5G vio el substrato del semiconductor de AlN del solo cristal del diámetro 10m m
Number modelo:Solo cristal UTI-AlN-10x10
Lugar del origen:China
Cantidad de orden mínima:1PCS
Condiciones de pago:T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente:10PCS/Month
Plazo de expedición:en 30days
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Shanghai Shanghai China
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Habitación.1-1805, No.1079 calle Dianshanhu, área de Qingpu ciudad de Shanghai, China /201799
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Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
10x10m m o diámetro 10m m dia25.4mm dia30mm, dia45mm, obleas cristalinas de AlN del substrato de dia50.8mm AlN solas
Usos de Plantilla de AlN
la tecnología de semiconductor Silicio-basada ha alcanzado sus
límites y no podía satisfacer los requisitos del futuro
dispositivos electrónicos. Como clase típica de material del
semiconductor 3rd/4th-generation, el nitruro de aluminio (AlN)
tiene
las propiedades físicas y químicas superiores tales como bandgap
ancho, alta conductividad termal, alta avería archivaron,
la alta resistencia electrónica de la movilidad y de la
corrosión/de radiación, y es un substrato perfecto para los
dispositivos optoelectrónicos,
los dispositivos electrónicos de los dispositivos de la
radiofrecuencia (RF), de alta potencia/de alta frecuencia, etc…
particularmente, substrato de AlN son
el mejor candidato a UV-LED, a los detectores ULTRAVIOLETA, lasers
ULTRAVIOLETA, radioinstrumentos de alta potencia/de alta frecuencia
de 5G y 5G SAW/BAW
dispositivos, que se podrían utilizar extensamente en la protección
del medio ambiente, electrónica, comunicaciones inalámbricas,
impresión,
¿campos de la biología, de la atención sanitaria, militares y otro,
tales como purificación/esterilización ULTRAVIOLETA, curado
ULTRAVIOLETA, photocatalysis, coun?
detección del terfeit, almacenamiento de alta densidad,
comunicación phototherapy, de la droga médica del descubrimiento,
inalámbrica y segura,
detección aeroespacial/del profundo-espacio y otros campos.
hemos desarrollado los seriales de procesos y de tecnologías
propietarios para fabricar
plantillas de alta calidad de AlN. Actualmente, nuestro OEM es
la única compañía por todo el mundo quién puede producir 2-6 la
pulgada AlN
plantillas en capacidad en grande de la producción industrial con
la capacidad de 300.000 pedazos en 2020 de encontrar explosivo
demanda de mercado de la comunicación inalámbrica UVC-LED, 5G, de
los detectores ULTRAVIOLETA y de los sensores etc
Proveemos actualmente de clientes nitrógeno de alta calidad
estandardizado de 10x10mm/Φ10mm/Φ15mm/Φ20mm/Φ25.4mm/Φ30mm/Φ50.8m m
De aluminio escoja los productos cristalinos del substrato, y puede también proveer de clientes 10-20m m no polar
substrato cristalino del nitruro de aluminio del M-avión solo, o modificar 5mm-50.8m m para requisitos particulares no estándar a los clientes
Solo substrato cristalino pulido del nitruro de aluminio. Este producto es ampliamente utilizado como material de gama alta del substrato
Utilizado en microprocesadores de UVC-LED, detectores ULTRAVIOLETA, lasers ULTRAVIOLETA, y diverso poder más elevado
temperatura de /High/campo de alta frecuencia del dispositivo electrónico.
De aluminio escoja los productos cristalinos del substrato, y puede también proveer de clientes 10-20m m no polar
substrato cristalino del nitruro de aluminio del M-avión solo, o modificar 5mm-50.8m m para requisitos particulares no estándar a los clientes
Solo substrato cristalino pulido del nitruro de aluminio. Este producto es ampliamente utilizado como material de gama alta del substrato
Utilizado en microprocesadores de UVC-LED, detectores ULTRAVIOLETA, lasers ULTRAVIOLETA, y diverso poder más elevado
temperatura de /High/campo de alta frecuencia del dispositivo electrónico.
Especificación característica
- Modelo Cristal de UTI-AlN-10x10B-single
- Diámetro 10x10±0.5m m;
- Grueso del substrato (µm) 400 ± 50
- Orientación C-AXIS [0001] +/- 0.5°
Grado de calidad S-grado (estupendo) P-grado (producción) R-grado (investigación)
- Grietas Ninguno Ninguno <3mm>
- FWHM-2θXRD@ (0002)<150><300> 0
- FWHM-HRXRD@ (10-12)<100><200> 0
- Aspereza superficial [los 5×5µm] (nanómetro) CMP de la Al-cara<0>
- Área usable el 90%
- Absorción<50>
- 1r de la orientación de la longitud {10-10} ±5°;
- TTV (µm) ≤30
- Arco (µm) ≤30
- Deformación (µm) -30~30
- Nota: Estos resultados de la caracterización pueden variar levemente dependiendo de los equipos y/o del software empleados
elemento de la impureza FE del Na W.P.S Ti de C O Si B
PPMW
27 90 5,4 0,92 0,23 <0>
| Estructura cristalina | Wurzita |
| Constante del enrejado (Å) | a=3.112, c=4.982 |
| Tipo de la banda de conducción | Bandgap directo |
| Densidad (g/cm3) | 3,23 |
| Microdureza superficial (prueba de Knoop) | 800 |
| Punto de fusión (℃) | 2750 (barra 10-100 en N2) |
| Conductividad termal (W/m·K) | 320 |
| Energía del hueco de banda (eV) | 6,28 |
| Movilidad de electrón (V·s/cm2) | 1100 |
| Campo eléctrico de la avería (MV/cm) | 11,7 |
5G vio el substrato del semiconductor de AlN del solo cristal del diámetro 10m m
Carro de la investigación
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