Transistor complementario original AP5N10LI de los transistores de poder/de efecto de campo

Número de modelo:AP5N10LI
Lugar del origen:China Shenzhen
Cantidad de orden mínima:negociación
Condiciones de pago:L/C T/T Western Union
Capacidad de la fuente:18,000,000PCS/por día
Plazo de expedición:1 - 2 semanas
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Shenzhen Guangdong China
Dirección: Sitio 2013, edificio internacional de DingCheng, ZhenHua Road, distrito de FuTian, Shenzhen, provincia de Guangdong
Proveedor Último login veces: Dentro de 14 Horas
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Transistor complementario original AP5N10LI de los transistores de poder/de efecto de campo

 

Descripción complementaria de los transistores de poder

 

El AP5N10LI utiliza tecnología avanzada del foso para proporcionar R excelente DS (ENCENDIDO), carga de la puerta y operación bajas con los voltajes de la puerta tan bajos como 4.5V. Este dispositivo es conveniente para el uso como protección de la batería o en el otro uso de la transferencia.

 

Características complementarias de los transistores de poder

 

VDS= 100V I D = 5A

 

RDS (ENCENDIDO) < 140m="">

Protección de la batería

 

Interruptor de la carga

Sistema de alimentación ininterrumpida

 

Marca del paquete e información el ordenar

 

Identificación del productoPaqueteMarcadoQty (PCS)
AP5N10LISOT23-6MA6S3000

 

Grados máximos absolutos en Tj=25℃ a menos que se indicare en forma diferente

 

ParámetroSímboloValorUnidad
Drene el voltaje de la fuenteVDS100V
Voltaje de fuente de puertaVGS±20V
Corriente continua del dren, ℃ TC=25Identificación5A
Corriente pulsada del dren, ℃ del TC =25Identificación, pulso15A
Disipación de poder, ℃ de T C=25

P

D

17W
Escoja la energía pulsada de la avalancha 5)EAS1,2mJ
Temperatura de la operación y de almacenamientoTstg, Tj-55 a 150
Resistencia termal, empalme-casoRθJC7,4℃/W
Resistencia termal, junction-ambient4)RθJA62℃/W

 

Características eléctricas en el ℃ del MOSFET j=25 del modo del aumento del canal N de T AP5N10LI 100V salvo especificación de lo contrario

 

SímboloParámetroCondición de pruebaMínimo.Tipo.Máximo.Unidad
BVDSSvoltaje de avería de la Dren-fuenteV =0 V, μA ID=250100  V
VGS (th)Voltaje del umbral de la puertaV =V, μA ID=2501,21,52,5V
RDS (ENCENDIDO)resistencia del en-estado de la Dren-fuenteVGS=10 V, ID=5 A 110140
RDS (ENCENDIDO)resistencia del en-estado de la Dren-fuenteV =4.5 V, ID=3 A 160180

 

IGSS

 

corriente de la salida de la Puerta-fuente

V =20 V  100

 

nA

V =-20 V  -100
IDSScorriente de la salida de la Dren-fuenteVDS=100 V, VGS=0 V  1UA
CISSCapacitancia de la entradaV =0 V, 206,1 PF
CossCapacitancia de salida 28,9 PF
CrssCapacitancia reversa de la transferencia 1,4 PF
TD (encendido)Tiempo de retraso de abertura

VGS=10 V,

VDS=50 V,

 14,7 ns
trTiempo de subida 3,5 ns
TD (apagado)Tiempo de retraso de la vuelta-apagado 20,9 ns

t

f

Tiempo de caída 2,7 ns
QgCarga total de la puerta  4,3 nC
Qgscarga de la Puerta-fuente 1,5 nC
Qgdcarga del Puerta-dren 1,1 nC
VplateauVoltaje de la meseta de la puerta 5,0 V
ESEl diodo remite la corriente

 

VGS

  7

 

A

ISPCorriente de fuente pulsada  21
VSDVoltaje delantero del diodoIS=7 A, VGS=0 V  1,0V

t

rr

Tiempo de recuperación reversa  32,1 ns
QrrCarga reversa de la recuperación 39,4 nC
IrrmCorriente de recuperación reversa máxima 2,1 A
SímboloParámetroCondición de pruebaMínimo.Tipo.Máximo.Unidad
BVDSSvoltaje de avería de la Dren-fuenteV =0 V, μA ID=250100  V
VGS (th)Voltaje del umbral de la puertaV =V, μA ID=2501,21,52,5V
RDS (ENCENDIDO)resistencia del en-estado de la Dren-fuenteVGS=10 V, ID=5 A 110140
RDS (ENCENDIDO)resistencia del en-estado de la Dren-fuenteV =4.5 V, ID=3 A 160180

 

IGSS

 

corriente de la salida de la Puerta-fuente

V =20 V  100

 

nA

V =-20 V  -100
IDSScorriente de la salida de la Dren-fuenteVDS=100 V, VGS=0 V  1UA
CISSCapacitancia de la entradaV =0 V, 206,1 PF
CossCapacitancia de salida 28,9 PF
CrssCapacitancia reversa de la transferencia 1,4 PF
TD (encendido)Tiempo de retraso de abertura

VGS=10 V,

VDS=50 V,

 14,7 ns
trTiempo de subida 3,5 ns
TD (apagado)Tiempo de retraso de la vuelta-apagado 20,9 ns

t

f

Tiempo de caída 2,7 ns
QgCarga total de la puerta  4,3 nC
Qgscarga de la Puerta-fuente 1,5 nC
Qgdcarga del Puerta-dren 1,1 nC
VplateauVoltaje de la meseta de la puerta 5,0 V
ESEl diodo remite la corriente

 

VGS

  7

 

A

ISPCorriente de fuente pulsada  21
VSDVoltaje delantero del diodoIS=7 A, VGS=0 V  1,0V

t

rr

Tiempo de recuperación reversa  32,1 ns
QrrCarga reversa de la recuperación 39,4 nC
IrrmCorriente de recuperación reversa máxima 2,1 A

 

Nota

 

1) Corriente continua calculada basada en temperatura de empalme máxima permitida.

2) Grado repetidor; anchura de pulso limitada por temperatura de empalme máxima.

3) El paladio se basa en temperatura de empalme máxima, usando resistencia termal del empalme-caso.

4) El valor de RθJA se mide con el dispositivo montado en 1 en el tablero 2 FR-4 con 2oz. Revista con cobre, en un ambiente de aire inmóvil con T un =25 °C. 5) VDD=50 V, RG=50 Ω, L=0.3 Mh, comenzando Tj=25 °C.

 

Atención

 

1, cualquiera y todos los productos de la microelectrónica de APM descritos o contenidos adjunto no tiene especificaciones que puedan manejar los usos que requieren extremadamente niveles de la confiabilidad, tales como sistemas de conectado a una máquina que mantiene las constantes vitales, sistemas del control del avión, u otros usos cuyo fracaso se pueda razonablemente esperar para dar lugar a daño físico y/o material serio. Consúltele con su más cercano representativo de la microelectrónica de APM antes de usar cualesquiera productos de la microelectrónica de APM descritos o contenidos adjunto en tales usos.

2, microelectrónica de APM no asume ninguna responsabilidad de los fracasos de equipo que resultan de usar productos en los valores que exceden, incluso momentáneamente, los valores clasificados (tales como grados máximos, la condición de funcionamiento se extiende, u otros parámetros) enumerados en especificaciones de productos de cualquiera y todos los productos de la microelectrónica de APM descritos o contenidos adjunto.

3, especificaciones de cualquiera y todos los productos de la microelectrónica de APM describieron o contuvieron aquí el instipulate el funcionamiento, las características, y las funciones de los productos descritos en el estado independiente, y no son garantías del funcionamiento, de las características, y de las funciones de los productos descritos según lo montado en los productos o el equipo del cliente. Para verificar los síntomas y los estados que no se pueden evaluar en un dispositivo independiente, el cliente debe evaluar y probar siempre los dispositivos montados en los productos o el equipo del cliente.

4, semiconductor CO., LTD. de la microelectrónica de APM se esfuerza suministrar los altos productos de alta calidad de la confiabilidad. Sin embargo, cualquiera y todos los productos de semiconductor fallan con una cierta probabilidad. Es posible que estos fracasos de probabilidad podrían dar lugar a los accidentes o a los acontecimientos que podrían poner en peligro las vidas humanas que podrían dar lugar a humo o al fuego, o que podrían causar daño a la otra propiedad. El equipo de Whendesigning, adopta medidas de seguridad de modo que estas clases de accidentes o de acontecimientos no puedan ocurrir. Tales medidas incluyen pero no se limitan a los circuitos protectores y a los circuitos de la prevención de error para el diseño seguro, el diseño redundante, y el diseño estructural.

5, en caso que cualquiera o todos los productos de la microelectrónica de APM (datos técnicos incluyendo, los servicios) descritos o contenidos adjunto sean controlados conforme a ningunas de leyes y de regulaciones aplicables de control de exportación locales, tales productos no deben ser exportados sin la obtención de la licencia de exportación de las autoridades referidas de acuerdo con la ley antedicha.

6, ninguna parte de esta publicación se pueden reproducir o transmitir en cualquier forma o de ninguna manera, electrónico o mecánico, incluyendo la fotocopia y la registración, o cualquier sistema del almacenamiento o de recuperación de información, o de otra manera, sin el permiso escrito anterior del semiconductor CO. de la microelectrónica de APM, LTD.

7, información (esquemas circulares incluyendo y los parámetros del circuito) adjunto está por ejemplo solamente; no se garantiza para la producción de volumen. La microelectrónica de APM cree que la información adjunto es exacta y confiable, pero no se hace ni está implicado ningunas garantías con respecto su uso o a cualquier infracción de los derechos de propiedad intelectual o de otras derechas de los terceros.

, Cualquiera y toda la información descrita o contenida adjunto está conforme al cambio sin previo aviso debido al producto/a la mejora de la tecnología, al etc. Al diseñar el equipo, refiera a la “especificación de la entrega” para el producto de la microelectrónica de APM que usted se prepone utilizar.

 

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Transistor complementario original AP5N10LI de los transistores de poder/de efecto de campo

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