Q: ¿Usted tiene informe de inspección para el material?
Podemos suministrar informe de ROHS y alcanzar los informes para
nuestros productos.
Oblea modificada para requisitos particulares del nitruro del galio del tamaño 5x10m m M Axis Free Standing HVPE
Carro de la investigación
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