la oblea HVPE del nitruro del galio de 5x5/10x10 milímetro libera la plantilla derecha del microprocesador industrial
Número de modelo:GaN-FS-C-U-C50-SSP
Lugar del origen:China
Cantidad de orden mínima:10pcs
Condiciones de pago:T/T
Capacidad de la fuente:50pcs por mes
Plazo de expedición:1-5weeks
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Shanghai Shanghai China
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Habitación.1-1805, No.1079 calle Dianshanhu, área de Qingpu ciudad de Shanghai, China /201799
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Detalles del producto
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Detalles del producto
Plantilla de sustratos de GaN de 2 pulgadas, oblea de GaN para LED, oblea de nitruro de galio semiconductor para ld, plantilla de GaN, oblea de GaN mocvd, substratos de GaN independientes por tamaño personalizado, oblea de GaN de tamaño pequeño para LED,mocvd oblea de nitruro de galio 10x10 mm,5x5mm, 10x5mm GaN wafer, Substratos GaN independientes no polares ((un plano y un plano m)
Características de las obleas de GaN
| Producto | Substratos de nitruro de galio (GaN) | ||||||||||||||
| Descripción del producto: | En el proceso de HVPE, se utiliza el método de epitaxia de la fase de vapor de hidruro epítsico (HVPE). el ácido producido por la reacción GaCl, que a su vez reacciona con el amoníaco para producir nitruro de galio fundido.La plantilla epitaxial de GaN es una forma rentable de reemplazar el sustrato de cristal único de nitruro de galio. | ||||||||||||||
| Parámetros técnicos: |
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| Especificaciones: |
Película epitaxial de GaN (plano C), tipo N, 2 "* 30 micras, zafiro; "Métodos de detección" de los componentes de los sistemas de detección de gases de efecto invernadero. "Método de detección" (1) es el método de detección de la radiación de una señal de radio. Película epitaxial de GaN (plano M), tipo N, zafiro de 2 "* 5 micras. Película de AL2O3 + GaN (Si dopado de tipo N); película de AL2O3 + GaN (Mg dopado de tipo P) Nota: según la demanda del cliente, orientación y tamaño de los enchufes especiales. | ||||||||||||||
| Embalaje estándar: | 1000 salas limpias, 100 bolsas limpias o envases de una sola caja |
Aplicación
El GaN se puede utilizar en muchas áreas como pantalla LED,
detección e imagen de alta energía,
Display de proyección láser, dispositivo de alimentación, etc.
- Display de proyección láser, dispositivo de alimentación, etc.
- Almacenamiento de fechas
- Iluminación de bajo consumo energético
- Display de luz a todo color
- Proyecciones láser
- Dispositivos electrónicos de alta eficiencia
- Dispositivos de microondas de alta frecuencia
- Detección e imaginación de alta energía
- Nuevas tecnologías de energía solar o de hidrógeno
- Medio ambiente Detección y medicina biológica
- Banda de terahercios de la fuente de luz
Especificaciones:
| Substratos GaN no polares independientes (a-plano y m-plano) | ||
| Punto de trabajo | GaN-FS-a | Se aplican las siguientes medidas: |
| Las dimensiones | 5.0 mm × 5,5 mm | |
| 5.0 mm × 10.0 mm | ||
| 5.0 mm × 20.0 mm | ||
| Tamaño personalizado | ||
| El grosor | 350 ± 25 μm | |
| Orientación | a-plano ± 1° | el plano m ± 1° |
| TTV | ≤ 15 μm | |
| - ¿Qué quieres decir? | ≤ 20 μm | |
| Tipo de conducción | Tipo N | |
| Resistencia ((300K) | < 0,5 Ω·cm | |
| Densidad de dislocación | Menos de 5x106en cm- ¿ Qué pasa? | |
| Superficie utilizable | > 90% | |
| Pulido | Superficie delantera: Ra < 0,2 nm. Polido preparado para epi | |
| Superficie trasera: suelo fino | ||
| Paquete | Envasado en un ambiente de sala limpia de clase 100, en recipientes de una sola oblea, bajo una atmósfera de nitrógeno. | |
Pregunta y respuesta
- ¿ Qué?¿Qué es una oblea de GaN?
A: ¿Qué quieres decir?A. NoWafer de GaN(wafer de nitruro de galio) es un sustrato delgado y plano hecho de nitruro de galio, un material semiconductor de banda ancha que se utiliza ampliamente en la electrónica de alto rendimiento.Las obleas de GaN son la base para la fabricación de dispositivos electrónicosEste material es especialmente importante en industrias tales como la electrónica de potencia, las telecomunicaciones,y iluminación LED.
- ¿ Qué?¿Por qué el GaN es mejor que el silicio?
A: ¿Qué quieres decir?GaN (nitruro de galio) es mejor que el silicio en muchas aplicaciones de alto rendimiento debido a subanda anchaEn el caso del silicio, el nivel de GaN es de 3,4 eV, frente a los 1,1 eV.tensiones más altas,las temperaturas, yfrecuencias- ¿Qué es eso?alta eficienciaconduce amenor generación de caloryreducción de la pérdida de energía, por lo que es ideal para la electrónica de potencia,sistemas de carga rápida, yaplicaciones de alta frecuenciaAdemás, el GaN tienemejor conductividad térmicaComo resultado, los dispositivos basados en GaN son más compactos, energéticamente eficientes y confiables que sus homólogos de silicio.
Palabras clave:#GaN #Nitruro de galio #PowerElectronics #Alto rendimiento #Eficiencia #LED #LaserProjection #EnergyEfficientLighting #HighFrequencyDevices #NonPolarGaN #FreestandingGaN #GaNSubstrates #MOCVD
la oblea HVPE del nitruro del galio de 5x5/10x10 milímetro libera la plantilla derecha del microprocesador industrial
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