Oblea dopada Si del GaAs del arseniuro de galio del substrato del semiconductor para Microwave/HEMT/PHEMT
Número de modelo:6inch S-C-N
Lugar del origen:China
Cantidad de orden mínima:5pcs
Condiciones de pago:T / T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente:500pcs por mes
Plazo de expedición:2-4 semanas
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Detalles del producto
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Detalles del producto
el tipo de 2inch/3inch /4inch /6inch S-C-N Si-dopó la oblea del GaAs del arseniuro de galio
Descripción de producto
Obleas del arseniuro de galio (GaAs)
PWAM desarrolla y fabrica el cristal y la oblea del arseniuro del substrato-galio del semiconductor compuesto. Hemos utilizado tecnología avanzada del crecimiento cristalino, el helada vertical de la pendiente (VGF) y tecnología de proceso de la oblea del GaAs, establecimos una cadena de producción del crecimiento cristalino, corte, moliendo al proceso de pulido y construimos un cuarto limpio de 100 clases para la limpieza y el empaquetado de la oblea. Nuestra oblea del GaAs incluye el lingote/las obleas de 2~6 pulgadas para el LED, el LD y los usos de la microelectrónica. Nos dedican siempre para mejorar la calidad actualmente de subestados y para desarrollar los substratos de gran tamaño.
Obleas del arseniuro de galio (GaAs) para los usos del LED
- 1. Utilizado principalmente en electrónica, aleaciones de baja temperatura, arseniuro de galio.
- 2. El compuesto químico primario del galio en electrónica, se utiliza en circuitos de la microonda, circuitos de alta velocidad de la transferencia, y circuitos infrarrojos.
- 3. El nitruro del galio y el nitruro del galio del indio, porque las aplicaciones del semiconductor, producen los diodos electroluminosos azules y violetas (LEDs) y los lasers del diodo.
DESCRIPCIÓN DE PRODUCTO
ESPECIFICACIÓN --N-tipo oblea del SI-dopante de 6 pulgadas del
arseniuro de galio de SSP/DSP LED/LD | |
Método del crecimiento | VGF |
Orientación | <100> |
Diámetro | 150,0 +/- 0,3 milímetros |
Grueso | 650um +/- 25um |
Polaco | Escoja (SSP) pulido echado a un lado |
Aspereza superficial | Pulido |
TTV/Bow | <10um> |
Dopante | Si |
Tipo de la conductividad | N-tipo |
Resistencia (en el RT) | (1.2~9.9) *10-3 ohmio cm |
Densidad del hoyo de grabado de pistas (EPD) | LED <5000>2; LD <500> |
Movilidad | Cm2s/v.s del LED >1000; Cm2s/v.s del LD >1500 |
Concentración de portador | LED > (0.4-4) *1018 /cm 3; LD > (0.4-2.5) *1018 /cm3 |
Especificaciones de la oblea semiconductora del GaAs
Método del crecimiento | VGF | |||
Dopante | p-tipo: Zn | n-tipo: Si | ||
Forma de la oblea | Redondo (diámetro: 2", 3", 4", 6") | |||
Orientación superficial * | (100) ±0.5° | |||
* otras orientaciones quizá disponibles a petición | ||||
Dopante | Si (n-tipo) | Zn (p-tipo) | ||
Concentración de portador (cm-3) | (0.8-4) × 1018 | (0.5-5) × 1019 | ||
Movilidad (cm2/V.S.) | × 103 (de 1-2.5) | 50-120 | ||
Densidad de la echada del grabado de pistas (cm2) | 100-5000 | 3,000-5,000 | ||
Diámetro de la oblea (milímetro) | 50.8±0.3 | 76.2±0.3 | 100±0.3 | |
Grueso (µm) | 350±25 | 625±25 | 625±25 | |
TTV [P/P] (µm) | ≤ 4 | ≤ 4 | ≤ 4 | |
TTV [P/E] (µm) | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 | |
DEFORMACIÓN (µm) | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 | |
DE (milímetro) | 17±1 | 22±1 | 32.5±1 | |
DE/SI (milímetro) | 7±1 | 12±1 | 18±1 | |
Polish* | E/E, P/E, P/P | E/E, P/E, P/P | E/E, P/E, P/P | |
Especificaciones de la oblea semiaislante del GaAs
Método del crecimiento | VGF | |||
Dopante | Tipo del SI: Carbono | |||
Forma de la oblea | Redondo (diámetro: 2", 3", 4", 6") | |||
Orientación superficial * | (100) ±0.5° | |||
* otras orientaciones quizá disponibles a petición | ||||
Resistencia (Ω.cm) | × 107 del ≥ 1 | × 108 del ≥ 1 | ||
Movilidad (cm2/V.S) | ≥ 5.000 | ≥ 4.000 | ||
Densidad de la echada del grabado de pistas (cm2) | 1,500-5,000 | 1,500-5,000 | ||
Diámetro de la oblea (milímetro) | 50.8±0.3 | 76.2±0.3 | 100±0.3 | 150±0.3 |
Grueso (µm) | 350±25 | 625±25 | 625±25 | 675±25 |
TTV [P/P] (µm) | ≤ 4 | ≤ 4 | ≤ 4 | ≤ 4 |
TTV [P/E] (µm) | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 |
DEFORMACIÓN (µm) | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 15 |
DE (milímetro) | 17±1 | 22±1 | 32.5±1 | MUESCA |
DE/SI (milímetro) | 7±1 | 12±1 | 18±1 | N/A |
Polish* | E/E, P/E, P/P | E/E, P/E, P/P | E/E, P/E, P/P | E/E, P/E, P/P |
FAQ –
Q: ¿Qué usted puede suministrar logística y coste?
(1) aceptamos DHL, Fedex, TNT, UPS, el ccsme, SF y el etc.
(2) si usted tiene su propio número expreso, es grande.
Si no, podríamos ayudarle para entregar. Freight=USD25.0 (el primer
peso) + USD12.0/kg
Q: ¿Cuál es plazo de expedición?
(1) para los productos estándar tales como lente de la bola, lente
de powell y lente del colimador:
Para el inventario: la entrega es 5 días laborables después de
orden.
Para los productos modificados para requisitos particulares: la
entrega es 2 o 3 workweeks después de orden.
(2) para los productos apagado-estándar, la entrega es 2 o 6
workweeks después de que usted ponga la orden.
Q: ¿Cómo pagar?
T/T, Paypal, unión del oeste, MoneyGram, garantía segura del pago y
del comercio en Alibaba y etc….
Q: ¿Cuál es el MOQ?
(1) para el inventario, el MOQ es 5pcs.
(2) para los productos modificados para requisitos particulares, el
MOQ es 5pcs-20pcs.
Depende de cantidad y de técnicas
Q: ¿Usted tiene informe de inspección para el material?
Podemos suministrar el informe de detalle para nuestros productos.
Empaquetado – Logistcs
nos referimos a cada uno los detalles del paquete, limpieza,
tratamiento antiestático, por electrochoque. Según la cantidad y la
forma del producto,
¡tomaremos un diverso proceso de empaquetado!
Oblea dopada Si del GaAs del arseniuro de galio del substrato del semiconductor para Microwave/HEMT/PHEMT
Carro de la investigación
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