el interruptor de gran intensidad/10A 600V del Mosfet de 10N60 K-MTQ se dobla interruptor del Mosfet
Número de modelo:10N60
Lugar del origen:China Shenzhen
Cantidad de orden mínima:1000-2000 PC
Condiciones de pago:L/C T/T Western Union
Capacidad de la fuente:18,000,000PCS/por día
Plazo de expedición:1 - 2 semanas
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Shenzhen Guangdong China
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Sitio 2013, edificio internacional de DingCheng, ZhenHua Road, distrito de FuTian, Shenzhen, provincia de Guangdong
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MOSFET del PODER de 10N60 K-MTQ 10A 600VN-CHANNEL
DESCRIPCIÓN
El UTC 10N60K-MTQ es un MOSFET de alto voltaje del poder diseñado para tener mejores características, tales como tiempo rápido de la transferencia, carga baja de la puerta, resistencia baja del en-estado y altas características rugosas de la avalancha. Este MOSFET del poder se utiliza generalmente en usos de alta velocidad de la transferencia de las fuentes y de los adaptadores de alimentación de la transferencia.
CARACTERÍSTICAS
RDS(ENCENDIDO)< 1=""> GS = 10 V, ID = 5,0 A
* capacidad rápida de la transferencia
* energía de la avalancha probada
* capacidad mejorada de dv/dt, alta aspereza
INFORMACIÓN EL ORDENAR
| Número el ordenar | Paquete | Asignación de Pin | El embalar | |||
| Sin plomo | El halógeno libera | 1 | 2 | 3 | ||
| 10N60KL-TF3-T | 10N60KG-TF3-T | TO-220F | G | D | S | Tubo |
| 10N60KL-TF1-T | 10N60KG-TF1-T | TO-220F1 | G | D | S | Tubo |
| 10N60KL-TF2-T | 10N60KG-TF2-T | TO-220F2 | G | D | S | Tubo |
Nota: Asignación de Pin: G: Puerta D: Dren S: Fuente
GRADOS MÁXIMOS ABSOLUTOS (TC = 25°С, salvo especificación de lo contrario)
| PARÁMETRO | SÍMBOLO | GRADOS | UNIDAD | |
| Voltaje de la Dren-fuente | VDSS | 600 | V | |
| Voltaje de la Puerta-fuente | VGSS | ±30 | V | |
| Corriente continua del dren | ID | 10 | A | |
| Corriente pulsada del dren (nota 2) | IDM | 40 | A | |
| Corriente de la avalancha (nota 2) | IAR | 8,0 | A | |
| Energía de la avalancha | Escoja pulsado (la nota 3) | EAS | 365 | mJ |
| Enarbole la recuperación del diodo dv/dt (nota 4) | dv/dt | 4,5 | ns | |
Disipación de poder | TO-220 |
PD | 156 | W |
| TO-220F1 | 50 | W | ||
| TO-220F2 | 52 | W | ||
| Temperatura de empalme | TJ | +150 | °C | |
| Temperatura de almacenamiento | TSTG | -55 ~ +150 | °C | |
Notas: 1. los grados máximos absolutos son esos valores más allá de los cuales el dispositivo podría ser dañado permanentemente.
Los grados máximos absolutos son grados de la tensión solamente y la operación funcional del dispositivo no se implica.
4. Grado repetidor: Anchura de pulso limitada por temperatura de empalme máxima.
5. L = 84mH, ICOMO =1.4A, VDD = 50V, RG = Ω 25 que comienza TJ = 25°C
6. I ≤ 2.0A, di/dt ≤200A/μs, DD ≤BVDSS delSDde V, comenzando TJ = 25°C
DATOS TERMALES
| PARÁMETRO | SÍMBOLO | CLASIFICACIÓN | UNIDAD |
| Empalme a ambiente | θJA | 62,5 | °C/W |
| Empalme al caso | θJC | 3,2 | °C/W |
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (TJ = 25°С, salvo especificación de lo contrario)
| PARÁMETRO | SÍMBOLO | CONDICIONES DE PRUEBA | MINUTO | TIPO | Max | UNIDAD | |
| DE CARACTERÍSTICAS | |||||||
| Voltaje de avería de la Dren-fuente | BVDSS | VGS = 0V, ID = 250μA | 600 | V | |||
| Corriente de la salida de la Dren-fuente | IDSS | VDS = 600V, VGS = 0V | 10 | μA | |||
| Corriente de la salida de la fuente de la puerta | Delantero | IGSS | VGS = 30V, VDS = 0V | 100 | nA | ||
| Revés | VGS = -30V, VDS = 0V | -100 | nA | ||||
| EN CARACTERÍSTICAS | |||||||
| Voltaje del umbral de la puerta | VGS (TH) | VDS = VGS, ID = 250μA | 2,0 | 4,0 | V | ||
| Resistencia estática del En-estado de la Dren-fuente | RDS (ENCENDIDO) | VGS = 10V, ID = 5.0A | 1,0 | Ω | |||
| CARACTERÍSTICAS DINÁMICAS | |||||||
| Capacitancia de la entrada | CISS | VDS=25V, VGS=0V, f=1.0 megaciclo | 1120 | PF | |||
| Capacitancia de salida | COSS | 120 | PF | ||||
| Capacitancia reversa de la transferencia | CRSS | 13 | PF | ||||
| CARACTERÍSTICAS DE LA TRANSFERENCIA | |||||||
| Carga total de la puerta (nota 1) | QG | VDS=50V, ID=1.3A, IG=100μA VGS=10V (nota 1,2) | 28 | nC | |||
| Carga de la Puerta-fuente | QGS | 8 | nC | ||||
| Carga del Puerta-dren | QGD | 6 | nC | ||||
| Tiempo de retraso de abertura (nota 1) | TD (ENCENDIDO) |
VDD =30V, ID =0.5A, RG =25Ω, VGS=10V (nota 1,2) | 80 | ns | |||
| Tiempo de subida de abertura | tR | 89 | ns | ||||
| Tiempo de retraso de la vuelta-Apagado | TD (APAGADO) | 125 | ns | ||||
| Tiempo de caída de la vuelta-Apagado | tF | 64 | ns | ||||
| CARACTERÍSTICAS DE DIODO DE DRAIN-SOURCE Y GRADOS MÁXIMOS | |||||||
| El diodo continuo máximo de la Dren-fuente remite la corriente | IS | 10 | A | ||||
El máximo pulsó diodo de la Dren-fuente Corriente delantera | ISMO | 40 | A | ||||
| Voltaje delantero del diodo de la Dren-fuente (nota 1) | VSD | VGS = 0 V, IS = 10 A | 1,4 | V | |||
Esencialmente independiente de la temperatura de funcionamiento.
Notas: 1. prueba del pulso: ≤ 300µs, ≤ el 2% de la anchura de pulso
del ciclo de trabajo.
el interruptor de gran intensidad/10A 600V del Mosfet de 10N60 K-MTQ se dobla interruptor del Mosfet
Carro de la investigación
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