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substrato solo Crystal Monocrystal de GaSb del antimoniuro de galio 2-4inch para el semiconductor
InAsSb/In-AsPSb, InNAsSb y otros materiales de la heterounión se pueden crecer en el solo cristal de InAs como el substrato, y un dispositivo luminescente infrarrojo con una longitud de onda del μm 2 a 14 puede ser fabricado. El material de la estructura del superretículo de AlGaSb se puede también epitaxial crecer usando el solo substrato cristalino de InAs. laser Mediados de-infrarrojo de la cascada del quántum. Estos dispositivos infrarrojos tienen buenas perspectivas del uso en los campos de la supervisión del gas, de la comunicación de pequeñas pérdidas de la fibra, del etc. además, los solos cristales de InAs tienen alta movilidad de electrón y son materiales ideales para hacer los dispositivos de pasillo.
Usos:
El solo cristal de InAs se puede utilizar como material del
substrato para crecer un material de la heteroestructura tal como
InAsSb/InAsPSb o InAsPSb para fabricar un dispositivo luminescente
infrarrojo que tiene una longitud de onda del μm 2-12. El material
de la estructura del superretículo de InAsPSb se puede también
epitaxial crecer usando el solo substrato cristalino de InAs para
fabricar un laser mediados de-infrarrojo de la cascada del quántum.
Estos dispositivos infrarrojos tienen buenas perspectivas del uso
en el campo de la detección del gas y de la comunicación de
pequeñas pérdidas de la fibra. Además, los solos cristales de InAs
tienen alta movilidad de electrón y son un material ideal para
hacer los dispositivos de pasillo.
Características:
1. El cristal es crecido por la tecnología líquido-sellada del
recto-dibujo (LEC), con tecnología madura y funcionamiento
eléctrico estable.
2, usando el instrumento direccional de la radiografía para la
orientación exacta, la desviación de la orientación cristalina es
solamente ±0.5°
3, la oblea es pulido por (CMP) la tecnología de pulido mecánica
química, aspereza superficial <0> 4, para alcanzar los
requisitos listos para utilizar de la “caja abierta”
5, según exigencias del consumidor, proceso especial del producto
de las especificaciones
cristalino | droga | tipo |
Concentración de portador del ion cm-3 | movilidad (cm2/V.s) | MPD (cm2s) | TAMAÑO | |
InAs | O.N.U-droga | N | 5*1016 | ³ 2*104 | <5> | Φ2 ″ ×0.5mm Φ3 ″ ×0.5mm | |
InAs | Sn | N | (5-20) *1017 | >2000 | <5> | Φ2 ″ ×0.5mm Φ3 ″ ×0.5mm | |
InAs | Zn | P | (1-20) *1017 | 100-300 | <5> | Φ2 ″ ×0.5mm Φ3 ″ ×0.5mm | |
InAs | S | N | (1-10) *1017 | >2000 | <5> | Φ2 ″ ×0.5mm Φ3 ″ ×0.5mm | |
tamaño (milímetros) | Dia50.8x0.5mm, 10×10×0.5m m, 10×5×0.5m m puede ser modificado para requisitos particulares | ||||||
ra | Aspereza superficial (Ra):<> | ||||||
pulimento | solo o los dobles eche a un lado pulido | ||||||
paquete | la bolsa de plástico de la limpieza de 100 grados en el sitio 1000 de limpieza |
---FAQ –
: Es generalmente 5-10 días si las mercancías están en existencia. o es 15-20 días si no son las mercancías
en existencia, está según cantidad.