Oblea de 6 de la pulgada plantillas de Sapphire Based AlN para la ventana del zafiro de la oblea del zafiro de los dispositivos de 5G BAW
Number modelo:AlN-zafiro 2inch
Lugar del origen:China
Cantidad de orden mínima:5pcs
Condiciones de pago:T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente:50PCS/Month
Plazo de expedición:en 30days
Contacta
Add to Cart
Evaluación de proveedor
Shanghai Shanghai China
Dirección:
Habitación.1-1805, No.1079 calle Dianshanhu, área de Qingpu ciudad de Shanghai, China /201799
Proveedor Último login veces:
Dentro de 38 Horas
Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
el zafiro de 2inch 4iinch 6Inch basó la película de AlN de las plantillas de AlN en la oblea del zafiro de la ventana del zafiro del substrato del zafiro
Usos de Plantilla de AlN
la tecnología de semiconductor Silicio-basada ha alcanzado sus
límites y no podía satisfacer los requisitos del futuro
dispositivos electrónicos. Como clase típica de material del
semiconductor 3rd/4th-generation, el nitruro de aluminio (AlN)
tiene
las propiedades físicas y químicas superiores tales como bandgap
ancho, alta conductividad termal, alta avería archivaron,
la alta resistencia electrónica de la movilidad y de la
corrosión/de radiación, y es un substrato perfecto para los
dispositivos optoelectrónicos,
los dispositivos electrónicos de los dispositivos de la
radiofrecuencia (RF), de alta potencia/de alta frecuencia, etc…
particularmente, substrato de AlN son
el mejor candidato a UV-LED, a los detectores ULTRAVIOLETA, lasers
ULTRAVIOLETA, radioinstrumentos de alta potencia/de alta frecuencia
de 5G y 5G SAW/BAW
dispositivos, que se podrían utilizar extensamente en la protección
del medio ambiente, electrónica, comunicaciones inalámbricas,
impresión,
¿campos de la biología, de la atención sanitaria, militares y otro,
tales como purificación/esterilización ULTRAVIOLETA, curado
ULTRAVIOLETA, photocatalysis, coun?
detección del terfeit, almacenamiento de alta densidad,
comunicación phototherapy, de la droga médica del descubrimiento,
inalámbrica y segura,
detección aeroespacial/del profundo-espacio y otros campos.
hemos desarrollado los seriales de procesos y de tecnologías
propietarios para fabricar
plantillas de alta calidad de AlN. Actualmente, nuestro OEM es
la única compañía por todo el mundo quién puede producir 2-6 la
pulgada AlN
plantillas en capacidad en grande de la producción industrial con
la capacidad de 300.000 pedazos en 2020 de encontrar explosivo
demanda de mercado de la comunicación inalámbrica UVC-LED, 5G, de
los detectores ULTRAVIOLETA y de los sensores etc
Nuestro OEM ha desarrollado los seriales de tecnologías
propietarias y los reactores y las instalaciones del
crecimiento de -estado-de- art PVT a
fabrique diversos tamaños de las obleas monocristalinas de alta
calidad de AlN, temlpates de AlN. Somos uno del pocos
mundo-principales
¿compañías de alta tecnología que propio capa lleno de la
fabricación de AlN? bilities para producir los boules y las obleas
de alta calidad de AlN, y a proporcionar
¿profes? servicios del sional y soluciones de llavero a nuestros
clientes, dispuestos del diseño del reactor y del hotzone del
crecimiento,
modelado y simulación, diseño de proceso y optimización,
crecimiento cristalino,
¿characteriza wafering y material? tion. Hasta abril de
2019, han aplicado más de 27 patentes (PCT incluyendo).
Especificación
Especificaciónaracteristic del Ch
La otra especificación del relaterd 4INCH GaN Template
| Substratos del ₃ del ₂ O del Al de GaN/(4") 4inch | |||
| Artículo | Sin impurificar | N-tipo | Alto-dopado N-tipo |
| Tamaño (milímetros) | Φ100.0±0.5 (4") | ||
| Estructura del substrato | GaN en el zafiro (0001) | ||
| SurfaceFinished | (Estándar: Opción del SSP: DSP) | ||
| Grueso (μm) | 4.5±0.5; 20±2; Modificado para requisitos particulares | ||
| Tipo de la conducción | Sin impurificar | N-tipo | N-tipo Alto-dopado |
| Resistencia (Ω·cm) (300K) | ≤0.5 | ≤0.05 | ≤0.01 |
| GaN Thickness Uniformity | el ≤±10% (4") | ||
| Densidad de dislocación (cm2s) | ≤5×108 | ||
| Superficie usable | el >90% | ||
| Paquete | Empaquetado en un ambiente del sitio limpio de la clase 100. | ||
| Estructura cristalina | Wurzita |
| Constante del enrejado (Å) | a=3.112, c=4.982 |
| Tipo de la banda de conducción | Bandgap directo |
| Densidad (g/cm3) | 3,23 |
| Microdureza superficial (prueba de Knoop) | 800 |
| Punto de fusión (℃) | 2750 (barra 10-100 en N2) |
| Conductividad termal (W/m·K) | 320 |
| Energía del hueco de banda (eV) | 6,28 |
| Movilidad de electrón (V·s/cm2) | 1100 |
| Campo eléctrico de la avería (MV/cm) | 11,7 |
Oblea de 6 de la pulgada plantillas de Sapphire Based AlN para la ventana del zafiro de la oblea del zafiro de los dispositivos de 5G BAW
Carro de la investigación
0