MOSFET del canal N 20-V (D-S) del transistor de efecto de campo del MOS de HXY2302Z
Lugar del origen:China Shenzhen
Cantidad de orden mínima:1000-2000 PC
Detalles de empaquetado:Encajonado
Plazo de expedición:1 - 2 semanas
Condiciones de pago:L/C T/T Western Union
Capacidad de la fuente:18,000,000PCS/por día
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Evaluación de proveedor
Shenzhen Guangdong China
Dirección:
Sitio 2013, edificio internacional de DingCheng, ZhenHua Road, distrito de FuTian, Shenzhen, provincia de Guangdong
Proveedor Último login veces:
Dentro de 14 Horas
Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
SOT-23 Plástico-encapsulan el MOSFET del canal N 20-V (D-S) de los MOSFETS HXY2302Z
Resumen del producto
RDS (encendido)<60m>
RDS (encendido)<73m>
ID=2.3A
VDSS=20V
Grados máximos (Ta=25℃ a menos que se indicare en forma diferente)
T =25 un ℃ salvo especificación de lo contrario
Característica típica
MOSFET del canal N 20-V (D-S) del transistor de efecto de campo del MOS de HXY2302Z
Carro de la investigación
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