TIPO obleas cristalinas monocristalinas de 2-4inch N/P de los substratos de InAs del substrato del semiconductor

Número de modelo:Arseniuro (InAs) del indio
Lugar del origen:China
Cantidad de orden mínima:3pcs
Condiciones de pago:T / T, Western Union
Capacidad de la fuente:500pcs
Plazo de expedición:2-4 semanas
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Shanghai Shanghai China
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Detalles del producto

substrato solo Crystal Monocrystal de GaSb del antimoniuro de galio 2-4inch para el semiconductor

 

InAsSb/In-AsPSb, InNAsSb y otros materiales de la heterounión se pueden crecer en el solo cristal de InAs como el substrato, y un dispositivo luminescente infrarrojo con una longitud de onda del μm 2 a 14 puede ser fabricado. El material de la estructura del superretículo de AlGaSb se puede también epitaxial crecer usando el solo substrato cristalino de InAs. laser Mediados de-infrarrojo de la cascada del quántum. Estos dispositivos infrarrojos tienen buenas perspectivas del uso en los campos de la supervisión del gas, de la comunicación de pequeñas pérdidas de la fibra, del etc. además, los solos cristales de InAs tienen alta movilidad de electrón y son materiales ideales para hacer los dispositivos de pasillo.

 

Usos:
El solo cristal de InAs se puede utilizar como material del substrato para crecer un material de la heteroestructura tal como InAsSb/InAsPSb o InAsPSb para fabricar un dispositivo luminescente infrarrojo que tiene una longitud de onda del μm 2-12. El material de la estructura del superretículo de InAsPSb se puede también epitaxial crecer usando el solo substrato cristalino de InAs para fabricar un laser mediados de-infrarrojo de la cascada del quántum. Estos dispositivos infrarrojos tienen buenas perspectivas del uso en el campo de la detección del gas y de la comunicación de pequeñas pérdidas de la fibra. Además, los solos cristales de InAs tienen alta movilidad de electrón y son un material ideal para hacer los dispositivos de pasillo.

 

Características:
1. El cristal es crecido por la tecnología líquido-sellada del recto-dibujo (LEC), con tecnología madura y funcionamiento eléctrico estable.
2, usando el instrumento direccional de la radiografía para la orientación exacta, la desviación de la orientación cristalina es solamente ±0.5°
3, la oblea es pulido por (CMP) la tecnología de pulido mecánica química, aspereza superficial <0> 4, para alcanzar los requisitos listos para utilizar de la “caja abierta”
5, según exigencias del consumidor, proceso especial del producto de las especificaciones

 

 

 

   
cristalinodrogatipo

 

Concentración de portador del ion

 

cm-3

movilidad (cm2/V.s)MPD (cm2s)TAMAÑO
InAsO.N.U-drogaN5*1016³ 2*104<5>

Φ2 ″ ×0.5mm

Φ3 ″ ×0.5mm

InAsSnN(5-20) *1017>2000<5>

Φ2 ″ ×0.5mm

Φ3 ″ ×0.5mm

InAsZnP(1-20) *1017100-300<5>

Φ2 ″ ×0.5mm

Φ3 ″ ×0.5mm

InAsSN(1-10) *1017>2000<5>

Φ2 ″ ×0.5mm

Φ3 ″ ×0.5mm

tamaño (milímetros)Dia50.8x0.5mm, 10×10×0.5m m, 10×5×0.5m m puede ser modificado para requisitos particulares
raAspereza superficial (Ra):<>
pulimentosolo o los dobles eche a un lado pulido
paquetela bolsa de plástico de la limpieza de 100 grados en el sitio 1000 de limpieza

 

---FAQ –

Q: ¿Es usted empresa comercial o el fabricante?

: el zmkj es una empresa comercial pero tiene un fabricante del zafiro
 como proveedor de las obleas de los materiales del semiconductor para un palmo ancho de usos.

Q: ¿Cuánto tiempo es su plazo de expedición?

: Es generalmente 5-10 días si las mercancías están en existencia. o es 15-20 días si no son las mercancías

en existencia, está según cantidad.

Q: ¿Usted proporciona muestras? ¿está él libremente o adicional?

: Sí, podríamos ofrecer la carga de la muestra gratis pero no pagamos el coste de carga.

Q: ¿Cuál es sus términos del pago?

: Payment=1000USD<>,
El 50% T/T por adelantado, balanza antes del envío.
Si usted tiene otra pregunta, los pls no dude en para entrarnos en contacto con como abajo:

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