2 el grueso cristalino de la oblea 0,3 de Gap del substrato del fosfuro del galio de la pulgada traslapó la superficie

Número de modelo:2inch
Lugar del origen:China
Cantidad de orden mínima:5pcs
Condiciones de pago:T / T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente:100PCS
Plazo de expedición:2-4 semanas
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Detalles del producto

 

 

 

cristales substrato cristalino, oblea del fosfuro del galio de 2-6 pulgadas (Gap) de Gap

 

La poder de ZMKJ proporciona la oblea de 2inch Gap – fosfuro del galio que son crecidas por LEC (Czochralski encapsulado líquido) como grado epi-listo o mecánico con el tipo de n, el tipo de p o semiaislante en diversa orientación (111) o (100).

El fosfuro del galio (Gap), un fosfuro del galio, es un material del semiconductor compuesto con un hueco de banda indirecta de 2.26eV (300K). El material policristalino tiene el aspecto de pedazos anaranjados pálidos. Las solas obleas cristalinas sin impurificar aparecen naranja clara, pero las obleas fuertemente dopadas aparecen un más oscuro debido a la absorción del libre-portador. Es inodora e insoluble en agua. El azufre o el telurio se utiliza como dopantes para producir el n-tipo semiconductores. El cinc se utiliza como dopante para el p-tipo semiconductor. El fosfuro del galio tiene usos en sistemas ópticos. Su índice de refracción está entre 4,30 en 262 nanómetro (ULTRAVIOLETA), 3,45 en 550 nanómetro (verde) y 3,19 en 840 nanómetro (IR).

 

oblea de alta calidad de Gap del solo cristal (fosfuro del galio) a la industria electrónica y optoelectrónica en diámetro hasta 2 pulgadas. El cristal del fosfuro del galio (Gap) es un material semitranslúcido naranja-amarillo formado por dos elementos, la oblea de Gap es un material importante del semiconductor que tengan propiedades eléctricas únicas pues otros materiales del compuesto de III-V y son ampliamente utilizados como LED rojo, amarillo, y verde (diodos electroluminosos). Tenemos oblea de Gap del solo cristal del como-corte para su uso de LPE, y también proporcionamos la oblea lista de Gap del grado del epi para su uso epitaxial del MOCVD y del MBE. Éntrenos en contacto con por favor para más información de producto.

 

Eléctrico y dopando la especificación

 

Nombre de producto:Substrato cristalino del fosfuro del galio (Gap)

Parámetros técnicos:

 

 

 

 
Estructura cristalinaCúbico a = 5,4505 Å
Método del crecimientoMétodo de Czochralski
Densidad4,13 g/cm 3
P.M.o 1480 C 1
Coeficiente de la extensión termal5,3 x10 -6/O C
Dopantesin impurificar S-dopada
Dirección<111> u <100> <100> o <111>
TipoN N
Conductividad termal2 ~ 8 x10 17/cm 3 4 ~ 6 x10 16/cm 3
Resistencia W.cm0,03 a 0,3
EPD (cm -2)<3x10>5 <3x10>5
 
Especificaciones:

 

Direcciones cristalográficas: <111>, <100> ± 0,5 o

Tamaño pulido estándar: Ø2 “* 0.35m m; Ø2” * 0.43m m. Ø3 " x0.3mm

Nota: según requisitos de cliente con dimensiones especiales y substratos de la orientación
 
StandardPackingbolso limpio 1000 sitio limpio, 100 o solo empaquetado de la caja

 

Dopante disponibleS / Zn/Cr/sin impurificar
Tipo de conductividadN / P, semiconductor/semiaislante
Concentración1E17 - 2E18 cm-3
Movilidad> 100 cm2s/v.s.
 

Especificación de producto

CrecimientoLEC
DiámetroØ 2"
Grueso 300um
Orientación<100> / <111> / <110> u otros
De la orientaciónDe 2° a 10°
SuperficieUn lado pulido o dos lados pulidos o traslapados
Opciones planasEJ o SEMI. Estándar.
TTV<>
EPD<>
GradoEpi pulió el grado/el grado mecánico
PaqueteSolo envase de la oblea
 

 

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FAQ:

Q: ¿Cuál es plazo de expedición?

A: (1) para los productos estándar

Para el inventario: la entrega es 5 días laborables después de que usted pone la orden.

Para los productos modificados para requisitos particulares: la entrega es 2 o 3 semanas después de que usted pone la orden.

(2) para los productos especial-formados, la entrega es 4 workweeks después de que usted ponga la orden.

 

Q: ¿Cuál es su MOQ?

A: (1) para el inventario, el MOQ es 3pcs.

(2) para los productos modificados para requisitos particulares, el MOQ es 10-20pcs para arriba.

 

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2 el grueso cristalino de la oblea 0,3 de Gap del substrato del fosfuro del galio de la pulgada traslapó la superficie

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